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电磁场与电磁波 · 期末复习资料 ​

依据课件:全部 19 份课件(绪论+§1.1–1.8、§2.1–2.7、§3.1–3.3、3.5、§4、§5、§6、§7)。§3.4 静态场边值问题/唯一性定理、§3.6 分离变量法课件未涉及,不在本资料内;§4.4 唯一性定理课件仅给出结论,本资料补写了证明。 覆盖范围:绪论;第 1 章 矢量分析(§1.1–§1.8);第 2 章 电磁场的基本规律(§2.1–§2.7);第 3 章 静态电磁场及其边值问题的解(§3.1–§3.3、§3.5);第 4 章 时变电磁场(§4.1–§4.5);第 5 章 均匀平面波在无界空间中的传播;第 6 章 均匀平面波的反射和透射;第 7 章 导行电磁波(§7.1–7.2、§7.5)。 标注约定:(补充)=课件之外补充的内容;(待核对)=课件图片不清晰、无法完全确认的内容。

目录 ​


第0章 绪论 ​

课程逻辑主线(静止、运动电荷所产生的效应):

电荷状态产生的场
静电荷静电场
匀速直线运动(恒定电流)独立的电场、磁场
变速运动(时变)时变电磁场,电场磁场互相转换 → 电磁波

发展史(三大实验定律 + 理论总结):

年代人物贡献对应章节
1785库仑(法)库仑定律(真空中两个静止点电荷间的作用力)2.2
1820奥斯特(丹)电流磁效应—
1820安培(法)安培定律(两电流元间的作用力)2.3
1831法拉第(法)电磁感应定律(变化的磁场产生电场)2.5
1864麦克斯韦(英)麦克斯韦方程组2.6

第1章 矢量分析 ​

1.1 矢量代数 ​

标量与矢量 ​

  • 标量:只有大小、没有方向的物理量(距离、速率、电压、电荷量、质量、能量),加减为代数和。
  • 矢量:既有大小又有方向的物理量(位移、速度、加速度、力、电场强度 E\mathbf{E}、磁场强度 H\mathbf{H}),用一条有方向的线段表示:长度=模,箭头=方向。
  • 场:给定区域内各点物理量的集合。

单位矢量:

eA=A∣A∣\mathbf{e}_A = \frac{\mathbf{A}}{|\mathbf{A}|}

  • A\mathbf{A}:任一矢量;∣A∣|\mathbf{A}|(也记作 AA):A\mathbf{A} 的模;eA\mathbf{e}_A:与 A\mathbf{A} 同方向的单位矢量,模为 1,无单位。

矢量的加、减法与数乘 ​

加法(平行四边形法则 / 三角形法则):

A+B=B+A(交换律)\mathbf{A}+\mathbf{B} = \mathbf{B}+\mathbf{A} \qquad (\text{交换律})

(A+B)+C=A+(B+C)(结合律)(\mathbf{A}+\mathbf{B})+\mathbf{C} = \mathbf{A}+(\mathbf{B}+\mathbf{C}) \qquad (\text{结合律})

减法:

A−B=A+(−B)\mathbf{A}-\mathbf{B} = \mathbf{A}+(-\mathbf{B})

数乘:kAk\mathbf{A} 仍为矢量,大小为 kAkA;k>0k>0 时与 A\mathbf{A} 同向,k<0k<0 时反向。

点乘(点积、标积) ​

点乘(⭐重要):

A⋅B=ABcos⁡θ\mathbf{A}\cdot\mathbf{B} = AB\cos\theta

  • 结果为标量;A=∣A∣A=|\mathbf{A}|、B=∣B∣B=|\mathbf{B}|;θ\theta:两矢量正向夹角(0≤θ≤π0\le\theta\le\pi)。
  • 运算律:A⋅B=B⋅A\mathbf{A}\cdot\mathbf{B}=\mathbf{B}\cdot\mathbf{A}(交换律);(A+B)⋅C=A⋅C+B⋅C(\mathbf{A}+\mathbf{B})\cdot\mathbf{C}=\mathbf{A}\cdot\mathbf{C}+\mathbf{B}\cdot\mathbf{C}(分配律)。
  • 几何意义:A\mathbf{A} 在 B\mathbf{B} 方向的投影乘 BB。

叉乘(叉积、矢积) ​

叉乘(⭐重要):

A×B=en ABsin⁡θ\mathbf{A}\times\mathbf{B} = \mathbf{e}_n\, AB\sin\theta

  • 结果为矢量;en\mathbf{e}_n:垂直于 A\mathbf{A}、B\mathbf{B} 所在平面、满足右手螺旋定则的单位矢量。
  • 大小 ABsin⁡θAB\sin\theta = 以 A\mathbf{A}、B\mathbf{B} 为邻边的平行四边形面积。
  • 运算律:A×B=−B×A\mathbf{A}\times\mathbf{B} = -\mathbf{B}\times\mathbf{A}(不服从交换律,反交换);(A+B)×C=A×C+B×C(\mathbf{A}+\mathbf{B})\times\mathbf{C} = \mathbf{A}\times\mathbf{C}+\mathbf{B}\times\mathbf{C}(分配律)。

三重积 ​

三个矢量相乘有三种形式:

① (A⋅B)C(\mathbf{A}\cdot\mathbf{B})\mathbf{C}:标量乘矢量,结果为矢量,方向沿 C\mathbf{C}。

② 标量三重积(运算法则:先算叉积,后算点积):

A⋅(B×C)=B⋅(C×A)=C⋅(A×B)\mathbf{A}\cdot(\mathbf{B}\times\mathbf{C}) = \mathbf{B}\cdot(\mathbf{C}\times\mathbf{A}) = \mathbf{C}\cdot(\mathbf{A}\times\mathbf{B})

  • 结果为标量;几何意义:其绝对值 = 以三矢量为棱的平行六面体的体积(B×C\mathbf{B}\times\mathbf{C} 为底面矢量,A\mathbf{A} 在其上的投影为高)。
  • 三矢量顺序轮换结果不变;对调任意两个则变号。
  • (补充)行列式形式:A⋅(B×C)=∣AxAyAzBxByBzCxCyCz∣\mathbf{A}\cdot(\mathbf{B}\times\mathbf{C}) = \begin{vmatrix} A_x & A_y & A_z \\ B_x & B_y & B_z \\ C_x & C_y & C_z \end{vmatrix}(直角坐标系分量)。

③ 矢量三重积:

矢量三重积(⭐重要):

A×(B×C)=B(A⋅C)−C(A⋅B)\mathbf{A}\times(\mathbf{B}\times\mathbf{C}) = \mathbf{B}\left(\mathbf{A}\cdot\mathbf{C}\right) - \mathbf{C}\left(\mathbf{A}\cdot\mathbf{B}\right)

(A×B)×C=B(A⋅C)−A(B⋅C)(\mathbf{A}\times\mathbf{B})\times\mathbf{C} = \mathbf{B}\left(\mathbf{A}\cdot\mathbf{C}\right) - \mathbf{A}\left(\mathbf{B}\cdot\mathbf{C}\right)

  • 结果为矢量;课件记忆法:矢量三重积 =(括号外矢量·括号内较远矢量)×剩余矢量 −(括号外矢量·括号内较近矢量)×剩余矢量。
  • (补充)口诀 "BAC−CAB":A×(B×C)=B(A⋅C)−C(A⋅B)\mathbf{A}\times(\mathbf{B}\times\mathbf{C})=\mathbf{B}(\mathbf{A}\cdot\mathbf{C})-\mathbf{C}(\mathbf{A}\cdot\mathbf{B})。
  • 注意:A×(B×C)≠(A×B)×C\mathbf{A}\times(\mathbf{B}\times\mathbf{C}) \neq (\mathbf{A}\times\mathbf{B})\times\mathbf{C},叉乘不满足结合律。

1.2 三种常用的正交坐标系 ​

一、直角坐标系 (x,y,z)(x,y,z) ​

  • 坐标变量范围:−∞<x<∞-\infty<x<\infty,−∞<y<∞-\infty<y<\infty,−∞<z<∞-\infty<z<\infty。
  • 单位矢量(常矢量)满足右手螺旋定则:

ex×ey=ez\mathbf{e}_x\times\mathbf{e}_y = \mathbf{e}_z

ey×ez=ex\mathbf{e}_y\times\mathbf{e}_z = \mathbf{e}_x

ez×ex=ey\mathbf{e}_z\times\mathbf{e}_x = \mathbf{e}_y

任一矢量:

A=exAx+eyAy+ezAz\mathbf{A} = \mathbf{e}_x A_x + \mathbf{e}_y A_y + \mathbf{e}_z A_z

  • Ax,Ay,AzA_x,A_y,A_z:矢量 A\mathbf{A} 在三个坐标轴上的分量(投影)。

矢量之和(对应分量相加):

A+B=ex(Ax+Bx)+ey(Ay+By)+ez(Az+Bz)\mathbf{A}+\mathbf{B} = \mathbf{e}_x(A_x+B_x) + \mathbf{e}_y(A_y+B_y) + \mathbf{e}_z(A_z+B_z)

点乘:

A⋅B=AxBx+AyBy+AzBz\mathbf{A}\cdot\mathbf{B} = A_xB_x + A_yB_y + A_zB_z

叉乘(行列式展开):

A×B=∣exeyezAxAyAzBxByBz∣=ex(AyBz−AzBy)+ey(AzBx−AxBz)+ez(AxBy−AyBx)\mathbf{A}\times\mathbf{B} = \begin{vmatrix} \mathbf{e}_x & \mathbf{e}_y & \mathbf{e}_z \\ A_x & A_y & A_z \\ B_x & B_y & B_z \end{vmatrix} = \mathbf{e}_x(A_yB_z-A_zB_y) + \mathbf{e}_y(A_zB_x-A_xB_z) + \mathbf{e}_z(A_xB_y-A_yB_x)

微分元:位置矢量 r=exx+eyy+ezz\mathbf{r} = \mathbf{e}_x x + \mathbf{e}_y y + \mathbf{e}_z z,

dr=ex dx+ey dy+ez dzd\mathbf{r} = \mathbf{e}_x\,dx + \mathbf{e}_y\,dy + \mathbf{e}_z\,dz

面积元(下标表示面积元法线方向):

dSx=dy dzdS_x = dy\,dz

dSy=dx dzdS_y = dx\,dz

dSz=dx dydS_z = dx\,dy

体积元:

dV=dx dy dzdV = dx\,dy\,dz

二、圆柱坐标系 (ρ,φ,z)(\rho,\varphi,z) ​

  • 坐标变量范围:ρ≥0\rho\ge 0,0≤φ<2π0\le\varphi<2\pi,−∞<z<∞-\infty<z<\infty;ρ\rho:径向坐标,φ\varphi:角向坐标,zz:轴向坐标。

与直角坐标的坐标变换:

x=ρcos⁡φx = \rho\cos\varphi

y=ρsin⁡φy = \rho\sin\varphi

z=zz = z

ρ=x2+y2\rho = \sqrt{x^2+y^2}

φ=arctan⁡yx\varphi = \arctan\frac{y}{x}

z=zz = z

  • 由 arctan⁡\arctan 求 φ\varphi 时须按 (x,y)(x,y) 所在象限定角度。

单位矢量关系(右手螺旋):eρ×eφ=ez\mathbf{e}_\rho\times\mathbf{e}_\varphi = \mathbf{e}_z,eφ×ez=eρ\mathbf{e}_\varphi\times\mathbf{e}_z = \mathbf{e}_\rho,ez×eρ=eφ\mathbf{e}_z\times\mathbf{e}_\rho = \mathbf{e}_\varphi。

与直角系单位矢量的关系(由 ∂eρ∂φ=eφ\dfrac{\partial \mathbf{e}_\rho}{\partial\varphi} = \mathbf{e}_\varphi、∂eφ∂φ=−eρ\dfrac{\partial \mathbf{e}_\varphi}{\partial\varphi} = -\mathbf{e}_\rho 得出):

eρ=cos⁡φ ex+sin⁡φ ey\mathbf{e}_\rho = \cos\varphi\,\mathbf{e}_x + \sin\varphi\,\mathbf{e}_y

eφ=−sin⁡φ ex+cos⁡φ ey\mathbf{e}_\varphi = -\sin\varphi\,\mathbf{e}_x + \cos\varphi\,\mathbf{e}_y

ex=cos⁡φ eρ−sin⁡φ eφ\mathbf{e}_x = \cos\varphi\,\mathbf{e}_\rho - \sin\varphi\,\mathbf{e}_\varphi

ey=sin⁡φ eρ+cos⁡φ eφ\mathbf{e}_y = \sin\varphi\,\mathbf{e}_\rho + \cos\varphi\,\mathbf{e}_\varphi

  • 注意:eρ\mathbf{e}_\rho、eφ\mathbf{e}_\varphi 随 φ\varphi 变化,不是常矢量;(补充)ez\mathbf{e}_z 及所有单位矢量对 ρ\rho、zz 的偏导均为 0。

任一矢量及其运算:

A=eρAρ+eφAφ+ezAz\mathbf{A} = \mathbf{e}_\rho A_\rho + \mathbf{e}_\varphi A_\varphi + \mathbf{e}_z A_z

A+B=eρ(Aρ+Bρ)+eφ(Aφ+Bφ)+ez(Az+Bz)\mathbf{A}+\mathbf{B} = \mathbf{e}_\rho(A_\rho+B_\rho) + \mathbf{e}_\varphi(A_\varphi+B_\varphi) + \mathbf{e}_z(A_z+B_z)

A⋅B=AρBρ+AφBφ+AzBz\mathbf{A}\cdot\mathbf{B} = A_\rho B_\rho + A_\varphi B_\varphi + A_z B_z

A×B=∣eρeφezAρAφAzBρBφBz∣\mathbf{A}\times\mathbf{B} = \begin{vmatrix} \mathbf{e}_\rho & \mathbf{e}_\varphi & \mathbf{e}_z \\ A_\rho & A_\varphi & A_z \\ B_\rho & B_\varphi & B_z \end{vmatrix}

微分元:位置矢量 r=eρρ+ezz\mathbf{r} = \mathbf{e}_\rho\rho + \mathbf{e}_z z,

dr=eρ dρ+eφ ρ dφ+ez dzd\mathbf{r} = \mathbf{e}_\rho\,d\rho + \mathbf{e}_\varphi\,\rho\,d\varphi + \mathbf{e}_z\,dz

  • 易错:φ\varphi 方向的长度元是 ρ dφ\rho\,d\varphi,不是 dφd\varphi。

面积元:

dSρ=ρ dφ dzdS_\rho = \rho\,d\varphi\,dz

dSφ=dρ dzdS_\varphi = d\rho\,dz

dSz=ρ dρ dφdS_z = \rho\,d\rho\,d\varphi

体积元:

dV=ρ dρ dφ dzdV = \rho\,d\rho\,d\varphi\,dz

度量系数(拉梅系数,定义为"每个坐标的长度增量 ÷ 该坐标增量"):

hρ=dρdρ=1h_\rho = \frac{d\rho}{d\rho} = 1

hφ=ρ dφdφ=ρh_\varphi = \frac{\rho\,d\varphi}{d\varphi} = \rho

hz=dzdz=1h_z = \frac{dz}{dz} = 1

三、球坐标系 (r,θ,φ)(r,\theta,\varphi) ​

  • 坐标变量范围:r≥0r\ge 0,0≤θ≤π0\le\theta\le\pi,0≤φ<2π0\le\varphi<2\pi;rr:径向坐标,θ\theta:俯仰角(极角),φ\varphi:方位角。

与直角坐标的坐标变换:

x=rsin⁡θcos⁡φx = r\sin\theta\cos\varphi

y=rsin⁡θsin⁡φy = r\sin\theta\sin\varphi

z=rcos⁡θz = r\cos\theta

r=x2+y2+z2r = \sqrt{x^2+y^2+z^2}

θ=arccos⁡zx2+y2+z2\theta = \arccos\frac{z}{\sqrt{x^2+y^2+z^2}}

φ=arctan⁡yx\varphi = \arctan\frac{y}{x}

单位矢量关系(右手螺旋):er×eθ=eφ\mathbf{e}_r\times\mathbf{e}_\theta = \mathbf{e}_\varphi,eθ×eφ=er\mathbf{e}_\theta\times\mathbf{e}_\varphi = \mathbf{e}_r,eφ×er=eθ\mathbf{e}_\varphi\times\mathbf{e}_r = \mathbf{e}_\theta。

与直角系单位矢量的关系:

er=sin⁡θcos⁡φ ex+sin⁡θsin⁡φ ey+cos⁡θ ez\mathbf{e}_r = \sin\theta\cos\varphi\,\mathbf{e}_x + \sin\theta\sin\varphi\,\mathbf{e}_y + \cos\theta\,\mathbf{e}_z

eθ=cos⁡θcos⁡φ ex+cos⁡θsin⁡φ ey−sin⁡θ ez\mathbf{e}_\theta = \cos\theta\cos\varphi\,\mathbf{e}_x + \cos\theta\sin\varphi\,\mathbf{e}_y - \sin\theta\,\mathbf{e}_z

eφ=−sin⁡φ ex+cos⁡φ ey\mathbf{e}_\varphi = -\sin\varphi\,\mathbf{e}_x + \cos\varphi\,\mathbf{e}_y

逆变换:

ex=sin⁡θcos⁡φ er+cos⁡θcos⁡φ eθ−sin⁡φ eφ\mathbf{e}_x = \sin\theta\cos\varphi\,\mathbf{e}_r + \cos\theta\cos\varphi\,\mathbf{e}_\theta - \sin\varphi\,\mathbf{e}_\varphi

ey=sin⁡θsin⁡φ er+cos⁡θsin⁡φ eθ+cos⁡φ eφ\mathbf{e}_y = \sin\theta\sin\varphi\,\mathbf{e}_r + \cos\theta\sin\varphi\,\mathbf{e}_\theta + \cos\varphi\,\mathbf{e}_\varphi

ez=cos⁡θ er−sin⁡θ eθ\mathbf{e}_z = \cos\theta\,\mathbf{e}_r - \sin\theta\,\mathbf{e}_\theta

单位矢量对角坐标的偏导数:

∂er∂θ=eθ\frac{\partial\mathbf{e}_r}{\partial\theta} = \mathbf{e}_\theta

∂eθ∂θ=−er\frac{\partial\mathbf{e}_\theta}{\partial\theta} = -\mathbf{e}_r

∂er∂φ=sin⁡θ eφ\frac{\partial\mathbf{e}_r}{\partial\varphi} = \sin\theta\,\mathbf{e}_\varphi

∂eθ∂φ=cos⁡θ eφ\frac{\partial\mathbf{e}_\theta}{\partial\varphi} = \cos\theta\,\mathbf{e}_\varphi

∂eφ∂φ=−(sin⁡θ er+cos⁡θ eθ)\frac{\partial\mathbf{e}_\varphi}{\partial\varphi} = -\left(\sin\theta\,\mathbf{e}_r + \cos\theta\,\mathbf{e}_\theta\right)

  • 注意:er,eθ,eφ\mathbf{e}_r,\mathbf{e}_\theta,\mathbf{e}_\varphi 都随位置(θ,φ\theta,\varphi)变化,均非常矢量。

任一矢量及其运算:

A=erAr+eθAθ+eφAφ\mathbf{A} = \mathbf{e}_r A_r + \mathbf{e}_\theta A_\theta + \mathbf{e}_\varphi A_\varphi

A+B=er(Ar+Br)+eθ(Aθ+Bθ)+eφ(Aφ+Bφ)\mathbf{A}+\mathbf{B} = \mathbf{e}_r(A_r+B_r) + \mathbf{e}_\theta(A_\theta+B_\theta) + \mathbf{e}_\varphi(A_\varphi+B_\varphi)

A⋅B=ArBr+AθBθ+AφBφ\mathbf{A}\cdot\mathbf{B} = A_rB_r + A_\theta B_\theta + A_\varphi B_\varphi

A×B=∣ereθeφArAθAφBrBθBφ∣\mathbf{A}\times\mathbf{B} = \begin{vmatrix} \mathbf{e}_r & \mathbf{e}_\theta & \mathbf{e}_\varphi \\ A_r & A_\theta & A_\varphi \\ B_r & B_\theta & B_\varphi \end{vmatrix}

微分元:位置矢量 r=err\mathbf{r} = \mathbf{e}_r r,

dr=er dr+eθ r dθ+eφ rsin⁡θ dφd\mathbf{r} = \mathbf{e}_r\,dr + \mathbf{e}_\theta\,r\,d\theta + \mathbf{e}_\varphi\,r\sin\theta\,d\varphi

  • 易错:θ\theta 方向长度元是 r dθr\,d\theta,φ\varphi 方向是 rsin⁡θ dφr\sin\theta\,d\varphi。

面积元:

dSr=r2sin⁡θ dθ dφdS_r = r^2\sin\theta\,d\theta\,d\varphi

dSθ=rsin⁡θ dr dφdS_\theta = r\sin\theta\,dr\,d\varphi

dSφ=r dr dθdS_\varphi = r\,dr\,d\theta

体积元:

dV=r2sin⁡θ dr dθ dφdV = r^2\sin\theta\,dr\,d\theta\,d\varphi

度量系数:

hr=1h_r = 1

hθ=rh_\theta = r

hφ=rsin⁡θh_\varphi = r\sin\theta

1.3 标量场的梯度 ​

场的概念与分类 ​

  • 场:在某个空间区域里,每一点都有一个确定的物理量与之对应(该物理量一般还是时间的函数),这些量的集合叫场。
  • 分类:静态场 / 时变场;标量场 u(x,y,z)u(x,y,z)、u(x,y,z,t)u(x,y,z,t) / 矢量场 F(x,y,z,t)\mathbf{F}(x,y,z,t)。

等值面 ​

  • 定义:标量场中 u(x,y,z)u(x,y,z) 取相同数值的点构成的空间曲面。等值面方程:u(x,y,z)=Cu(x,y,z) = C。
  • 三个特点:① 不同 CC 值得到一族等值面;② 等值面充满场所在的整个空间;③ 等值面互不相交。

方向导数 ​

定义(M0M_0 处沿 el\mathbf{e}_l 方向):

∂u∂l=lim⁡Δl→0u(M)−u(M0)Δl(M 沿 el 方向趋于 M0)\frac{\partial u}{\partial l} = \lim_{\Delta l\to 0}\frac{u(M)-u(M_0)}{\Delta l}\qquad (M\ \text{沿}\ \mathbf{e}_l\ \text{方向趋于}\ M_0)

计算公式:

∂u∂l=∂u∂xcos⁡α+∂u∂ycos⁡β+∂u∂zcos⁡γ\frac{\partial u}{\partial l} = \frac{\partial u}{\partial x}\cos\alpha + \frac{\partial u}{\partial y}\cos\beta + \frac{\partial u}{\partial z}\cos\gamma

  • cos⁡α,cos⁡β,cos⁡γ\cos\alpha,\cos\beta,\cos\gamma:ll 方向的方向余弦,el=cos⁡α ex+cos⁡β ey+cos⁡γ ez\mathbf{e}_l = \cos\alpha\,\mathbf{e}_x + \cos\beta\,\mathbf{e}_y + \cos\gamma\,\mathbf{e}_z。
  • 意义:标量场 uu 在某点沿 el\mathbf{e}_l 方向的变化率;与方向的选取有关。

梯度 ​

定义:梯度是一个矢量,方向沿场量 uu 变化率最大的方向,大小等于其最大变化率:

grad⁡u=el ∂u∂l∣max⁡\operatorname{grad}u = \mathbf{e}_l\,\frac{\partial u}{\partial l}\Big|_{\max}

推导(梯度方向与最大方向导数的关系):令

G=ex∂u∂x+ey∂u∂y+ez∂u∂z\mathbf{G} = \mathbf{e}_x\frac{\partial u}{\partial x} + \mathbf{e}_y\frac{\partial u}{\partial y} + \mathbf{e}_z\frac{\partial u}{\partial z}

则方向导数可写作

∂u∂l=(ex∂u∂x+ey∂u∂y+ez∂u∂z)⋅(cos⁡α ex+cos⁡β ey+cos⁡γ ez)=G⋅el=∣G∣cos⁡(G,el)\frac{\partial u}{\partial l} = \left(\mathbf{e}_x\frac{\partial u}{\partial x}+\mathbf{e}_y\frac{\partial u}{\partial y}+\mathbf{e}_z\frac{\partial u}{\partial z}\right)\cdot(\cos\alpha\,\mathbf{e}_x+\cos\beta\,\mathbf{e}_y+\cos\gamma\,\mathbf{e}_z) = \mathbf{G}\cdot\mathbf{e}_l = |\mathbf{G}|\cos(\mathbf{G},\mathbf{e}_l)

当 el\mathbf{e}_l 与 G\mathbf{G} 同方向时方向导数最大、等于 ∣G∣|\mathbf{G}|,故 G\mathbf{G} 就是梯度。证毕。

三种坐标系中的梯度表达式(⭐重要):

∇u=ex∂u∂x+ey∂u∂y+ez∂u∂z(直角坐标系)\nabla u = \mathbf{e}_x\frac{\partial u}{\partial x} + \mathbf{e}_y\frac{\partial u}{\partial y} + \mathbf{e}_z\frac{\partial u}{\partial z}\qquad(\text{直角坐标系})

∇u=eρ∂u∂ρ+eφ1ρ∂u∂φ+ez∂u∂z(圆柱坐标系)\nabla u = \mathbf{e}_\rho\frac{\partial u}{\partial \rho} + \mathbf{e}_\varphi\frac{1}{\rho}\frac{\partial u}{\partial \varphi} + \mathbf{e}_z\frac{\partial u}{\partial z}\qquad(\text{圆柱坐标系})

∇u=er∂u∂r+eθ1r∂u∂θ+eφ1rsin⁡θ∂u∂φ(球坐标系)\nabla u = \mathbf{e}_r\frac{\partial u}{\partial r} + \mathbf{e}_\theta\frac{1}{r}\frac{\partial u}{\partial \theta} + \mathbf{e}_\varphi\frac{1}{r\sin\theta}\frac{\partial u}{\partial \varphi}\qquad(\text{球坐标系})

  • 哈密顿算符(矢量微分算符):∇=ex∂∂x+ey∂∂y+ez∂∂z\nabla = \mathbf{e}_x\dfrac{\partial}{\partial x}+\mathbf{e}_y\dfrac{\partial}{\partial y}+\mathbf{e}_z\dfrac{\partial}{\partial z},同时具有矢量性和微分性。
  • 适用条件:uu 在所论区域一阶偏导存在。

梯度的性质:

  1. 标量场 uu 的梯度 ∇u\nabla u 是一个矢量场。
  2. 某点沿任一方向的方向导数等于梯度在该方向上的投影。
  3. 每一点的梯度垂直于该点的等值面、指向场增加的方向;垂直于梯度方向的方向导数为 0。

与 R=∣r−r′∣R=|\mathbf{r}-\mathbf{r}'| 有关的梯度结论(课件例1.3.1,第2章反复使用) ​

设 R=r−r′=ex(x−x′)+ey(y−y′)+ez(z−z′)\mathbf{R} = \mathbf{r}-\mathbf{r}' = \mathbf{e}_x(x-x')+\mathbf{e}_y(y-y')+\mathbf{e}_z(z-z'),R=∣R∣R = |\mathbf{R}|:

∇R=RR\nabla R = \frac{\mathbf{R}}{R}

∇1R=−RR3\nabla\frac{1}{R} = -\frac{\mathbf{R}}{R^3}

  • 简证:∂R∂x=x−x′R\dfrac{\partial R}{\partial x} = \dfrac{x-x'}{R},三分量合成即 ∇R=RR\nabla R = \dfrac{\mathbf{R}}{R};再由复合求导 ∇1R=−1R2∇R=−RR3\nabla\dfrac{1}{R} = -\dfrac{1}{R^2}\nabla R = -\dfrac{\mathbf{R}}{R^3}。
  • ∇\nabla 对场点坐标 r\mathbf{r} 求导;(补充)对源点求导记为 ∇′\nabla',有 ∇f(R)=−∇′f(R)\nabla f(R) = -\nabla' f(R)。

1.4 矢量场的通量与散度 ​

矢量线 ​

  • 矢量线:曲线上每一点的切线方向代表该点矢量场的方向。
  • 矢量线方程:

dxFx=dyFy=dzFz\frac{dx}{F_x} = \frac{dy}{F_y} = \frac{dz}{F_z}

通量 ​

定义:矢量 F\mathbf{F} 在某一有向曲面 SS 上的面积分:

Ψ=∫SF⋅dS=∫SF⋅en dS(开曲面)\Psi = \int_S \mathbf{F}\cdot d\mathbf{S} = \int_S \mathbf{F}\cdot\mathbf{e}_n\,dS\qquad(\text{开曲面})

Ψ=∮SF⋅dS=∮SF⋅en dS(闭合曲面)\Psi = \oint_S \mathbf{F}\cdot d\mathbf{S} = \oint_S \mathbf{F}\cdot\mathbf{e}_n\,dS\qquad(\text{闭合曲面})

  • dS=en dSd\mathbf{S} = \mathbf{e}_n\,dS:有向面积元;en\mathbf{e}_n:面元法向单位矢量(闭合面取外法向)。
  • 物理意义(闭合面):Ψ>0\Psi>0 穿出的矢量多于穿入,内有正源(Ψ>0\Psi>0 正源 > 负源);Ψ<0\Psi<0 正源 < 负源;Ψ=0\Psi=0 正负源相当(无净通量源)。

散度 ​

研究目的:确定场域内每一点的通量源特性(源的分布)。

定义(闭合面 SS 向该点无限收缩):

div⁡F=lim⁡ΔV→0∮SF⋅dSΔV\operatorname{div}\mathbf{F} = \lim_{\Delta V\to 0}\frac{\oint_S \mathbf{F}\cdot d\mathbf{S}}{\Delta V}

  • 即"单位体积发出的通量";散度是标量。

直角坐标系表达式的推导:取以点 M(x,y,z)M(x,y,z) 为中心、边长 Δx,Δy,Δz\Delta x,\Delta y,\Delta z 的小长方体。沿 xx 方向一对面的净流出通量为 [∂Fx∂x+O(Δx)]Δy Δz\left[\frac{\partial F_x}{\partial x}+O(\Delta x)\right]\Delta y\,\Delta z,同理 yy、zz 方向为 [∂Fy∂y]Δx Δz\left[\frac{\partial F_y}{\partial y}\right]\Delta x\,\Delta z、[∂Fz∂z]Δx Δy\left[\frac{\partial F_z}{\partial z}\right]\Delta x\,\Delta y。总通量只保留一阶项:

∮SF⋅dS≈(∂Fx∂x+∂Fy∂y+∂Fz∂z)ΔxΔyΔz\oint_S\mathbf{F}\cdot d\mathbf{S} \approx \left(\frac{\partial F_x}{\partial x}+\frac{\partial F_y}{\partial y}+\frac{\partial F_z}{\partial z}\right)\Delta x\Delta y\Delta z

除以 ΔV=ΔxΔyΔz\Delta V=\Delta x\Delta y\Delta z 并取极限:

散度的直角坐标系表达式(⭐重要):

∇⋅F=∂Fx∂x+∂Fy∂y+∂Fz∂z\nabla\cdot\mathbf{F} = \frac{\partial F_x}{\partial x} + \frac{\partial F_y}{\partial y} + \frac{\partial F_z}{\partial z}

散度定理(高斯定理)(⭐重要):

∫V∇⋅F dV=∮SF⋅dS\int_V \nabla\cdot\mathbf{F}\,dV = \oint_S \mathbf{F}\cdot d\mathbf{S}

  • VV:闭合面 SS 所围体积;把"体积分↔闭合面通量"互相转化;条件:F\mathbf{F} 在 VV 内一阶偏导连续。

1.5 矢量场的环量与旋度 ​

环流(环量) ​

定义:矢量场 F\mathbf{F} 沿场中一条闭合路径 CC 的线积分:

Γ=∮CF⋅dl\Gamma = \oint_C \mathbf{F}\cdot d\mathbf{l}

  • 物理意义:描述矢量场的旋涡特性;Γ>0\Gamma>0 该区域有与回路同向的漩涡,Γ<0\Gamma<0 有反向漩涡,Γ=0\Gamma=0 无漩涡。
  • 局限:环量代表闭合曲线包围的总源强度,不能显示源的分布 → 需要引入旋度。

旋度 ​

定义:旋度是一个矢量,方向为使 F\mathbf{F} 具有最大环量强度的方向,大小等于该方向的最大环量强度(单位面积环量):

rot⁡F=en[lim⁡ΔS→0∮CF⋅dlΔS]max⁡\operatorname{rot}\mathbf{F} = \mathbf{e}_n\left[\lim_{\Delta S\to 0}\frac{\oint_C \mathbf{F}\cdot d\mathbf{l}}{\Delta S}\right]_{\max}

  • en\mathbf{e}_n:最大环量强度方向的单位矢量;ΔS\Delta S:闭合曲线 CC 包围的面积。
  • 旋度大小 = 包围单位面积的闭合曲线上的最大环量;数值越大,矢量旋转越快;方向符合右手螺旋定则。
  • 运算对象是矢量,结果是矢量。

旋度的直角坐标系表达式(⭐重要)(行列式记忆):

∇×F=∣exeyez∂∂x∂∂y∂∂zFxFyFz∣=ex(∂Fz∂y−∂Fy∂z)+ey(∂Fx∂z−∂Fz∂x)+ez(∂Fy∂x−∂Fx∂y)\nabla\times\mathbf{F} = \begin{vmatrix} \mathbf{e}_x & \mathbf{e}_y & \mathbf{e}_z \\[2pt] \dfrac{\partial}{\partial x} & \dfrac{\partial}{\partial y} & \dfrac{\partial}{\partial z} \\[4pt] F_x & F_y & F_z \end{vmatrix} = \mathbf{e}_x\left(\frac{\partial F_z}{\partial y}-\frac{\partial F_y}{\partial z}\right) + \mathbf{e}_y\left(\frac{\partial F_x}{\partial z}-\frac{\partial F_z}{\partial x}\right) + \mathbf{e}_z\left(\frac{\partial F_y}{\partial x}-\frac{\partial F_x}{\partial y}\right)

斯托克斯定理(旋度定理)(⭐重要):

∫S(∇×F)⋅dS=∮CF⋅dl\int_S (\nabla\times\mathbf{F})\cdot d\mathbf{S} = \oint_C \mathbf{F}\cdot d\mathbf{l}

  • SS:以闭合曲线 CC 为周界的任意曲面;CC 的绕向与 en\mathbf{e}_n 满足右手螺旋关系;把"面积分↔闭合回路环量"互相转化。

1.6 无旋场与无散场 ​

定义:

  • 旋度处处为零的矢量场称为无旋场:∇×F≡0\nabla\times\mathbf{F}\equiv 0。
  • 散度处处为零的矢量场称为无散场:∇⋅F≡0\nabla\cdot\mathbf{F}\equiv 0。

两条重要恒等式(⭐重要):

① 梯度无旋:任一标量场 uu 的梯度的旋度一定等于零。

∇×(∇u)≡0\nabla\times(\nabla u) \equiv 0

证明(直角坐标系按行列式展开):

∇×(∇u)=∣exeyez∂∂x∂∂y∂∂z∂u∂x∂u∂y∂u∂z∣=ex(∂2u∂y ∂z−∂2u∂z ∂y)+ey(∂2u∂z ∂x−∂2u∂x ∂z)+ez(∂2u∂x ∂y−∂2u∂y ∂x)=0\nabla\times(\nabla u) = \begin{vmatrix} \mathbf{e}_x & \mathbf{e}_y & \mathbf{e}_z \\ \dfrac{\partial}{\partial x} & \dfrac{\partial}{\partial y} & \dfrac{\partial}{\partial z} \\[4pt] \dfrac{\partial u}{\partial x} & \dfrac{\partial u}{\partial y} & \dfrac{\partial u}{\partial z} \end{vmatrix} = \mathbf{e}_x\left(\frac{\partial^2u}{\partial y\,\partial z}-\frac{\partial^2u}{\partial z\,\partial y}\right) + \mathbf{e}_y\left(\frac{\partial^2u}{\partial z\,\partial x}-\frac{\partial^2u}{\partial x\,\partial z}\right) + \mathbf{e}_z\left(\frac{\partial^2u}{\partial x\,\partial y}-\frac{\partial^2u}{\partial y\,\partial x}\right) = 0

(二阶混合偏导数与求导次序无关,各项相消。)证毕。

② 旋度无散:任一矢量场 A\mathbf{A} 的旋度的散度一定等于零。

∇⋅(∇×A)≡0\nabla\cdot(\nabla\times\mathbf{A}) \equiv 0

证明:

∇⋅(∇×A)=∂∂x(∂Az∂y−∂Ay∂z)+∂∂y(∂Ax∂z−∂Az∂x)+∂∂z(∂Ay∂x−∂Ax∂y)\nabla\cdot(\nabla\times\mathbf{A}) = \frac{\partial}{\partial x}\left(\frac{\partial A_z}{\partial y}-\frac{\partial A_y}{\partial z}\right) + \frac{\partial}{\partial y}\left(\frac{\partial A_x}{\partial z}-\frac{\partial A_z}{\partial x}\right) + \frac{\partial}{\partial z}\left(\frac{\partial A_y}{\partial x}-\frac{\partial A_x}{\partial y}\right)

=(∂2Az∂x∂y−∂2Az∂y∂x)+(∂2Ay∂z∂x−∂2Ay∂x∂z)+(∂2Ax∂y∂z−∂2Ax∂z∂y)=0= \left(\frac{\partial^2A_z}{\partial x\partial y}-\frac{\partial^2A_z}{\partial y\partial x}\right) + \left(\frac{\partial^2A_y}{\partial z\partial x}-\frac{\partial^2A_y}{\partial x\partial z}\right) + \left(\frac{\partial^2A_x}{\partial y\partial z}-\frac{\partial^2A_x}{\partial z\partial y}\right) = 0

证毕。

位函数(两条逆命题的应用):

  • 无旋场 F\mathbf{F}(∇×F=0\nabla\times\mathbf{F}=0)可表示为某个标量场 uu 的梯度:F=−∇u\mathbf{F} = -\nabla u,uu 称为无旋场 F\mathbf{F} 的标量位函数。
  • 无散场 F\mathbf{F}(∇⋅F=0\nabla\cdot\mathbf{F}=0)可表示为某个矢量场 A\mathbf{A} 的旋度:F=∇×A\mathbf{F} = \nabla\times\mathbf{A},A\mathbf{A} 称为无散场 F\mathbf{F} 的矢量位函数。

1.7 拉普拉斯运算与格林定理 ​

拉普拉斯运算 ​

"先取梯度,再取散度"(标量场 uu):

∇2u≡∇⋅(∇u)\nabla^2 u \equiv \nabla\cdot(\nabla u)

  • ∇2\nabla^2:拉普拉斯算符;结果为标量。

三种坐标系表达式:

∇2u=∂2u∂x2+∂2u∂y2+∂2u∂z2(直角坐标系)\nabla^2 u = \frac{\partial^2u}{\partial x^2} + \frac{\partial^2u}{\partial y^2} + \frac{\partial^2u}{\partial z^2}\qquad(\text{直角坐标系})

∇2u=1ρ∂∂ρ(ρ∂u∂ρ)+1ρ2∂2u∂φ2+∂2u∂z2(圆柱坐标系)\nabla^2 u = \frac{1}{\rho}\frac{\partial}{\partial\rho}\left(\rho\frac{\partial u}{\partial\rho}\right) + \frac{1}{\rho^2}\frac{\partial^2u}{\partial\varphi^2} + \frac{\partial^2u}{\partial z^2}\qquad(\text{圆柱坐标系})

∇2u=1r2∂∂r(r2∂u∂r)+1r2sin⁡θ∂∂θ(sin⁡θ∂u∂θ)+1r2sin⁡2θ∂2u∂φ2(球坐标系)\nabla^2 u = \frac{1}{r^2}\frac{\partial}{\partial r}\left(r^2\frac{\partial u}{\partial r}\right) + \frac{1}{r^2\sin\theta}\frac{\partial}{\partial\theta}\left(\sin\theta\frac{\partial u}{\partial\theta}\right) + \frac{1}{r^2\sin^2\theta}\frac{\partial^2u}{\partial\varphi^2}\qquad(\text{球坐标系})

"先取散度,再取梯度":∇(∇⋅F)\nabla(\nabla\cdot\mathbf{F});"先取旋度,再取旋度":∇×(∇×F)\nabla\times(\nabla\times\mathbf{F})。

重要恒等式(课件用"(散度再梯度)−(旋度再旋度)"逐分量推导):

矢量恒等式(⭐重要):

∇×∇×F=∇(∇⋅F)−∇2F\nabla\times\nabla\times\mathbf{F} = \nabla(\nabla\cdot\mathbf{F}) - \nabla^2\mathbf{F}

推导思路(以 xx 分量为例):记 B=∇×F\mathbf{B} = \nabla\times\mathbf{F},则

[∇×(∇×F)]x=∂Bz∂y−∂By∂z=∂∂y(∂Fy∂x−∂Fx∂y)−∂∂z(∂Fx∂z−∂Fz∂x)=∂∂x(∂Fx∂x+∂Fy∂y+∂Fz∂z)−(∂2Fx∂x2+∂2Fx∂y2+∂2Fx∂z2)\left[\nabla\times(\nabla\times\mathbf{F})\right]_x = \frac{\partial B_z}{\partial y}-\frac{\partial B_y}{\partial z} = \frac{\partial}{\partial y}\left(\frac{\partial F_y}{\partial x}-\frac{\partial F_x}{\partial y}\right) - \frac{\partial}{\partial z}\left(\frac{\partial F_x}{\partial z}-\frac{\partial F_z}{\partial x}\right) = \frac{\partial}{\partial x}\left(\frac{\partial F_x}{\partial x}+\frac{\partial F_y}{\partial y}+\frac{\partial F_z}{\partial z}\right) - \left(\frac{\partial^2F_x}{\partial x^2}+\frac{\partial^2F_x}{\partial y^2}+\frac{\partial^2F_x}{\partial z^2}\right)

即 [∇×∇×F]x=[∇(∇⋅F)]x−∇2Fx\left[\nabla\times\nabla\times\mathbf{F}\right]_x = \left[\nabla(\nabla\cdot\mathbf{F})\right]_x - \nabla^2F_x;yy、zz 分量同理,三式相加即得矢量恒等式。证毕。

  • 矢量拉普拉斯运算(直角系按分量进行):∇2F=ex∇2Fx+ey∇2Fy+ez∇2Fz\nabla^2\mathbf{F} = \mathbf{e}_x\nabla^2F_x + \mathbf{e}_y\nabla^2F_y + \mathbf{e}_z\nabla^2F_z,结果仍是矢量。
  • (补充)"先取散度再取梯度" ∇(∇⋅F)\nabla(\nabla\cdot\mathbf{F}) 没有类似简化,三者是不同的运算。

格林定理(格林恒等式) ​

已知散度定理 ∫V∇⋅F dV=∮SF⋅en dS\displaystyle\int_V\nabla\cdot\mathbf{F}\,dV = \oint_S\mathbf{F}\cdot\mathbf{e}_n\,dS。

推导:令 F=ψ∇φ\mathbf{F} = \psi\nabla\varphi(φ,ψ\varphi,\psi 为两个标量函数),利用乘积求导:

∇⋅(ψ∇φ)=ψ∇2φ+∇ψ⋅∇φ\nabla\cdot(\psi\nabla\varphi) = \psi\nabla^2\varphi + \nabla\psi\cdot\nabla\varphi

F⋅en=ψ∇φ⋅en=ψ∂φ∂n\mathbf{F}\cdot\mathbf{e}_n = \psi\nabla\varphi\cdot\mathbf{e}_n = \psi\frac{\partial\varphi}{\partial n}

代入散度定理,得格林第一恒等式:

∫V(ψ∇2φ+∇ψ⋅∇φ)dV=∮Sψ∂φ∂n dS\int_V\left(\psi\nabla^2\varphi + \nabla\psi\cdot\nabla\varphi\right)dV = \oint_S \psi\frac{\partial\varphi}{\partial n}\,dS

把上式中 φ\varphi、ψ\psi 互换得另一式,两式相减,得格林第二恒等式:

∫V(φ∇2ψ−ψ∇2φ)dV=∮S(φ∂ψ∂n−ψ∂φ∂n)dS\int_V\left(\varphi\nabla^2\psi - \psi\nabla^2\varphi\right)dV = \oint_S\left(\varphi\frac{\partial\psi}{\partial n} - \psi\frac{\partial\varphi}{\partial n}\right)dS

  • ∂∂n=en⋅∇\dfrac{\partial}{\partial n} = \mathbf{e}_n\cdot\nabla:沿闭合面外法线方向的方向导数;条件:φ,ψ\varphi,\psi 在 V+SV+S 上二阶偏导连续。

1.8 亥姆霍兹定理 ​

定理:在有限区域 VV 内,任一矢量场由其散度、旋度和边界条件(限定区域的闭合面 SS 上的矢量场分布)唯一确定:

F(r)=−∇u(r)+∇×A(r)\mathbf{F}(\mathbf{r}) = -\nabla u(\mathbf{r}) + \nabla\times\mathbf{A}(\mathbf{r})

其中(R=∣r−r′∣R = |\mathbf{r}-\mathbf{r}'|,积分遍及源区域):

u(r)=14π∫V∇′⋅F(r′)R dV′−14π∮Sen⋅F(r′)R dS′u(\mathbf{r}) = \frac{1}{4\pi}\int_V\frac{\nabla'\cdot\mathbf{F}(\mathbf{r}')}{R}\,dV' - \frac{1}{4\pi}\oint_S\frac{\mathbf{e}_n\cdot\mathbf{F}(\mathbf{r}')}{R}\,dS'

A(r)=14π∫V∇′×F(r′)R dV′−14π∮Sen×F(r′)R dS′(待核对:此处课件显示为减号,多数教材中该项为加号)\mathbf{A}(\mathbf{r}) = \frac{1}{4\pi}\int_V\frac{\nabla'\times\mathbf{F}(\mathbf{r}')}{R}\,dV' - \frac{1}{4\pi}\oint_S\frac{\mathbf{e}_n\times\mathbf{F}(\mathbf{r}')}{R}\,dS'\quad(\text{待核对:此处课件显示为减号,多数教材中该项为加号})

  • ∇′\nabla':对源点坐标 r′\mathbf{r}' 求导;en\mathbf{e}_n:边界面 SS 外法向单位矢量。
  • 意义(4 条):
    1. 矢量场 F\mathbf{F} 可表示为一个标量函数的梯度与一个矢量函数的旋度之和;标量函数由 F\mathbf{F} 的散度和 F\mathbf{F} 在边界 SS 上的法向分量完全确定;矢量函数由 F\mathbf{F} 的旋度和 F\mathbf{F} 在边界 SS 上的切向分量完全确定。
    2. 由梯度无旋、旋度无散,矢量场可进一步表示为一个无旋场与一个无散场之和:F=Fl+FC\mathbf{F} = \mathbf{F}_l + \mathbf{F}_C,其中 ∇×Fl=0\nabla\times\mathbf{F}_l = 0、∇⋅FC=0\nabla\cdot\mathbf{F}_C = 0。
    3. 若区域内 F\mathbf{F} 的散度和旋度处处为 0,则 F\mathbf{F} 由边界面 SS 上的场分布完全确定。
    4. 对无界空间,当 F∝1r1+δ\mathbf{F}\propto\dfrac{1}{r^{1+\delta}}(δ>0\delta>0)时,F\mathbf{F} 由其散度和旋度完全确定。

第1章 易错点与常考题型 ​

易错点:

  1. 圆柱系 drd\mathbf{r} 中 φ\varphi 项是 ρ dφ\rho\,d\varphi;球系 θ\theta 项是 r dθr\,d\theta、φ\varphi 项是 rsin⁡θ dφr\sin\theta\,d\varphi;dVdV 别忘因子 ρ\rho(圆柱)或 r2sin⁡θr^2\sin\theta(球)。
  2. 圆柱系 eρ,eφ\mathbf{e}_\rho,\mathbf{e}_\varphi 是 φ\varphi 的函数,球系三个单位矢量都是 θ,φ\theta,\varphi 的函数——求导、积分时不能当常数;直角系单位矢量才是常矢量。
  3. 叉乘反对称:A×B=−B×A\mathbf{A}\times\mathbf{B} = -\mathbf{B}\times\mathbf{A};矢量三重积括号位置不同结果不同(A×(B×C)≠(A×B)×C\mathbf{A}\times(\mathbf{B}\times\mathbf{C})\neq(\mathbf{A}\times\mathbf{B})\times\mathbf{C})。
  4. 梯度、旋度是矢量,散度、拉普拉斯 ∇2u\nabla^2u 是标量,不要混淆;∇\nabla 兼具矢量性与微分性(作用于乘积时两个因子都会被求导)。
  5. 高斯定理联系"体积分 ↔ 闭合面通量",斯托克斯定理联系"面积分 ↔ 闭合回路环量",注意必须是闭合面/闭合回路,且方向(外法向、右手螺旋)配套。
  6. 无旋场才能引入标量位,且 F=−∇u\mathbf{F}=-\nabla u 带负号;无散场才能引入矢量位 F=∇×A\mathbf{F}=\nabla\times\mathbf{A}。
  7. 由 φ=arctan⁡(y/x)\varphi=\arctan(y/x) 定角时须判断象限。

常考题型:

  1. 给定 2–3 个矢量的分量,求单位矢量、模、点乘、叉乘、夹角、三重积(课件习题 1.1 型)。
  2. 三种坐标系间的坐标与单位矢量互换、微分元(dr,dS,dVd\mathbf{r},dS,dV)的写出。
  3. 求 ∇u\nabla u、∇⋅F\nabla\cdot\mathbf{F}、∇×F\nabla\times\mathbf{F}、∇2u\nabla^2u(三种坐标系),特别是 R=∣r−r′∣R=|\mathbf{r}-\mathbf{r}'| 型函数:∇R=RR\nabla R=\dfrac{\mathbf{R}}{R}、∇1R=−RR3\nabla\dfrac{1}{R}=-\dfrac{\mathbf{R}}{R^3}(课件例 1.3.1)。
  4. 利用散度定理 / 斯托克斯定理化简或计算积分。
  5. 判断场无旋 / 无散,并写出对应位函数;证明 ∇×(∇u)=0\nabla\times(\nabla u)=0、∇⋅(∇×A)=0\nabla\cdot(\nabla\times\mathbf{A})=0。
  6. 用恒等式 ∇×∇×F=∇(∇⋅F)−∇2F\nabla\times\nabla\times\mathbf{F} = \nabla(\nabla\cdot\mathbf{F})-\nabla^2\mathbf{F} 与格林恒等式做证明题。
  7. 亥姆霍兹定理的表述:散度 + 旋度 + 边界条件唯一确定矢量场。

第2章 电磁场的基本规律 ​

(本章主线:从三大实验定律、两个假设,到麦克斯韦方程组。)

2.1 电荷守恒定律 ​

一、电荷与电荷密度 ​

  • 自然界存在正、负两种电荷;带电体电荷量 qq,单位库仑(C)。
  • 最小带电粒子(质子、电子)的电荷量为基本电荷量 ±e\pm e;任何带电体的电荷量都是基本电荷量的整数倍(电荷量子化)。
  • 宏观上大量带电粒子密集分布时,可视为连续分布,用电荷密度描述。
  • 记号约定(贯穿全章):V′V'、r′\mathbf{r}' 代表源空间和源点位置矢量;VV、r\mathbf{r} 代表场空间和场点位置矢量。

① 电荷体密度(电荷连续分布于体积 V′V' 内):

ρ(r′)=lim⁡ΔV′→0ΔqΔV′=dqdV′\rho(\mathbf{r}') = \lim_{\Delta V'\to 0}\frac{\Delta q}{\Delta V'} = \frac{dq}{dV'}

q=∫V′ρ(r′) dV′q = \int_{V'}\rho(\mathbf{r}')\,dV'

  • 单位:C/m3\mathrm{C/m^3}。

② 电荷面密度(电荷连续分布于曲面 S′S' 上):

ρS(r′)=lim⁡ΔS′→0ΔqΔS′=dqdS′\rho_S(\mathbf{r}') = \lim_{\Delta S'\to 0}\frac{\Delta q}{\Delta S'} = \frac{dq}{dS'}

q=∫S′ρS(r′) dS′q = \int_{S'}\rho_S(\mathbf{r}')\,dS'

  • 单位:C/m2\mathrm{C/m^2}。

③ 电荷线密度(电荷连续分布于细线 l′l' 上):

ρl(r′)=lim⁡Δl′→0ΔqΔl′=dqdl′\rho_l(\mathbf{r}') = \lim_{\Delta l'\to 0}\frac{\Delta q}{\Delta l'} = \frac{dq}{dl'}

q=∫l′ρl(r′) dl′q = \int_{l'}\rho_l(\mathbf{r}')\,dl'

  • 单位:C/m\mathrm{C/m}。

④ 点电荷与 δ\delta 函数:体积可忽略的带电体视为点电荷。位于坐标原点、电荷量为 qq 的点电荷,其密度用 δ\delta 函数表示:

ρ(r)=q δ(r)\rho(\mathbf{r}) = q\,\delta(\mathbf{r})

δ(r)\delta(\mathbf{r}) 的定义性质:

δ(r)={0,r≠0∞,r=0\delta(\mathbf{r}) = \begin{cases} 0, & \mathbf{r}\neq 0 \\ \infty, & \mathbf{r}=0 \end{cases}

∫Vδ(r) dV={1,积分区域包含 r=00,积分区域不包含 r=0\int_V\delta(\mathbf{r})\,dV = \begin{cases} 1, & \text{积分区域包含}\ \mathbf{r}=0 \\ 0, & \text{积分区域不包含}\ \mathbf{r}=0 \end{cases}

位于 r′\mathbf{r}' 处的点电荷:

ρ(r)=q δ(r−r′)\rho(\mathbf{r}) = q\,\delta(\mathbf{r}-\mathbf{r}')

δ(r−r′)\delta(\mathbf{r}-\mathbf{r}') 除在 r=r′\mathbf{r}=\mathbf{r}' 处为 ∞\infty 外处处为 0,且 ∫Vδ(r−r′) dV=1\displaystyle\int_V\delta(\mathbf{r}-\mathbf{r}')\,dV = 1(区域包含 r′\mathbf{r}')或 00(不包含)。

二、电流与电流密度 ​

电流强度(简称电流):i=dqdti = \dfrac{dq}{dt},单位安培(A)。

① 体电流密度 J\mathbf{J}(体电流:电荷在某体积内定向移动形成):

J=lim⁡ΔS→0ΔiΔS en\mathbf{J} = \lim_{\Delta S\to 0}\frac{\Delta i}{\Delta S}\,\mathbf{e}_n

i=∫SJ⋅dSi = \int_S\mathbf{J}\cdot d\mathbf{S}

  • 方向:正电荷移动方向;大小:垂直于正电荷移动方向上单位面积内通过的电流。
  • 单位:A/m2\mathrm{A/m^2};ii = 通过任意截面 SS 的电流。

② 面电流密度 JS\mathbf{J}_S(面电流:电荷在厚度可忽略的薄层内定向移动形成):

JS=lim⁡Δl→0ΔiΔl en\mathbf{J}_S = \lim_{\Delta l\to 0}\frac{\Delta i}{\Delta l}\,\mathbf{e}_n

i=∫lJS⋅(en×dl)i = \int_l \mathbf{J}_S\cdot(\mathbf{e}_n\times d\mathbf{l})

  • 大小:垂直于正电荷移动方向上单位长度内通过的电流;单位:A/m\mathrm{A/m}(注意不是 A/m2\mathrm{A/m^2})。

③ 线电流与电流元:电流集中在横截面积可忽略的细线轴线上流动;长度无限小的电流元记为 I dlI\,d\mathbf{l}。

三、电荷守恒定律与电流连续性方程 ​

电荷守恒定律:单位时间内从闭合面 SS 内流出的电荷量 = 闭合面 SS 包围的体积 VV 内的电荷减少量。

积分形式:

∮SJ⋅dS=−dqdt=−∫V∂ρ∂t dV\oint_S\mathbf{J}\cdot d\mathbf{S} = -\frac{dq}{dt} = -\int_V\frac{\partial\rho}{\partial t}\,dV

微分形式(电流连续性方程):

∇⋅J+∂ρ∂t=0\nabla\cdot\mathbf{J} + \frac{\partial\rho}{\partial t} = 0

推导:由电荷守恒定律 ∮SJ⋅dS=−dqdt\oint_S\mathbf{J}\cdot d\mathbf{S} = -\dfrac{dq}{dt};假设 VV 不随时间变化,则 dqdt=ddt∫Vρ dV=∫V∂ρ∂t dV\dfrac{dq}{dt} = \dfrac{d}{dt}\displaystyle\int_V\rho\,dV = \int_V\frac{\partial\rho}{\partial t}\,dV;再对左边用散度定理 ∮SJ⋅dS=∫V∇⋅J dV\oint_S\mathbf{J}\cdot d\mathbf{S} = \int_V\nabla\cdot\mathbf{J}\,dV,于是

∫V∇⋅J dV=−∫V∂ρ∂t dV    ⟹    ∫V(∇⋅J+∂ρ∂t)dV=0\int_V\nabla\cdot\mathbf{J}\,dV = -\int_V\frac{\partial\rho}{\partial t}\,dV \;\;\Longrightarrow\;\; \int_V\left(\nabla\cdot\mathbf{J}+\frac{\partial\rho}{\partial t}\right)dV = 0

由 VV 的任意性得微分形式。证毕。

2.2 真空中静电场的基本规律 ​

一、库仑定律 ​

表述:真空中两个静止点电荷之间的相互作用力,与电荷量乘积成正比、与距离二次方成反比,方向沿连线,同性相斥、异性相吸。

F12=q1q24πε0R2 eR12=q1q24πε0R3 R\mathbf{F}_{12} = \frac{q_1 q_2}{4\pi\varepsilon_0 R^2}\,\mathbf{e}_{R_{12}} = \frac{q_1 q_2}{4\pi\varepsilon_0 R^3}\,\mathbf{R}

  • F12\mathbf{F}_{12}:q1q_1 对 q2q_2 的作用力(N);R=r2−r1\mathbf{R} = \mathbf{r}_2-\mathbf{r}_1:由 q1q_1 指向 q2q_2 的距离矢量,R=∣R∣R = |\mathbf{R}|,eR12=R/R\mathbf{e}_{R_{12}} = \mathbf{R}/R。
  • ε0\varepsilon_0:真空中的介电常数(单位 F/m;(补充)ε0≈136π×10−9 F/m≈8.85×10−12 F/m\varepsilon_0 \approx \dfrac{1}{36\pi}\times10^{-9}\ \mathrm{F/m} \approx 8.85\times10^{-12}\ \mathrm{F/m})。
  • 适用条件:真空、点电荷、静止。

静电力的叠加原理:NN 个点电荷 q1,…,qNq_1,\dots,q_N(位于 r1′,…,rN′\mathbf{r}'_1,\dots,\mathbf{r}'_N)对位于 r\mathbf{r} 处电荷 qq 的作用力等于各点电荷单独作用力之和:

F=∑i=1Nq qi4πε0⋅r−ri′∣r−ri′∣3\mathbf{F} = \sum_{i=1}^{N}\frac{q\,q_i}{4\pi\varepsilon_0}\cdot\frac{\mathbf{r}-\mathbf{r}'_i}{|\mathbf{r}-\mathbf{r}'_i|^3}

二、电场强度 ​

定义:单位正试验电荷在场点所受的力(试验电荷 q0→0q_0\to 0,以免影响源电荷分布):

E(r)=lim⁡q0→0F(r)q0\mathbf{E}(\mathbf{r}) = \lim_{q_0\to 0}\frac{\mathbf{F}(\mathbf{r})}{q_0}

  • 单位:V/m(伏/米,等价 N/C);大小 = 单位正电荷在该点所受电场力的大小,方向与正电荷受力方向一致。

点电荷的电场(qq 位于 r′\mathbf{r}'):

E(r)=q4πε0⋅r−r′∣r−r′∣3\mathbf{E}(\mathbf{r}) = \frac{q}{4\pi\varepsilon_0}\cdot\frac{\mathbf{r}-\mathbf{r}'}{|\mathbf{r}-\mathbf{r}'|^3}

NN 个点电荷(叠加原理):

E(r)=14πε0∑i=1Nqi r−ri′∣r−ri′∣3\mathbf{E}(\mathbf{r}) = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\sum_{i=1}^{N}q_i\,\frac{\mathbf{r}-\mathbf{r}'_i}{|\mathbf{r}-\mathbf{r}'_i|^3}

连续分布电荷(记 R=r−r′\mathbf{R} = \mathbf{r}-\mathbf{r}')。

体分布:

E(r)=14πε0∫V′ρ(r′) RR3 dV′\mathbf{E}(\mathbf{r}) = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\int_{V'}\rho(\mathbf{r}')\,\frac{\mathbf{R}}{R^3}\,dV'

面分布:

E(r)=14πε0∫S′ρS(r′) RR3 dS′\mathbf{E}(\mathbf{r}) = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\int_{S'}\rho_S(\mathbf{r}')\,\frac{\mathbf{R}}{R^3}\,dS'

线分布:

E(r)=14πε0∫l′ρl(r′) RR3 dl′\mathbf{E}(\mathbf{r}) = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\int_{l'}\rho_l(\mathbf{r}')\,\frac{\mathbf{R}}{R^3}\,dl'

  • 积分变量是带撇的源点坐标,积分区域是源区;R\mathbf{R} 由源点指向场点。

三、静电场的基本方程(散度与旋度) ​

微分形式:

高斯定理(微分形式)(⭐重要):

∇⋅E=ρε0\nabla\cdot\mathbf{E} = \frac{\rho}{\varepsilon_0}

静电场无旋性(微分形式)(⭐重要):

∇×E=0\nabla\times\mathbf{E} = 0

积分形式:

高斯定理(积分形式)(⭐重要):

∮SE⋅dS=1ε0∫Vρ dV\oint_S\mathbf{E}\cdot d\mathbf{S} = \frac{1}{\varepsilon_0}\int_V\rho\,dV

静电场的环路定理(⭐重要):

∮CE⋅dl=0\oint_C\mathbf{E}\cdot d\mathbf{l} = 0

  • 物理意义:① 空间任一点电场强度的散度与该处电荷密度有关——静电荷是静电场的通量源(高斯定理:穿出闭合面的电通量 = 面内总电荷/ε0\varepsilon_0);② 静电场是无旋场(环路定理:单位正电荷沿静电场中任一闭合路径移动一周,电场力不做功)。

推导一(散度):由体分布电场及 ∇1R=−RR3\nabla\dfrac{1}{R} = -\dfrac{\mathbf{R}}{R^3}(例 1.3.1 结论),

E(r)=14πε0∫V′ρ(r′)RR3dV′=−14πε0∫V′ρ(r′)∇1R dV′\mathbf{E}(\mathbf{r}) = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\int_{V'}\rho(\mathbf{r}')\frac{\mathbf{R}}{R^3}dV' = -\frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\int_{V'}\rho(\mathbf{r}')\nabla\frac{1}{R}\,dV'

(∇\nabla 只对场点 r\mathbf{r} 求导,可移入积分号内。)两边取散度:

∇⋅E=−14πε0∫V′ρ(r′)∇21R dV′=1ε0∫V′ρ(r′)δ(r−r′) dV′\nabla\cdot\mathbf{E} = -\frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\int_{V'}\rho(\mathbf{r}')\nabla^2\frac{1}{R}\,dV' = \frac{1}{\varepsilon_0}\int_{V'}\rho(\mathbf{r}')\delta(\mathbf{r}-\mathbf{r}')\,dV'

(利用 ∇21R=−4πδ(r−r′)\nabla^2\dfrac{1}{R} = -4\pi\delta(\mathbf{r}-\mathbf{r}')。)由 δ\delta 函数挑选性质:

∇⋅E={ρ(r)ε0,r 在源区 V′ 内0,r 在源区外\nabla\cdot\mathbf{E} = \begin{cases} \dfrac{\rho(\mathbf{r})}{\varepsilon_0}, & \mathbf{r}\ \text{在源区}\ V'\ \text{内} \\[6pt] 0, & \mathbf{r}\ \text{在源区外} \end{cases}

推导二(高斯定理积分形式):对 ∇⋅E=ρ/ε0\nabla\cdot\mathbf{E} = \rho/\varepsilon_0 两边取体积分,并用散度定理:

∫V∇⋅E dV=1ε0∫Vρ dV  ⟹  ∮SE⋅dS=1ε0∫Vρ dV\int_V\nabla\cdot\mathbf{E}\,dV = \frac{1}{\varepsilon_0}\int_V\rho\,dV \;\Longrightarrow\; \oint_S\mathbf{E}\cdot d\mathbf{S} = \frac{1}{\varepsilon_0}\int_V\rho\,dV

推导三(旋度与环路定理):由推导一,E=−∇[14πε0∫V′ρ(r′)RdV′]\mathbf{E} = -\nabla\left[\dfrac{1}{4\pi\varepsilon_0}\displaystyle\int_{V'}\dfrac{\rho(\mathbf{r}')}{R}dV'\right] 是一个标量函数的梯度,由梯度无旋:

∇×E=0\nabla\times\mathbf{E} = 0

两边对任一曲面 SS 作面积分并用斯托克斯定理:∫S(∇×E)⋅dS=∮CE⋅dl=0\displaystyle\int_S(\nabla\times\mathbf{E})\cdot d\mathbf{S} = \oint_C\mathbf{E}\cdot d\mathbf{l} = 0。证毕。

四、重要例题 ​

例 2.2.1 电偶极子的电场强度(±q\pm q 相距 dd,求远场):

设 +q+q 位于 r+′=d2ez\mathbf{r}'_+ = \dfrac{d}{2}\mathbf{e}_z、−q-q 位于 r−′=−d2ez\mathbf{r}'_- = -\dfrac{d}{2}\mathbf{e}_z,场点 r=r er\mathbf{r} = r\,\mathbf{e}_r。由叠加原理:

E=q4πε0[r−d2ez∣r−d2ez∣3−r+d2ez∣r+d2ez∣3]\mathbf{E} = \frac{q}{4\pi\varepsilon_0}\left[\frac{\mathbf{r}-\frac{d}{2}\mathbf{e}_z}{\left|\mathbf{r}-\frac{d}{2}\mathbf{e}_z\right|^3} - \frac{\mathbf{r}+\frac{d}{2}\mathbf{e}_z}{\left|\mathbf{r}+\frac{d}{2}\mathbf{e}_z\right|^3}\right]

分母二项式展开(r≫dr\gg d,忽略高阶小量,r⋅ez=rcos⁡θ\mathbf{r}\cdot\mathbf{e}_z = r\cos\theta):

∣r∓d2ez∣−3=(r2∓rdcos⁡θ+d24)−3/2≈1r3(1±3dcos⁡θ2r)\left|\mathbf{r}\mp\frac{d}{2}\mathbf{e}_z\right|^{-3} = \left(r^2\mp rd\cos\theta+\frac{d^2}{4}\right)^{-3/2} \approx \frac{1}{r^3}\left(1\pm\frac{3d\cos\theta}{2r}\right)

代回并化简:

E≈qd4πε0r3(3cos⁡θ er−ez)\mathbf{E} \approx \frac{qd}{4\pi\varepsilon_0 r^3}\left(3\cos\theta\,\mathbf{e}_r - \mathbf{e}_z\right)

引入电偶极矩 P=qd ez\mathbf{P} = qd\,\mathbf{e}_z(方向由 −q-q 指向 +q+q,单位(补充)C·m),且 Pcos⁡θ=P⋅erP\cos\theta = \mathbf{P}\cdot\mathbf{e}_r:

E≈14πε0r3[3(P⋅er)er−P]\mathbf{E} \approx \frac{1}{4\pi\varepsilon_0 r^3}\left[3(\mathbf{P}\cdot\mathbf{e}_r)\mathbf{e}_r - \mathbf{P}\right]

把 ez=cos⁡θ er−sin⁡θ eθ\mathbf{e}_z = \cos\theta\,\mathbf{e}_r - \sin\theta\,\mathbf{e}_\theta 代入,得球坐标分量式:

E=P4πε0r3(2cos⁡θ er+sin⁡θ eθ)\mathbf{E} = \frac{P}{4\pi\varepsilon_0 r^3}\left(2\cos\theta\,\mathbf{e}_r + \sin\theta\,\mathbf{e}_\theta\right)

  • 适用条件:远场 r≫dr\gg d;电偶极子场 ∝1/r3\propto 1/r^3(比点电荷的 1/r21/r^2 衰减更快)。

例 2.2.2 均匀带电环形薄圆盘(内半径 aa、外半径 bb、面密度 ρS\rho_S)轴线上任一点的电场:

场点取 r=z ez\mathbf{r} = z\,\mathbf{e}_z,源点在圆柱坐标 (ρ′,φ′)(\rho',\varphi') 处,R=zez−ρ′eρ′\mathbf{R} = z\mathbf{e}_z-\rho'\mathbf{e}_{\rho'},∣R∣=(ρ′2+z2)1/2|\mathbf{R}| = (\rho'^2+z^2)^{1/2}。由面分布公式:

E=ρS4πε0∫ab ⁣ ⁣∫02πz ez−ρ′ eρ′(ρ′2+z2)3/2 ρ′ dρ′ dφ′\mathbf{E} = \frac{\rho_S}{4\pi\varepsilon_0}\int_a^b\!\!\int_0^{2\pi}\frac{z\,\mathbf{e}_z-\rho'\,\mathbf{e}_{\rho'}}{(\rho'^2+z^2)^{3/2}}\,\rho'\,d\rho'\,d\varphi'

径向分量 eρ′\mathbf{e}_{\rho'} 随 φ′\varphi' 旋转,对 φ′\varphi' 积分为 0(对称性);zz 分量对 φ′\varphi' 积分得 2π2\pi:

E=ez ρSz2ε0∫abρ′ dρ′(ρ′2+z2)3/2=ez ρSz2ε0[1z2+a2−1z2+b2]\mathbf{E} = \mathbf{e}_z\,\frac{\rho_S z}{2\varepsilon_0}\int_a^b\frac{\rho'\,d\rho'}{(\rho'^2+z^2)^{3/2}} = \mathbf{e}_z\,\frac{\rho_S z}{2\varepsilon_0}\left[\frac{1}{\sqrt{z^2+a^2}} - \frac{1}{\sqrt{z^2+b^2}}\right]

  • 方向沿轴线;z→∞z\to\infty 时退化为点电荷场(总电荷 q=ρSπ(b2−a2)q = \rho_S\pi(b^2-a^2))。

例 2.2.3 由 E\mathbf{E} 反求电荷体密度(半径 aa 的球内 ρ(r)\rho(\mathbf{r}) 分布不均匀,已知):

E=er{r3+Ar2,r<aa5+Aa4r2,r>a\mathbf{E} = \mathbf{e}_r\begin{cases} r^3 + Ar^2, & r<a \\[4pt] \dfrac{a^5+Aa^4}{r^2}, & r>a\end{cases}

由散度方程 ∇⋅E=ρ/ε0\nabla\cdot\mathbf{E} = \rho/\varepsilon_0。E\mathbf{E} 只有 ErE_r 分量,用球坐标散度公式:

ρ(r)=ε0 1r2ddr(r2Er)\rho(\mathbf{r}) = \varepsilon_0\,\frac{1}{r^2}\frac{d}{dr}\left(r^2 E_r\right)

代入:r<ar<a 时 r2Er=r5+Ar4r^2E_r = r^5+Ar^4,ddr(r5+Ar4)=5r4+4Ar3\dfrac{d}{dr}(r^5+Ar^4) = 5r^4+4Ar^3,得 ρ=ε0(5r2+4Ar)\rho = \varepsilon_0(5r^2+4Ar);r>ar>a 时 r2Er=a5+Aa4r^2E_r = a^5+Aa^4 为常数,导数为 0,得 ρ=0\rho=0。

ρ(r)={ε0(5r2+4Ar),r<a0,r>a\rho(\mathbf{r}) = \begin{cases} \varepsilon_0\left(5r^2+4Ar\right), & r<a \\ 0, & r>a \end{cases}


2.3 真空中恒定磁场的基本规律 ​

一、安培力定律 ​

真空中两恒定电流回路 C1C_1、C2C_2 通电流 I1I_1、I2I_2,C1C_1 对 C2C_2 的作用力:

F12=μ04π∮C2∮C1I2 dl2×(I1 dl1×eR)R2\mathbf{F}_{12} = \frac{\mu_0}{4\pi}\oint_{C_2}\oint_{C_1}\frac{I_2\,d\mathbf{l}_2\times(I_1\,d\mathbf{l}_1\times\mathbf{e}_R)}{R^2}

其中 R=r2−r1\mathbf{R}=\mathbf{r}_2-\mathbf{r}_1,R=∣R∣R=|\mathbf{R}|,eR=R/R\mathbf{e}_R=\mathbf{R}/R;μ0=4π×10−7 H/m\mu_0=4\pi\times10^{-7}\ \mathrm{H/m} 真空磁导率。

二、磁感应强度 B\mathbf{B} ​

定义 B12\mathbf{B}_{12}:电流 I1I_1 在 I2 dl2I_2\,d\mathbf{l}_2 处产生的磁感应强度,使 F12=∮C2I2 dl2×B12\mathbf{F}_{12}=\oint_{C_2}I_2\,d\mathbf{l}_2\times\mathbf{B}_{12}。

毕奥–萨伐尔定律(电流元 I dl′I\,d\mathbf{l}' 在 r\mathbf{r} 处产生的磁感应强度):

毕奥–萨伐尔定律(⭐重要):

dB(r)=μ04πI dl′×(r−r′)∣r−r′∣3d\mathbf{B}(\mathbf{r}) = \frac{\mu_0}{4\pi}\frac{I\,d\mathbf{l}'\times(\mathbf{r}-\mathbf{r}')}{|\mathbf{r}-\mathbf{r}'|^3}

对线电流、体电流 J(r′) dV′\mathbf{J}(\mathbf{r}')\,dV'、面电流 JS(r′) dS′\mathbf{J}_S(\mathbf{r}')\,dS' 分别积分即得 B\mathbf{B}。单位:T\mathrm{T}(特斯拉)=Wb/m2=\mathrm{Wb/m^2}。

三、恒定磁场的基本方程 ​

恒定磁场的基本方程(微分形式)(⭐重要):

∇⋅B=0,∇×B=μ0J\nabla\cdot\mathbf{B}=0,\quad \nabla\times\mathbf{B}=\mu_0\mathbf{J}

积分形式:∮SB⋅dS=0\displaystyle\oint_S\mathbf{B}\cdot d\mathbf{S}=0(磁通连续性原理);∮CB⋅dl=μ0I穿\displaystyle\oint_C\mathbf{B}\cdot d\mathbf{l}=\mu_0 I_{\text{穿}}(安培环路定理)。

物理意义:恒定磁场是无散场(无磁荷),是有旋场(恒定电流为涡旋源)。

证明:磁通连续性原理 ∇⋅B=0\nabla\cdot\mathbf{B}=0(课件推导)

  1. 体电流在场点 r\mathbf{r} 的磁感应强度写成

B(r)=μ04π∫VJ(r′)×RR3 dV′,R=r−r′,R=∣R∣\mathbf{B}(\mathbf{r})=\frac{\mu_0}{4\pi}\int_V\frac{\mathbf{J}(\mathbf{r}')\times\mathbf{R}}{R^3}\,dV',\qquad \mathbf{R}=\mathbf{r}-\mathbf{r}',\quad R=|\mathbf{R}|

  1. 由例 1.3.1 的结论 ∇1R=−RR3\nabla\dfrac{1}{R}=-\dfrac{\mathbf{R}}{R^3},上式化为

B(r)=−μ04π∫VJ(r′)×∇(1R)dV′\mathbf{B}(\mathbf{r})=-\frac{\mu_0}{4\pi}\int_V\mathbf{J}(\mathbf{r}')\times\nabla\left(\frac{1}{R}\right)dV'

  1. 用矢量恒等式 ∇×(uF)=∇u×F+u∇×F\nabla\times(u\mathbf{F})=\nabla u\times\mathbf{F}+u\nabla\times\mathbf{F}。取 u=1/Ru=1/R、F=J(r′)\mathbf{F}=\mathbf{J}(\mathbf{r}'):∇\nabla 只对场点 r\mathbf{r} 求导,而 J(r′)\mathbf{J}(\mathbf{r}') 只含源点坐标,故 ∇×J(r′)=0\nabla\times\mathbf{J}(\mathbf{r}')=0,得

∇(1R)×J(r′)=∇×(J(r′)R)\nabla\left(\frac{1}{R}\right)\times\mathbf{J}(\mathbf{r}')=\nabla\times\left(\frac{\mathbf{J}(\mathbf{r}')}{R}\right)

于是 −J×∇(1/R)=+∇×(J/R)-\mathbf{J}\times\nabla(1/R)=+\nabla\times(\mathbf{J}/R),代回得

B(r)=μ04π∫V∇×(J(r′)R)dV′=∇×[μ04π∫VJ(r′)RdV′]\mathbf{B}(\mathbf{r})=\frac{\mu_0}{4\pi}\int_V\nabla\times\left(\frac{\mathbf{J}(\mathbf{r}')}{R}\right)dV'=\nabla\times\left[\frac{\mu_0}{4\pi}\int_V\frac{\mathbf{J}(\mathbf{r}')}{R}dV'\right]

  1. 记 A(r)=μ04π∫VJ(r′)RdV′\mathbf{A}(\mathbf{r})=\dfrac{\mu_0}{4\pi}\displaystyle\int_V\dfrac{\mathbf{J}(\mathbf{r}')}{R}dV',则 B=∇×A\mathbf{B}=\nabla\times\mathbf{A}。两边取散度,利用"旋度无散" ∇⋅(∇×A)≡0\nabla\cdot(\nabla\times\mathbf{A})\equiv0:

∇⋅B(r)=0\nabla\cdot\mathbf{B}(\mathbf{r})=0

  1. 对 ∇⋅B=0\nabla\cdot\mathbf{B}=0 取体积分并用散度定理:

∫V∇⋅B dV=∮SB⋅dS=0\int_V\nabla\cdot\mathbf{B}\,dV=\oint_S\mathbf{B}\cdot d\mathbf{S}=0

证毕。物理意义:磁感应线闭合,自然界无孤立磁荷。

证明:安培环路定理 ∇×B=μ0J\nabla\times\mathbf{B}=\mu_0\mathbf{J}(课件推导)

  1. 对 B=∇×(μ04π∫VJ(r′)RdV′)\mathbf{B}=\nabla\times\left(\dfrac{\mu_0}{4\pi}\displaystyle\int_V\dfrac{\mathbf{J}(\mathbf{r}')}{R}dV'\right) 两边取旋度:

∇×B=μ04π∇×(∇×∫VJ(r′)RdV′)\nabla\times\mathbf{B}=\frac{\mu_0}{4\pi}\nabla\times\left(\nabla\times\int_V\frac{\mathbf{J}(\mathbf{r}')}{R}dV'\right)

  1. 用矢量恒等式 ∇×∇×F=∇(∇⋅F)−∇2F\nabla\times\nabla\times\mathbf{F}=\nabla(\nabla\cdot\mathbf{F})-\nabla^2\mathbf{F}:

∇×B=μ04π∇∫V∇⋅J(r′)RdV′−μ04π∫VJ(r′)∇21RdV′\nabla\times\mathbf{B}=\frac{\mu_0}{4\pi}\nabla\int_V\nabla\cdot\frac{\mathbf{J}(\mathbf{r}')}{R}dV'-\frac{\mu_0}{4\pi}\int_V\mathbf{J}(\mathbf{r}')\nabla^2\frac{1}{R}dV'

  1. 第二项用 ∇21R=−4πδ(r−r′)\nabla^2\dfrac{1}{R}=-4\pi\delta(\mathbf{r}-\mathbf{r}'):

−μ04π∫VJ(r′)∇21RdV′=μ0∫VJ(r′)δ(r−r′)dV′=μ0J(r)-\frac{\mu_0}{4\pi}\int_V\mathbf{J}(\mathbf{r}')\nabla^2\frac{1}{R}dV'=\mu_0\int_V\mathbf{J}(\mathbf{r}')\delta(\mathbf{r}-\mathbf{r}')dV'=\mu_0\mathbf{J}(\mathbf{r})

  1. 第一项为零。先证 ∇⋅J(r′)R=−∇′⋅J(r′)R\nabla\cdot\dfrac{\mathbf{J}(\mathbf{r}')}{R}=-\nabla'\cdot\dfrac{\mathbf{J}(\mathbf{r}')}{R}:

∇⋅(JR)=∇1R⋅J+1R∇⋅J=−∇′1R⋅J=1R∇′⋅J−∇′⋅(JR)=−∇′⋅(JR)\nabla\cdot\left(\frac{\mathbf{J}}{R}\right)=\nabla\frac{1}{R}\cdot\mathbf{J}+\frac{1}{R}\nabla\cdot\mathbf{J} =-\nabla'\frac{1}{R}\cdot\mathbf{J} =\frac{1}{R}\nabla'\cdot\mathbf{J}-\nabla'\cdot\left(\frac{\mathbf{J}}{R}\right) =-\nabla'\cdot\left(\frac{\mathbf{J}}{R}\right)

其中 ∇⋅J(r′)=0\nabla\cdot\mathbf{J}(\mathbf{r}')=0(J\mathbf{J} 与场点无关),恒定电流 ∇′⋅J=0\nabla'\cdot\mathbf{J}=0。于是

μ04π∇∫V∇⋅JRdV′=−μ04π∇∫V∇′⋅JRdV′=−μ04π∇∮SJR⋅dS′=0\frac{\mu_0}{4\pi}\nabla\int_V\nabla\cdot\frac{\mathbf{J}}{R}dV'=-\frac{\mu_0}{4\pi}\nabla\int_V\nabla'\cdot\frac{\mathbf{J}}{R}dV'=-\frac{\mu_0}{4\pi}\nabla\oint_S\frac{\mathbf{J}}{R}\cdot d\mathbf{S}'=0

(积分面 SS 取在电流分布之外,其上 J=0\mathbf{J}=0。) 5. 因此 ∇×B=μ0J\nabla\times\mathbf{B}=\mu_0\mathbf{J}。对以 CC 为边界的曲面 SS 积分并用斯托克斯定理:

∫S(∇×B)⋅dS=μ0∫SJ⋅dS  ⟹  ∮CB⋅dl=μ0I穿\int_S(\nabla\times\mathbf{B})\cdot d\mathbf{S}=\mu_0\int_S\mathbf{J}\cdot d\mathbf{S}\;\Longrightarrow\;\oint_C\mathbf{B}\cdot d\mathbf{l}=\mu_0 I_{\text{穿}}

证毕。

例 2.3.1 线电流圆环轴线上的磁感应强度 ​

圆环半径 aa,电流 II,求轴线 P(0,0,z)P(0,0,z) 处 B\mathbf{B}。

解:电流元 I dl′=Ia dϕ′ eϕI\,d\mathbf{l}'=Ia\,d\phi'\,\mathbf{e}_\phi,r′=a eρ\mathbf{r}'=a\,\mathbf{e}_\rho,r=z ez\mathbf{r}=z\,\mathbf{e}_z,R=z ez−a eρ\mathbf{R}=z\,\mathbf{e}_z-a\,\mathbf{e}_\rho,R=z2+a2R=\sqrt{z^2+a^2}。dl′×eR=Ia dϕ′R(z eρ+a ez)d\mathbf{l}'\times\mathbf{e}_R=\dfrac{Ia\,d\phi'}{R}(z\,\mathbf{e}_\rho+a\,\mathbf{e}_z)。积分后 eρ\mathbf{e}_\rho 分量为零(对称),得

圆环电流轴线上的磁感应强度(⭐重要):

B(z)=μ0Ia22(z2+a2)3/2 ez\mathbf{B}(z) = \frac{\mu_0 I a^2}{2(z^2+a^2)^{3/2}}\,\mathbf{e}_z

圆环中心 z=0z=0 处 B=μ0I2a ez\mathbf{B}=\dfrac{\mu_0 I}{2a}\,\mathbf{e}_z;远场 z≫az\gg a 时 B≈μ0Ia22z3 ez\mathbf{B}\approx\dfrac{\mu_0 I a^2}{2z^3}\,\mathbf{e}_z。


2.4 媒质的电磁特性 ​

一、电介质的极化 ​

极化强度 P\mathbf{P}:单位体积内分子电偶极矩矢量和,P=lim⁡ΔV→0∑piΔV\mathbf{P}=\displaystyle\lim_{\Delta V\to 0}\dfrac{\sum\mathbf{p}_i}{\Delta V}。

线性各向同性介质:P=ε0χeE\mathbf{P}=\varepsilon_0\chi_e\mathbf{E},χe\chi_e 电极化率(正实数)。

极化电荷的推导(课件过程):极化后穿过面元 dSd\mathbf{S} 的极化电荷为 −P⋅dS-\mathbf{P}\cdot d\mathbf{S},闭合面 SS 内的总极化电荷

qP=−∮SP⋅dSq_P=-\oint_S\mathbf{P}\cdot d\mathbf{S}

而 qP=∫VρP dVq_P=\displaystyle\int_V\rho_P\,dV,用散度定理:

∫VρP dV=−∫V∇⋅P dV  ⟹  ρP=−∇⋅P\int_V\rho_P\,dV=-\int_V\nabla\cdot\mathbf{P}\,dV \;\Longrightarrow\; \rho_P=-\nabla\cdot\mathbf{P}

分界面上作小扁柱体(Δh→0\Delta h\to0),同理得

ρSP=en⋅(P1−P2)(en 由 1 指向 2)\rho_{SP}=\mathbf{e}_n\cdot(\mathbf{P}_1-\mathbf{P}_2)\qquad(\mathbf{e}_n\ \text{由 1 指向 2})

电位移矢量的引入:真空中 ∇⋅E=ρ+ρPε0\nabla\cdot\mathbf{E}=\dfrac{\rho+\rho_P}{\varepsilon_0},代入 ρP=−∇⋅P\rho_P=-\nabla\cdot\mathbf{P}:

∇⋅(ε0E+P)=ρ\nabla\cdot(\varepsilon_0\mathbf{E}+\mathbf{P})=\rho

定义 D=ε0E+P\mathbf{D}=\varepsilon_0\mathbf{E}+\mathbf{P},即得 ∇⋅D=ρ\nabla\cdot\mathbf{D}=\rho(仅与自由电荷有关)。积分形式 ∮SD⋅dS=Q自由\displaystyle\oint_S\mathbf{D}\cdot d\mathbf{S}=Q_{\text{自由}}。

本构关系:D=εE\mathbf{D}=\varepsilon\mathbf{E},ε=ε0εr=ε0(1+χe)\varepsilon=\varepsilon_0\varepsilon_r=\varepsilon_0(1+\chi_e),εr\varepsilon_r 相对介电常数(无量纲)。

二、磁介质的磁化 ​

磁化强度 M\mathbf{M}:单位体积内分子磁矩矢量和,M=lim⁡ΔV→0∑pmiΔV\mathbf{M}=\displaystyle\lim_{\Delta V\to 0}\dfrac{\sum\mathbf{p}_{mi}}{\Delta V}。

线性各向同性介质:M=χmH\mathbf{M}=\chi_m\mathbf{H},χm\chi_m 磁化率。

磁化电流的推导(课件过程):只有被闭合曲线 LL 链环的分子电流对总磁化电流有贡献。穿过以 LL 为边界的曲面 SS 的磁化电流

IM=∮LM⋅dlI_M=\oint_L\mathbf{M}\cdot d\mathbf{l}

而 IM=∫SJM⋅dSI_M=\displaystyle\int_S\mathbf{J}_M\cdot d\mathbf{S},用斯托克斯定理:

∫SJM⋅dS=∫S(∇×M)⋅dS  ⟹  JM=∇×M\int_S\mathbf{J}_M\cdot d\mathbf{S}=\int_S(\nabla\times\mathbf{M})\cdot d\mathbf{S} \;\Longrightarrow\; \mathbf{J}_M=\nabla\times\mathbf{M}

分界面上作小扁回路(Δh→0\Delta h\to0),同理得

JSM=(M1−M2)×en(en 由 1 指向 2)\mathbf{J}_{SM}=(\mathbf{M}_1-\mathbf{M}_2)\times\mathbf{e}_n\qquad(\mathbf{e}_n\ \text{由 1 指向 2})

磁场强度的引入:真空中 ∇×B=μ0(J+JM)\nabla\times\mathbf{B}=\mu_0(\mathbf{J}+\mathbf{J}_M),代入 JM=∇×M\mathbf{J}_M=\nabla\times\mathbf{M}:

∇×(Bμ0−M)=J\nabla\times\left(\frac{\mathbf{B}}{\mu_0}-\mathbf{M}\right)=\mathbf{J}

定义 H=Bμ0−M\mathbf{H}=\dfrac{\mathbf{B}}{\mu_0}-\mathbf{M},即得 ∇×H=J\nabla\times\mathbf{H}=\mathbf{J}(仅与传导电流有关)。积分形式 ∮CH⋅dl=I穿\displaystyle\oint_C\mathbf{H}\cdot d\mathbf{l}=I_{\text{穿}}。

本构关系:B=μH\mathbf{B}=\mu\mathbf{H},μ=μ0μr=μ0(1+χm)\mu=\mu_0\mu_r=\mu_0(1+\chi_m),μr\mu_r 相对磁导率。

三、导电媒质的传导 ​

欧姆定律微分形式:J=σE\mathbf{J}=\sigma\mathbf{E}(σ\sigma 电导率,S/m\mathrm{S/m})。

焦耳定律:单位体积功率 p=J⋅E=σE2p=\mathbf{J}\cdot\mathbf{E}=\sigma E^2;总功率 P=∫VσE2 dVP=\displaystyle\int_V\sigma E^2\,dV。


2.5 电磁感应定律和位移电流 ​

一、电磁感应定律 ​

法拉第定律:∮CEin⋅dl=−ddt∫SB⋅dS\displaystyle\oint_C\mathbf{E}_{\text{in}}\cdot d\mathbf{l} = -\frac{d}{dt}\int_S\mathbf{B}\cdot d\mathbf{S},其中 Ein\mathbf{E}_{\text{in}} 为感应电场。

引起磁通变化的因素:① B\mathbf{B} 变、SS 不变(感生电动势);② B\mathbf{B} 不变、SS 变(动生电动势);③ 两者均变。

一般形式:回路以速度 v\mathbf{v} 运动时,磁通

Φ=∫SB⋅dS\Phi=\int_S\mathbf{B}\cdot d\mathbf{S}

的变化率由两部分组成——B\mathbf{B} 随时间变化,以及回路运动扫过新面积:

dΦdt=∫S∂B∂t⋅dS+∮CB⋅(v×dl)=∫S∂B∂t⋅dS−∮C(v×B)⋅dl\frac{d\Phi}{dt}=\int_S\frac{\partial\mathbf{B}}{\partial t}\cdot d\mathbf{S}+\oint_C\mathbf{B}\cdot(\mathbf{v}\times d\mathbf{l}) =\int_S\frac{\partial\mathbf{B}}{\partial t}\cdot d\mathbf{S}-\oint_C(\mathbf{v}\times\mathbf{B})\cdot d\mathbf{l}

由 E=−dΦ/dt\mathcal{E}=-d\Phi/dt 得

∮CE⋅dl=−∫S∂B∂t⋅dS+∮C(v×B)⋅dl\oint_C\mathbf{E}\cdot d\mathbf{l} = -\int_S\frac{\partial\mathbf{B}}{\partial t}\cdot d\mathbf{S} + \oint_C(\mathbf{v}\times\mathbf{B})\cdot d\mathbf{l}

微分形式(固定回路):∇×E=−∂B∂t\nabla\times\mathbf{E}=-\dfrac{\partial\mathbf{B}}{\partial t};(运动回路)∇×E=−∂B∂t+∇×(v×B)\nabla\times\mathbf{E}=-\dfrac{\partial\mathbf{B}}{\partial t}+\nabla\times(\mathbf{v}\times\mathbf{B})。

二、全电流定律与位移电流 ​

安培环路定理 ∇×H=J\nabla\times\mathbf{H}=\mathbf{J} 取散度,因 ∇⋅(∇×H)≡0\nabla\cdot(\nabla\times\mathbf{H})\equiv0,得 ∇⋅J=0\nabla\cdot\mathbf{J}=0。但时变场中连续性方程为

∇⋅J=−∂ρ∂t\nabla\cdot\mathbf{J}=-\frac{\partial\rho}{\partial t}

二者矛盾。由 ∇⋅D=ρ\nabla\cdot\mathbf{D}=\rho 得 ∂ρ∂t=∇⋅∂D∂t\dfrac{\partial\rho}{\partial t}=\nabla\cdot\dfrac{\partial\mathbf{D}}{\partial t},代入连续性方程:

∇⋅(J+∂D∂t)=0\nabla\cdot\left(\mathbf{J}+\frac{\partial\mathbf{D}}{\partial t}\right)=0

故把安培环路定理右端改为 J+∂D∂t\mathbf{J}+\dfrac{\partial\mathbf{D}}{\partial t},两边取散度即自洽。Maxwell 引入位移电流密度:

位移电流密度(⭐重要):

Jd=∂D∂t\mathbf{J}_d = \frac{\partial\mathbf{D}}{\partial t}

修正后的安培环路定理(全电流定律):∇×H=J+∂D∂t\nabla\times\mathbf{H}=\mathbf{J}+\dfrac{\partial\mathbf{D}}{\partial t},积分形式 ∮CH⋅dl=∫S(J+∂D∂t)⋅dS\displaystyle\oint_C\mathbf{H}\cdot d\mathbf{l}=\int_S\left(\mathbf{J}+\dfrac{\partial\mathbf{D}}{\partial t}\right)\cdot d\mathbf{S}。

结论:位移电流密度仅取决于 D\mathbf{D} 的时间变化率;时变电场是磁场的涡旋源。


2.6 麦克斯韦方程组 ​

微分形式 ​

麦克斯韦方程组(微分形式)(⭐重要):

∇×H=J+∂D∂t,∇×E=−∂B∂t,∇⋅B=0,∇⋅D=ρ\nabla\times\mathbf{H}=\mathbf{J}+\frac{\partial\mathbf{D}}{\partial t},\quad \nabla\times\mathbf{E}=-\frac{\partial\mathbf{B}}{\partial t},\quad \nabla\cdot\mathbf{B}=0,\quad \nabla\cdot\mathbf{D}=\rho

四个方程的来源("三大定律、两个假设"):

方程来源
∇×H=J+∂D∂t\nabla\times\mathbf{H}=\mathbf{J}+\dfrac{\partial\mathbf{D}}{\partial t}安培环路定理 + 位移电流假设
∇×E=−∂B∂t\nabla\times\mathbf{E}=-\dfrac{\partial\mathbf{B}}{\partial t}法拉第电磁感应定律
∇⋅B=0\nabla\cdot\mathbf{B}=0磁通连续性原理
∇⋅D=ρ\nabla\cdot\mathbf{D}=\rho高斯定理 + 极化(电介质)假设

积分形式 ​

∮CH⋅dl=∫S(J+∂D∂t)⋅dS,∮CE⋅dl=−∫S∂B∂t⋅dS\oint_C\mathbf{H}\cdot d\mathbf{l}=\int_S\left(\mathbf{J}+\frac{\partial\mathbf{D}}{\partial t}\right)\cdot d\mathbf{S},\quad \oint_C\mathbf{E}\cdot d\mathbf{l}=-\int_S\frac{\partial\mathbf{B}}{\partial t}\cdot d\mathbf{S}

∮SB⋅dS=0,∮SD⋅dS=∫Vρ dV\oint_S\mathbf{B}\cdot d\mathbf{S}=0,\quad \oint_S\mathbf{D}\cdot d\mathbf{S}=\int_V\rho\,dV

本构关系(线性各向同性介质) ​

D=εE\mathbf{D}=\varepsilon\mathbf{E},B=μH\mathbf{B}=\mu\mathbf{H},J=σE\mathbf{J}=\sigma\mathbf{E}。

代入后:∇×H=σE+ε∂E∂t\nabla\times\mathbf{H}=\sigma\mathbf{E}+\varepsilon\dfrac{\partial\mathbf{E}}{\partial t},∇×E=−μ∂H∂t\nabla\times\mathbf{E}=-\mu\dfrac{\partial\mathbf{H}}{\partial t},∇⋅(εE)=ρ\nabla\cdot(\varepsilon\mathbf{E})=\rho,∇⋅(μH)=0\nabla\cdot(\mu\mathbf{H})=0。


2.7 电磁场的边界条件 ​

表格取 en\mathbf{e}_n 由介质 1 指向介质 2(与后续章节一致)。课件图 2.7.1 取 en\mathbf{e}_n 由介质 2 指向介质 1,故课件写作 en×(H1−H2)=JS\mathbf{e}_n\times(\mathbf{H}_1-\mathbf{H}_2)=\mathbf{J}_S、en⋅(D1−D2)=ρS\mathbf{e}_n\cdot(\mathbf{D}_1-\mathbf{D}_2)=\rho_S;两种写法等价(把 en\mathbf{e}_n 换成 −en-\mathbf{e}_n 即互相转换)。下面的推导按课件图,取 en\mathbf{e}_n 由 2 指向 1。

场量边界条件推导依据
H\mathbf{H} 切向en×(H2−H1)=JS\mathbf{e}_n\times(\mathbf{H}_2-\mathbf{H}_1)=\mathbf{J}_S,即 H2t−H1t=JSH_{2t}-H_{1t}=J_S全电流定律(小扁矩形回路)
E\mathbf{E} 切向en×(E2−E1)=0\mathbf{e}_n\times(\mathbf{E}_2-\mathbf{E}_1)=\mathbf{0},即 E2t=E1tE_{2t}=E_{1t}法拉第定律(Δh→0\Delta h\to 0 面积分 →0\to 0)
B\mathbf{B} 法向en⋅(B2−B1)=0\mathbf{e}_n\cdot(\mathbf{B}_2-\mathbf{B}_1)=0,即 B2n=B1nB_{2n}=B_{1n}磁通连续性(小扁柱体)
D\mathbf{D} 法向en⋅(D2−D1)=ρS\mathbf{e}_n\cdot(\mathbf{D}_2-\mathbf{D}_1)=\rho_S,即 D2n−D1n=ρSD_{2n}-D_{1n}=\rho_S高斯定律(小扁柱体)

一、H\mathbf{H} 的切向分量(课件推导) ​

在分界面两侧作小扁矩形回路 abcdabcd:长边 abab 在介质 1、cdcd 在介质 2,短边 bc=da=Δh→0bc=da=\Delta h\to0。由全电流定律

∮CH⋅dl=∫SJ⋅dS+∫S∂D∂t⋅dS\oint_C\mathbf{H}\cdot d\mathbf{l}=\int_S\mathbf{J}\cdot d\mathbf{S}+\int_S\frac{\partial\mathbf{D}}{\partial t}\cdot d\mathbf{S}

左边:

∮CH⋅dl=∫abH⋅dl+∫bcH⋅dl+∫cdH⋅dl+∫daH⋅dl\oint_C\mathbf{H}\cdot d\mathbf{l}=\int_a^b\mathbf{H}\cdot d\mathbf{l}+\int_b^c\mathbf{H}\cdot d\mathbf{l}+\int_c^d\mathbf{H}\cdot d\mathbf{l}+\int_d^a\mathbf{H}\cdot d\mathbf{l}

当 Δh→0\Delta h\to0 时,bcbc、dada 两段积分为 0,故

∮CH⋅dl=∫Δl(H1−H2)⋅et dl\oint_C\mathbf{H}\cdot d\mathbf{l}=\int_{\Delta l}(\mathbf{H}_1-\mathbf{H}_2)\cdot\mathbf{e}_t\,dl

右边:∂D/∂t\partial\mathbf{D}/\partial t 为有限值,其在小扁回路所围面积上的积分为 0;只有分界面上的自由面电流 JS\mathbf{J}_S 有贡献:

∫SJ⋅dS+∫S∂D∂t⋅dS→Δh→0∫ΔlJS⋅ep dl\int_S\mathbf{J}\cdot d\mathbf{S}+\int_S\frac{\partial\mathbf{D}}{\partial t}\cdot d\mathbf{S}\xrightarrow{\Delta h\to0}\int_{\Delta l}\mathbf{J}_S\cdot\mathbf{e}_p\,dl

比较两边,得

(H1−H2)⋅et=JS⋅ep(\mathbf{H}_1-\mathbf{H}_2)\cdot\mathbf{e}_t=\mathbf{J}_S\cdot\mathbf{e}_p

由 et=ep×en\mathbf{e}_t=\mathbf{e}_p\times\mathbf{e}_n 和混合积法则 a⋅(b×c)=b⋅(c×a)\mathbf{a}\cdot(\mathbf{b}\times\mathbf{c})=\mathbf{b}\cdot(\mathbf{c}\times\mathbf{a}):

(H1−H2)⋅(ep×en)=JS⋅ep  ⟹  ep⋅[en×(H1−H2)]=ep⋅JS(\mathbf{H}_1-\mathbf{H}_2)\cdot(\mathbf{e}_p\times\mathbf{e}_n)=\mathbf{J}_S\cdot\mathbf{e}_p \;\Longrightarrow\; \mathbf{e}_p\cdot\left[\mathbf{e}_n\times(\mathbf{H}_1-\mathbf{H}_2)\right]=\mathbf{e}_p\cdot\mathbf{J}_S

对任意 ep\mathbf{e}_p 成立,故

en×(H1−H2)=JS,H1t−H2t=JS\mathbf{e}_n\times(\mathbf{H}_1-\mathbf{H}_2)=\mathbf{J}_S,\qquad H_{1t}-H_{2t}=J_S

结论:存在自由面电流时,H\mathbf{H} 的切向分量不连续;两介质电导率有限时 JS=0\mathbf{J}_S=0,H\mathbf{H} 的切向分量连续。

二、E\mathbf{E} 的切向分量(课件推导) ​

同一小扁矩形回路,由法拉第电磁感应定律

∮CE⋅dl=−∫S∂B∂t⋅dS\oint_C\mathbf{E}\cdot d\mathbf{l}=-\int_S\frac{\partial\mathbf{B}}{\partial t}\cdot d\mathbf{S}

左边当 Δh→0\Delta h\to0 时化为 ∫Δl(E1−E2)⋅et dl\displaystyle\int_{\Delta l}(\mathbf{E}_1-\mathbf{E}_2)\cdot\mathbf{e}_t\,dl;右边 ∂B/∂t\partial\mathbf{B}/\partial t 为有限值,面积 →0\to0,积分为 0。故

(E1−E2)⋅et=0(\mathbf{E}_1-\mathbf{E}_2)\cdot\mathbf{e}_t=0

即切向分量连续:

en×(E1−E2)=0,E1t=E2t\mathbf{e}_n\times(\mathbf{E}_1-\mathbf{E}_2)=\mathbf{0},\qquad E_{1t}=E_{2t}

三、B\mathbf{B} 的法向分量(课件推导) ​

在分界面上作小扁圆柱体:顶面、底面各为 ΔS\Delta S,高 Δh→0\Delta h\to0。由磁通连续性定理

∮SB⋅dS=∫顶面B⋅dS+∫底面B⋅dS+∫侧面B⋅dS=0\oint_S\mathbf{B}\cdot d\mathbf{S}=\int_{\text{顶面}}\mathbf{B}\cdot d\mathbf{S}+\int_{\text{底面}}\mathbf{B}\cdot d\mathbf{S}+\int_{\text{侧面}}\mathbf{B}\cdot d\mathbf{S}=0

侧面面积 →0\to0,其积分为 0;顶面外法向为 en\mathbf{e}_n、底面外法向为 −en-\mathbf{e}_n:

∫ΔSB1⋅en dS−∫ΔSB2⋅en dS=0\int_{\Delta S}\mathbf{B}_1\cdot\mathbf{e}_n\,dS-\int_{\Delta S}\mathbf{B}_2\cdot\mathbf{e}_n\,dS=0

故

en⋅(B1−B2)=0,B1n=B2n\mathbf{e}_n\cdot(\mathbf{B}_1-\mathbf{B}_2)=0,\qquad B_{1n}=B_{2n}

结论:B\mathbf{B} 的法向分量连续。

四、D\mathbf{D} 的法向分量(课件推导) ​

同一小扁圆柱体,由高斯定律

∮SD⋅dS=∫Vρ dV\oint_S\mathbf{D}\cdot d\mathbf{S}=\int_V\rho\,dV

当 Δh→0\Delta h\to0 时,体积电荷退化为分界面上的自由面电荷,∫Vρ dV→∫ΔSρS dS\displaystyle\int_V\rho\,dV\to\int_{\Delta S}\rho_S\,dS;侧面通量为 0:

∫ΔSD1⋅en dS−∫ΔSD2⋅en dS=∫ΔSρS dS\int_{\Delta S}\mathbf{D}_1\cdot\mathbf{e}_n\,dS-\int_{\Delta S}\mathbf{D}_2\cdot\mathbf{e}_n\,dS=\int_{\Delta S}\rho_S\,dS

故

en⋅(D1−D2)=ρS,D1n−D2n=ρS\mathbf{e}_n\cdot(\mathbf{D}_1-\mathbf{D}_2)=\rho_S,\qquad D_{1n}-D_{2n}=\rho_S

结论:有自由面电荷时,D\mathbf{D} 的法向分量不连续;ρS=0\rho_S=0 时连续。

以上四式按课件图的 en\mathbf{e}_n(由 2 指向 1)写出。若按本节表格的 en\mathbf{e}_n(由 1 指向 2),把 en\mathbf{e}_n 换成 −en-\mathbf{e}_n,即得表中四式。

理想导体表面(σ→∞\sigma\to\infty,内部 E=B=0\mathbf{E}=\mathbf{B}=0):en×H=JS\mathbf{e}_n\times\mathbf{H}=\mathbf{J}_S,en×E=0\mathbf{e}_n\times\mathbf{E}=\mathbf{0},en⋅B=0\mathbf{e}_n\cdot\mathbf{B}=0,en⋅D=ρS\mathbf{e}_n\cdot\mathbf{D}=\rho_S(en\mathbf{e}_n 为导体表面的外法向)。

理想介质分界面(无面电荷/面电流):E2t=E1tE_{2t}=E_{1t},H2t=H1tH_{2t}=H_{1t},B2n=B1nB_{2n}=B_{1n},D2n=D1nD_{2n}=D_{1n}。

电位边界条件:φ1=φ2\varphi_1=\varphi_2;无自由面电荷时 ε1∂φ1∂n=ε2∂φ2∂n\varepsilon_1\dfrac{\partial\varphi_1}{\partial n}=\varepsilon_2\dfrac{\partial\varphi_2}{\partial n}。


第2章 易错点与常考题型 ​

易错点(接续 §2.1–§2.2 的 10 条):

  1. 安培力公式中 eR\mathbf{e}_R 由 C1C_1 上源点指向 C2C_2 上场点;B\mathbf{B} 的方向由右手螺旋定则确定。
  2. 毕奥–萨伐尔定律 dB=μ04πI dl′×eRR2d\mathbf{B}=\dfrac{\mu_0}{4\pi}\dfrac{I\,d\mathbf{l}'\times\mathbf{e}_R}{R^2} 的叉乘顺序不可颠倒。
  3. 极化电荷 ρP=−∇⋅P\rho_P=-\nabla\cdot\mathbf{P} 的负号易丢;极化电荷面密度 ρSP=en⋅(P1−P2)\rho_{SP}=\mathbf{e}_n\cdot(\mathbf{P}_1-\mathbf{P}_2),en\mathbf{e}_n 由 1 指向 2。
  4. D=ε0E+P\mathbf{D}=\varepsilon_0\mathbf{E}+\mathbf{P} 与 D=εE\mathbf{D}=\varepsilon\mathbf{E} 不可混淆:后者仅适用于线性各向同性介质。
  5. 法拉第定律 ∇×E=−∂B/∂t\nabla\times\mathbf{E}=-\partial\mathbf{B}/\partial t 的负号(楞次定律)不可丢。
  6. 位移电流 Jd=∂D/∂t\mathbf{J}_d=\partial\mathbf{D}/\partial t 不是真实电荷流动,但能产生磁场。
  7. 边界条件中 en\mathbf{e}_n 的方向定义(由 1 指向 2)决定符号;理想导体内部场为零,外部切向 E\mathbf{E}、法向 B\mathbf{B} 为零。
  8. 麦克斯韦方程组的四个方程分别对应:全电流定律、法拉第定律、磁通连续性、高斯定律——不要张冠李戴。
  9. 单位:μ0=4π×10−7 H/m\mu_0=4\pi\times10^{-7}\ \mathrm{H/m};B\mathbf{B} 单位 T=Wb/m2\mathrm{T}=\mathrm{Wb/m^2};H\mathbf{H} 单位 A/m\mathrm{A/m};σ\sigma 单位 S/m\mathrm{S/m}。
  10. 安培环路定理 ∮H⋅dl=I穿\oint\mathbf{H}\cdot d\mathbf{l}=I_{\text{穿}} 中的电流是穿过以 CC 为边界的任意曲面的电流,曲面选择不影响结果(因为 ∇⋅J=0\nabla\cdot\mathbf{J}=0 在恒定场成立)。

常考题型(续):

  1. 用毕奥–萨伐尔定律或安培环路定理求对称分布的 B\mathbf{B}(无限长直导线、圆环轴线、螺线管)。
  2. 极化/磁化电荷计算(已知 P\mathbf{P} 或 M\mathbf{M} 求 ρP\rho_P、ρSP\rho_{SP})。
  3. 介质中 D\mathbf{D}、H\mathbf{H} 的求解(用高斯/安培环路定理的介质形式)。
  4. 位移电流的计算(平行板电容器充电过程)。
  5. 麦克斯韦方程组的微分/积分形式互推、验证给定场是否满足方程组。
  6. 边界条件的应用(求折射后的场分量)。

第3章 静态电磁场及其边值问题的解 ​

静态场:场量不随时间变化,电场和磁场由各自源激发、相互独立。包括静电场、恒定电场、恒定磁场。§3.4 边值问题/唯一性定理、§3.6 分离变量法课件未涉及,不在本资料内。

3.1 静电场分析 ​

3.1.1 基本方程和边界条件(回顾) ​

微分:∇⋅D=ρ\nabla\cdot\mathbf{D}=\rho,∇×E=0\nabla\times\mathbf{E}=0。积分:∮SD⋅dS=Q\oint_S\mathbf{D}\cdot d\mathbf{S}=Q,∮CE⋅dl=0\oint_C\mathbf{E}\cdot d\mathbf{l}=0。本构 D=εE\mathbf{D}=\varepsilon\mathbf{E}。边界条件见 §2.7。

3.1.2 电位函数 ​

E=−∇φ\mathbf{E}=-\nabla\varphi。点电荷电位 φ(r)=q4πε∣r−r′∣+C\varphi(\mathbf{r})=\dfrac{q}{4\pi\varepsilon|\mathbf{r}-\mathbf{r}'|}+C;叠加原理给出线/面/体分布的电位积分。

电位差:UPQ=φ(P)−φ(Q)=∫QPE⋅dlU_{PQ}=\varphi(P)-\varphi(Q)=\displaystyle\int_Q^P\mathbf{E}\cdot d\mathbf{l},即电场力将单位正电荷从 PP 移至 QQ 做的功。

泊松方程 / 拉普拉斯方程:

泊松方程与拉普拉斯方程(⭐重要):

∇2φ=−ρε(泊松);∇2φ=0(拉普拉斯,ρ=0)\nabla^2\varphi=-\frac{\rho}{\varepsilon}\quad\text{(泊松)};\qquad \nabla^2\varphi=0\quad\text{(拉普拉斯,}\rho=0\text{)}

泊松方程的推导:由 ∇⋅D=ρ\nabla\cdot\mathbf{D}=\rho、D=εE\mathbf{D}=\varepsilon\mathbf{E}、E=−∇φ\mathbf{E}=-\nabla\varphi:

∇⋅(−ε∇φ)=ρ  ⟹  ∇2φ=−ρε\nabla\cdot(-\varepsilon\nabla\varphi)=\rho \;\Longrightarrow\; \nabla^2\varphi=-\frac{\rho}{\varepsilon}

ρ=0\rho=0 时即得拉普拉斯方程 ∇2φ=0\nabla^2\varphi=0。

电位边界条件的由来:由 E1t=E2tE_{1t}=E_{2t} 得 φ1=φ2\varphi_1=\varphi_2(切向分量不跳变);无自由面电荷时 D1n=D2nD_{1n}=D_{2n},而 Dn=εEn=−ε∂φ∂nD_n=\varepsilon E_n=-\varepsilon\dfrac{\partial\varphi}{\partial n},故 ε1∂φ1∂n=ε2∂φ2∂n\varepsilon_1\dfrac{\partial\varphi_1}{\partial n}=\varepsilon_2\dfrac{\partial\varphi_2}{\partial n}。

理想导体表面:φ=const\varphi=\text{const},ε∂φ∂n=−ρS\varepsilon\dfrac{\partial\varphi}{\partial n}=-\rho_S。

例 3.1.1 电偶极子的电位与电场 ​

+q+q、−q-q 相距 dd,求远场 r≫dr\gg d 处 φ\varphi 和 E\mathbf{E}。

解:φ=q4πε0(1r1−1r2)\varphi=\dfrac{q}{4\pi\varepsilon_0}\left(\dfrac{1}{r_1}-\dfrac{1}{r_2}\right),r1≈r−d2cos⁡θr_1\approx r-\dfrac{d}{2}\cos\theta,r2≈r+d2cos⁡θr_2\approx r+\dfrac{d}{2}\cos\theta,r2−r1≈dcos⁡θr_2-r_1\approx d\cos\theta,r1r2≈r2r_1 r_2\approx r^2。

电偶极子远区电位(⭐重要):

φ(r)=qdcos⁡θ4πε0r2=p⋅r4πε0r3,p=qd ez\varphi(\mathbf{r})=\frac{qd\cos\theta}{4\pi\varepsilon_0 r^2}=\frac{\mathbf{p}\cdot\mathbf{r}}{4\pi\varepsilon_0 r^3},\quad \mathbf{p}=qd\,\mathbf{e}_z

电偶极子远区电场(⭐重要):

E(r)=p4πε0r3(2cos⁡θ er+sin⁡θ eθ)\mathbf{E}(\mathbf{r})=\frac{p}{4\pi\varepsilon_0 r^3}(2\cos\theta\,\mathbf{e}_r+\sin\theta\,\mathbf{e}_\theta)

例 3.1.2 均匀电场 E0\mathbf{E}_0 的电位分布 ​

取原点 OO 电位为零,φ(P)=−E0⋅r\varphi(P)=-\mathbf{E}_0\cdot\mathbf{r}。球坐标(E0=E0ez\mathbf{E}_0=E_0\mathbf{e}_z):φ=−E0rcos⁡θ\varphi=-E_0 r\cos\theta;圆柱坐标(E0=E0ex\mathbf{E}_0=E_0\mathbf{e}_x):φ=−E0ρcos⁡ϕ\varphi=-E_0\rho\cos\phi。

例 3.1.3 两无限大接地导体板间的均匀面电荷 ​

x=0x=0、x=ax=a 处两无限大接地导体板,x=bx=b(0<b<a0<b<a)处有均匀面电荷 ρS0\rho_{S0}。求电位和电场。

解:两区域均满足 ∇2φ=0\nabla^2\varphi=0(一维),φ1(x)=A1x+B1\varphi_1(x)=A_1 x+B_1(0≤x≤b0\le x\le b),φ2(x)=A2x+B2\varphi_2(x)=A_2 x+B_2(b≤x≤ab\le x\le a)。边界条件:φ1(0)=0⇒B1=0\varphi_1(0)=0\Rightarrow B_1=0;φ2(a)=0⇒A2a+B2=0\varphi_2(a)=0\Rightarrow A_2 a+B_2=0;φ1(b)=φ2(b)\varphi_1(b)=\varphi_2(b);D2n−D1n=ρS0⇒−ε0A2−(−ε0A1)=ρS0D_{2n}-D_{1n}=\rho_{S0}\Rightarrow -\varepsilon_0 A_2-(-\varepsilon_0 A_1)=\rho_{S0}。

解得:

φ1(x)=ρS0(a−b)ε0ax,φ2(x)=ρS0b(a−x)ε0a\varphi_1(x)=\frac{\rho_{S0}(a-b)}{\varepsilon_0 a}x,\quad \varphi_2(x)=\frac{\rho_{S0}b(a-x)}{\varepsilon_0 a}

E1=−ρS0(a−b)ε0aex,E2=ρS0bε0aex\mathbf{E}_1=-\frac{\rho_{S0}(a-b)}{\varepsilon_0 a}\mathbf{e}_x,\quad \mathbf{E}_2=\frac{\rho_{S0}b}{\varepsilon_0 a}\mathbf{e}_x

3.1.3 导体系统的电容 ​

孤立导体电容 C=q/φC=q/\varphi;两导体电容器 C=q/UC=q/U(U=φ1−φ2U=\varphi_1-\varphi_2)。电容仅取决于几何形状和介质。

计算步骤:① 选坐标系;② 假定 ±q\pm q;③ 求 E\mathbf{E};④ 求 U=∫12E⋅dlU=\int_1^2\mathbf{E}\cdot d\mathbf{l};⑤ C=q/UC=q/U。

部分电容(多导体系统)课件提及概念但未展开公式。

例 3.1.4 平行双线传输线的电容 ​

导线半径 aa,轴线间距 D≫aD\gg a,周围空气。单位长度电容:

C1=πε0ln⁡[(D−a)/a]≈πε0ln⁡(D/a)F/mC_1=\frac{\pi\varepsilon_0}{\ln[(D-a)/a]}\approx\frac{\pi\varepsilon_0}{\ln(D/a)}\quad\mathrm{F/m}

解:E(x)=exρl2πε0(1x+1D−x)\mathbf{E}(x)=\mathbf{e}_x\dfrac{\rho_l}{2\pi\varepsilon_0}\left(\dfrac{1}{x}+\dfrac{1}{D-x}\right),U=∫aD−aEx dx=ρlπε0ln⁡D−aaU=\displaystyle\int_a^{D-a}E_x\,dx=\dfrac{\rho_l}{\pi\varepsilon_0}\ln\dfrac{D-a}{a},C1=ρl/UC_1=\rho_l/U。

例 3.1.5 同轴线单位长度电容 ​

内导体半径 aa,外导体内半径 bb,填充介电常数 ε\varepsilon 的均匀介质:

同轴线单位长度电容(⭐重要):

C1=2πεln⁡(b/a)F/mC_1=\frac{2\pi\varepsilon}{\ln(b/a)}\quad\mathrm{F/m}

E(ρ)=eρρl2περ\mathbf{E}(\rho)=\mathbf{e}_\rho\dfrac{\rho_l}{2\pi\varepsilon\rho},U=∫abEρ dρ=ρl2πεln⁡baU=\displaystyle\int_a^b E_\rho\,d\rho=\dfrac{\rho_l}{2\pi\varepsilon}\ln\dfrac{b}{a}。

3.1.4 静电场的能量 ​

点电荷系:We=12∑k=1NqkφkW_e=\dfrac{1}{2}\displaystyle\sum_{k=1}^N q_k\varphi_k(φk\varphi_k 为除 kk 外所有电荷在 kk 处产生的电位——只含互有能)。

连续分布:We=12∫Vρφ dV=12∫SρSφ dSW_e=\dfrac{1}{2}\displaystyle\int_V\rho\varphi\,dV=\dfrac{1}{2}\displaystyle\int_S\rho_S\varphi\,dS(包含自有能+互有能)。

电容器:We=12qU=12CU2=q22CW_e=\dfrac{1}{2}qU=\dfrac{1}{2}CU^2=\dfrac{q^2}{2C}。

能量密度的推导(课件过程)

  1. 以体电荷为例,静电场总能量

We=12∫Vρφ dVW_e=\frac{1}{2}\int_V\rho\varphi\,dV

把积分区域扩大到包围全部电荷的 V1V_1(区域外 ρ=0\rho=0,结果不变)。 2. 用 ρ=∇⋅D\rho=\nabla\cdot\mathbf{D}:

We=12∫V1(∇⋅D)φ dVW_e=\frac{1}{2}\int_{V_1}(\nabla\cdot\mathbf{D})\varphi\,dV

  1. 用矢量恒等式 ∇⋅(φD)=φ∇⋅D+∇φ⋅D\nabla\cdot(\varphi\mathbf{D})=\varphi\nabla\cdot\mathbf{D}+\nabla\varphi\cdot\mathbf{D},即 φ∇⋅D=∇⋅(φD)−D⋅∇φ\varphi\nabla\cdot\mathbf{D}=\nabla\cdot(\varphi\mathbf{D})-\mathbf{D}\cdot\nabla\varphi;再注意 E=−∇φ\mathbf{E}=-\nabla\varphi:

We=12∫V1[∇⋅(φD)+D⋅E]dV=12∮S1φD⋅dS+12∫V1D⋅E dVW_e=\frac{1}{2}\int_{V_1}\left[\nabla\cdot(\varphi\mathbf{D})+\mathbf{D}\cdot\mathbf{E}\right]dV =\frac{1}{2}\oint_{S_1}\varphi\mathbf{D}\cdot d\mathbf{S}+\frac{1}{2}\int_{V_1}\mathbf{D}\cdot\mathbf{E}\,dV

  1. 令 S1→∞S_1\to\infty:φ∼1/r\varphi\sim1/r、D∼1/r2\mathbf{D}\sim1/r^2、dS∼r2dS\sim r^2,故 ∮S1φD⋅dS∼1/r→0\oint_{S_1}\varphi\mathbf{D}\cdot d\mathbf{S}\sim1/r\to0,第一项为零:

We=12∫VD⋅E dVW_e=\frac{1}{2}\int_V\mathbf{D}\cdot\mathbf{E}\,dV

  1. 对线性各向同性介质 D=εE\mathbf{D}=\varepsilon\mathbf{E}:

We=12∫VεE2 dV=∫Vwe dVW_e=\frac{1}{2}\int_V\varepsilon E^2\,dV=\int_V w_e\,dV

故能量密度为

静电场能量密度(⭐重要):

we=12E⋅D=12εE2J/m3w_e=\frac{1}{2}\mathbf{E}\cdot\mathbf{D}=\frac{1}{2}\varepsilon E^2\quad\mathrm{J/m^3}

We=∫Vwe dVW_e=\displaystyle\int_V w_e\,dV。

例 3.1.6 均匀带电球体的电场能量 ​

半径 aa,体电荷密度 ρ\rho。E1=erρr3ε0\mathbf{E}_1=\mathbf{e}_r\dfrac{\rho r}{3\varepsilon_0}(r<ar<a),E2=erρa33ε0r2\mathbf{E}_2=\mathbf{e}_r\dfrac{\rho a^3}{3\varepsilon_0 r^2}(r>ar>a)。

We=12∫0aε0E12 4πr2dr+12∫a∞ε0E22 4πr2dr=4πρ2a515ε0W_e=\frac{1}{2}\int_0^a\varepsilon_0 E_1^2\,4\pi r^2 dr+\frac{1}{2}\int_a^\infty\varepsilon_0 E_2^2\,4\pi r^2 dr=\frac{4\pi\rho^2 a^5}{15\varepsilon_0}

也可用 We=12∫Vρφ dVW_e=\dfrac{1}{2}\displaystyle\int_V\rho\varphi\,dV 验证(φ1=ρa22ε0−ρr26ε0\varphi_1=\dfrac{\rho a^2}{2\varepsilon_0}-\dfrac{\rho r^2}{6\varepsilon_0},φ2=ρa33ε0r\varphi_2=\dfrac{\rho a^3}{3\varepsilon_0 r}),结果相同。

3.1.5 静电力(虚功原理) ​

广义坐标 gig_i,广义力 FiF_i。

恒电荷系统(qq 不变,dWS=0dW_S=0):Fi=−∂We∂gi∣qF_i=-\left.\dfrac{\partial W_e}{\partial g_i}\right|_q(WeW_e 表达式不能显含 φ\varphi)。

恒电位系统(φ\varphi 不变,dWS=2dWedW_S=2dW_e):Fi=+∂We∂gi∣φF_i=+\left.\dfrac{\partial W_e}{\partial g_i}\right|_\varphi(WeW_e 表达式不能显含 qq)。

例 3.1.7 部分填充电介质的平行板电容器受力(课件仅给出题目) ​

极板面积 l×bl\times b,板间距 dd,介电常数 ε\varepsilon 的介质片填入深度 x<lx<l,外加电压 U0U_0。求介质片受力。(补充解:C=εbxd+ε0b(l−x)dC=\dfrac{\varepsilon bx}{d}+\dfrac{\varepsilon_0 b(l-x)}{d},恒电位 Fx=∂We∂x=12U02dCdx=(ε−ε0)bU022dF_x=\dfrac{\partial W_e}{\partial x}=\dfrac{1}{2}U_0^2\dfrac{dC}{dx}=\dfrac{(\varepsilon-\varepsilon_0)bU_0^2}{2d},方向使介质片被吸入。)


3.2 导电媒质中的恒定电场分析 ​

3.2.1 基本方程和边界条件 ​

恒定电场:∂/∂t=0\partial/\partial t=0。∇⋅J=0\nabla\cdot\mathbf{J}=0,∇×E=0\nabla\times\mathbf{E}=0,J=σE\mathbf{J}=\sigma\mathbf{E},E=−∇φ\mathbf{E}=-\nabla\varphi,∇2φ=0\nabla^2\varphi=0。

边界条件:E1t=E2tE_{1t}=E_{2t}(即 φ1=φ2\varphi_1=\varphi_2);J1n=J2nJ_{1n}=J_{2n}(即 σ1∂φ1∂n=σ2∂φ2∂n\sigma_1\dfrac{\partial\varphi_1}{\partial n}=\sigma_2\dfrac{\partial\varphi_2}{\partial n})。

3.2.2 恒定电场与静电场的比拟 ​

静电场(ρ=0\rho=0 均匀介质)恒定电场(均匀导体)
∮E⋅dl=0\oint\mathbf{E}\cdot d\mathbf{l}=0,∮D⋅dS=0\oint\mathbf{D}\cdot d\mathbf{S}=0∮E⋅dl=0\oint\mathbf{E}\cdot d\mathbf{l}=0,∮J⋅dS=0\oint\mathbf{J}\cdot d\mathbf{S}=0
D=εE\mathbf{D}=\varepsilon\mathbf{E}J=σE\mathbf{J}=\sigma\mathbf{E}
∇2φ=0\nabla^2\varphi=0∇2φ=0\nabla^2\varphi=0
DnD_n 连续JnJ_n 连续
ε1∂φ1∂n=ε2∂φ2∂n\varepsilon_1\dfrac{\partial\varphi_1}{\partial n}=\varepsilon_2\dfrac{\partial\varphi_2}{\partial n}σ1∂φ1∂n=σ2∂φ2∂n\sigma_1\dfrac{\partial\varphi_1}{\partial n}=\sigma_2\dfrac{\partial\varphi_2}{\partial n}

对偶关系 ε↔σ\varepsilon\leftrightarrow\sigma,C↔GC\leftrightarrow G。若几何相同,G=σεCG=\dfrac{\sigma}{\varepsilon}C(由 C=Q/UC=Q/U、G=I/UG=I/U 及 Q↔IQ\leftrightarrow I、ε↔σ\varepsilon\leftrightarrow\sigma 逐项对应得到)。

边界条件的来历与 §2.7 相同:E1t=E2tE_{1t}=E_{2t} 由 ∮E⋅dl=0\oint\mathbf{E}\cdot d\mathbf{l}=0 的小扁矩形回路(Δh→0\Delta h\to0)得到;J1n=J2nJ_{1n}=J_{2n} 由 ∮J⋅dS=0\oint\mathbf{J}\cdot d\mathbf{S}=0 的小扁圆柱体(Δh→0\Delta h\to0)得到。

例 3.2.1 同轴线单位长度的绝缘电阻 ​

内导体半径 aa,外导体内半径 bb,填充介电常数 ε\varepsilon、电导率 σ\sigma 的非理想介质。

方法一(直接计算):设电流 II,J=I2πρlJ=\dfrac{I}{2\pi\rho l},E=Jσ=I2πρlσE=\dfrac{J}{\sigma}=\dfrac{I}{2\pi\rho l\sigma},U=∫abE dρ=I2πσlln⁡baU=\displaystyle\int_a^b E\,d\rho=\dfrac{I}{2\pi\sigma l}\ln\dfrac{b}{a},G=IU=2πσlln⁡(b/a)G=\dfrac{I}{U}=\dfrac{2\pi\sigma l}{\ln(b/a)},R=1G=12πσlln⁡baR=\dfrac{1}{G}=\dfrac{1}{2\pi\sigma l}\ln\dfrac{b}{a}。单位长度 R1=12πσln⁡ba Ω/mR_1=\dfrac{1}{2\pi\sigma}\ln\dfrac{b}{a}\ \Omega/\mathrm{m}。

方法二(静电比拟):由例 3.1.5 C1=2πεln⁡(b/a)C_1=\dfrac{2\pi\varepsilon}{\ln(b/a)},故 G1=σεC1=2πσln⁡(b/a) S/mG_1=\dfrac{\sigma}{\varepsilon}C_1=\dfrac{2\pi\sigma}{\ln(b/a)}\ \mathrm{S/m},R1=1G1R_1=\dfrac{1}{G_1}。


3.3 恒定磁场分析 ​

3.3.1 基本方程和边界条件(回顾) ​

∇⋅B=0\nabla\cdot\mathbf{B}=0,∇×H=J\nabla\times\mathbf{H}=\mathbf{J},B=μH\mathbf{B}=\mu\mathbf{H}。边界条件见 §2.7。

3.3.2 磁位函数 ​

矢量磁位 A\mathbf{A}:B=∇×A\mathbf{B}=\nabla\times\mathbf{A},库仑规范 ∇⋅A=0\nabla\cdot\mathbf{A}=0。单位 T⋅m\mathrm{T\cdot m}。

磁矢位的泊松方程:∇2A=−μJ\nabla^2\mathbf{A}=-\mu\mathbf{J}(无源区 ∇2A=0\nabla^2\mathbf{A}=0)。

直角坐标分解为三个标量泊松方程,解类比静电位:

A(r)=μ4π∫VJ(r′)∣r−r′∣dV′+C\mathbf{A}(\mathbf{r})=\frac{\mu}{4\pi}\int_V\frac{\mathbf{J}(\mathbf{r}')}{|\mathbf{r}-\mathbf{r}'|}dV'+\mathbf{C}

对线电流 A=μ4π∮CI dl′R+C\mathbf{A}=\dfrac{\mu}{4\pi}\displaystyle\oint_C\dfrac{I\,d\mathbf{l}'}{R}+\mathbf{C};dAd\mathbf{A} 与 dl′d\mathbf{l}' 同方向。

磁矢位边界条件:A1=A2\mathbf{A}_1=\mathbf{A}_2;1μ1(∇×A1)−1μ2(∇×A2)=JS×en\dfrac{1}{\mu_1}(\nabla\times\mathbf{A}_1)-\dfrac{1}{\mu_2}(\nabla\times\mathbf{A}_2)=\mathbf{J}_S\times\mathbf{e}_n。

标量磁位 φm\varphi_m:无自由电流区(J=0\mathbf{J}=0)∇×H=0⇒H=−∇φm\nabla\times\mathbf{H}=0\Rightarrow\mathbf{H}=-\nabla\varphi_m。

∇2φm=0\nabla^2\varphi_m=0(拉普拉斯方程)。表达式类比静电位:φm(r)=14π∫Vρm(r′)∣r−r′∣dV′+C\varphi_m(\mathbf{r})=\dfrac{1}{4\pi}\displaystyle\int_V\dfrac{\rho_m(\mathbf{r}')}{|\mathbf{r}-\mathbf{r}'|}dV'+C,其中 ρm=−μ0∇⋅M\rho_m=-\mu_0\nabla\cdot\mathbf{M}(假想磁荷密度)。

静电位与磁标位比拟:φ↔φm\varphi\leftrightarrow\varphi_m,ε↔μ\varepsilon\leftrightarrow\mu,ρ↔ρm\rho\leftrightarrow\rho_m,E↔H\mathbf{E}\leftrightarrow\mathbf{H},D↔B\mathbf{D}\leftrightarrow\mathbf{B}。

3.3.3 电感 ​

自感 L=Ψ/IL=\Psi/I(Ψ\Psi 为与回路交链的磁链)。只与几何形状、尺寸、磁介质有关。

粗导体回路:L=L0+LiL=L_0+L_i(外自感+内自感),L0=Ψ0/IL_0=\Psi_0/I,Li=Ψi/IL_i=\Psi_i/I。

互感 M12=Ψ21/I1M_{12}=\Psi_{21}/I_1,M21=Ψ12/I2M_{21}=\Psi_{12}/I_2,M12=M21=MM_{12}=M_{21}=M。

纽曼公式的推导(课件过程)

  1. 回路 C1C_1 中的电流 I1I_1 在回路 C2C_2 上任一点产生的矢量磁位

A1(r2)=μ0I14π∮C1dl1R\mathbf{A}_1(\mathbf{r}_2)=\frac{\mu_0 I_1}{4\pi}\oint_{C_1}\frac{d\mathbf{l}_1}{R}

  1. C1C_1 的磁场与 C2C_2 交链的磁链

Ψ21=∮C2A1⋅dl2=μ0I14π∮C2∮C1dl2⋅dl1R\Psi_{21}=\oint_{C_2}\mathbf{A}_1\cdot d\mathbf{l}_2=\frac{\mu_0 I_1}{4\pi}\oint_{C_2}\oint_{C_1}\frac{d\mathbf{l}_2\cdot d\mathbf{l}_1}{R}

  1. 由互感定义 M12=Ψ21/I1M_{12}=\Psi_{21}/I_1:

M12=μ04π∮C1∮C2dl1⋅dl2RM_{12}=\frac{\mu_0}{4\pi}\oint_{C_1}\oint_{C_2}\frac{d\mathbf{l}_1\cdot d\mathbf{l}_2}{R}

  1. 同理

M21=Ψ12I2=μ04π∮C1∮C2dl1⋅dl2RM_{21}=\frac{\Psi_{12}}{I_2}=\frac{\mu_0}{4\pi}\oint_{C_1}\oint_{C_2}\frac{d\mathbf{l}_1\cdot d\mathbf{l}_2}{R}

(点积可交换、二重积分可交换次序。)故 M12=M21=MM_{12}=M_{21}=M,即

纽曼公式(⭐重要):

M=μ04π∮C1∮C2dl1⋅dl2RM=\frac{\mu_0}{4\pi}\oint_{C_1}\oint_{C_2}\frac{d\mathbf{l}_1\cdot d\mathbf{l}_2}{R}

例 3.3.3 同轴线单位长度的电感 ​

内导体半径 aa,外导体内半径 bb,空气填充,电流 II。

安培环路定理:B=eϕμ0Iρ2πa2\mathbf{B}=\mathbf{e}_\phi\dfrac{\mu_0 I\rho}{2\pi a^2}(0≤ρ≤a0\le\rho\le a),eϕμ0I2πρ\mathbf{e}_\phi\dfrac{\mu_0 I}{2\pi\rho}(a<ρ<ba<\rho<b)。

外自感(a<ρ<ba<\rho<b):Ψ0=∫abμ0I2πρdρ=μ0I2πln⁡ba\Psi_0=\displaystyle\int_a^b\dfrac{\mu_0 I}{2\pi\rho}d\rho=\dfrac{\mu_0 I}{2\pi}\ln\dfrac{b}{a},L0=μ02πln⁡baL_0=\dfrac{\mu_0}{2\pi}\ln\dfrac{b}{a}。

内自感(0≤ρ≤a0\le\rho\le a):Ψi=∫0aμ0Iρ2πa2⋅πρ2πa2dρ=μ0I8π\Psi_i=\displaystyle\int_0^a\dfrac{\mu_0 I\rho}{2\pi a^2}\cdot\dfrac{\pi\rho^2}{\pi a^2}d\rho=\dfrac{\mu_0 I}{8\pi}(分匝数 N=(ρ/a)2N=(\rho/a)^2),Li=μ08πL_i=\dfrac{\mu_0}{8\pi}。

同轴线单位长度电感(⭐重要):

L=L0+Li=μ02πln⁡ba+μ08πH/mL=L_0+L_i=\frac{\mu_0}{2\pi}\ln\frac{b}{a}+\frac{\mu_0}{8\pi}\quad\mathrm{H/m}

例 3.3.5 长直导线与三角形导线回路的互感 ​

长直导线电流 II,三角形回路底边长 bb,与导线距离 dd,顶角 60°60°。B=eϕμ0I2πx\mathbf{B}=\mathbf{e}_\phi\dfrac{\mu_0 I}{2\pi x}。穿过三角形的磁通:

Ψ=∫dd+bμ0I2πxz dx,z=3[(b+d)−x]\Psi=\int_d^{d+b}\frac{\mu_0 I}{2\pi x}z\,dx,\quad z=\sqrt{3}[(b+d)-x]

Ψ=3μ0I2π[(b+d)ln⁡(1+bd)−b]\Psi=\frac{\sqrt{3}\mu_0 I}{2\pi}\left[(b+d)\ln\left(1+\frac{b}{d}\right)-b\right]

长直导线与三角形回路的互感(⭐重要):

M=ΨI=3μ02π[(b+d)ln⁡(1+bd)−b]M=\frac{\Psi}{I}=\frac{\sqrt{3}\mu_0}{2\pi}\left[(b+d)\ln\left(1+\frac{b}{d}\right)-b\right]

3.3.4 恒定磁场的能量 ​

NN 个回路:Wm=12∑k=1NIkΨkW_m=\dfrac{1}{2}\displaystyle\sum_{k=1}^N I_k\Psi_k。单回路 Wm=12LI2=12IΨW_m=\dfrac{1}{2}LI^2=\dfrac{1}{2}I\Psi。

能量密度的推导(课件给出结论;推导为(补充))

由 Wm=12∫VJ⋅A dVW_m=\dfrac{1}{2}\displaystyle\int_V\mathbf{J}\cdot\mathbf{A}\,dV,代入 J=∇×H\mathbf{J}=\nabla\times\mathbf{H}:

Wm=12∫V(∇×H)⋅A dVW_m=\frac{1}{2}\int_V(\nabla\times\mathbf{H})\cdot\mathbf{A}\,dV

用 ∇⋅(A×H)=H⋅(∇×A)−A⋅(∇×H)\nabla\cdot(\mathbf{A}\times\mathbf{H})=\mathbf{H}\cdot(\nabla\times\mathbf{A})-\mathbf{A}\cdot(\nabla\times\mathbf{H}) 及 B=∇×A\mathbf{B}=\nabla\times\mathbf{A}:

Wm=12∫VH⋅B dV−12∮S(A×H)⋅dSW_m=\frac{1}{2}\int_V\mathbf{H}\cdot\mathbf{B}\,dV-\frac{1}{2}\oint_S(\mathbf{A}\times\mathbf{H})\cdot d\mathbf{S}

取 S→∞S\to\infty:A∼1/r\mathbf{A}\sim1/r、H∼1/r2\mathbf{H}\sim1/r^2、dS∼r2dS\sim r^2,面积分 →0\to0:

Wm=12∫VH⋅B dV=∫Vwm dVW_m=\frac{1}{2}\int_V\mathbf{H}\cdot\mathbf{B}\,dV=\int_V w_m\,dV

故

恒定磁场能量密度(⭐重要):

wm=12B⋅H=12μH2=B22μJ/m3w_m=\frac{1}{2}\mathbf{B}\cdot\mathbf{H}=\frac{1}{2}\mu H^2=\frac{B^2}{2\mu}\quad\mathrm{J/m^3}

Wm=∫Vwm dVW_m=\displaystyle\int_V w_m\,dV。

例 3.3.7 同轴电缆单位长度磁场能量与自感 ​

内导体半径 aa,外导体内/外半径 bb、cc,电流 II。

H={eϕρI2πa2,0<ρ<aeϕI2πρ,a<ρ<beϕI2πρc2−ρ2c2−b2,b<ρ<c0,ρ>c\mathbf{H}=\begin{cases}\mathbf{e}_\phi\dfrac{\rho I}{2\pi a^2},& 0<\rho<a\\ \mathbf{e}_\phi\dfrac{I}{2\pi\rho},& a<\rho<b\\ \mathbf{e}_\phi\dfrac{I}{2\pi\rho}\dfrac{c^2-\rho^2}{c^2-b^2},& b<\rho<c\\ 0,& \rho>c\end{cases}

Wm1=μ0I216π,Wm2=μ0I24πln⁡ba,Wm3=μ0I24π[c4(c2−b2)2ln⁡cb−3c2−b24(c2−b2)]W_{m1}=\frac{\mu_0 I^2}{16\pi},\quad W_{m2}=\frac{\mu_0 I^2}{4\pi}\ln\frac{b}{a},\quad W_{m3}=\frac{\mu_0 I^2}{4\pi}\left[\frac{c^4}{(c^2-b^2)^2}\ln\frac{c}{b}-\frac{3c^2-b^2}{4(c^2-b^2)}\right]

L=2WmI2=μ08π+μ02πln⁡ba+μ02π[c4(c2−b2)2ln⁡cb−3c2−b24(c2−b2)]L=\frac{2W_m}{I^2}=\frac{\mu_0}{8\pi}+\frac{\mu_0}{2\pi}\ln\frac{b}{a}+\frac{\mu_0}{2\pi}\left[\frac{c^4}{(c^2-b^2)^2}\ln\frac{c}{b}-\frac{3c^2-b^2}{4(c^2-b^2)}\right]

(内自感+外自感+外导体内自感)

3.3.5 磁场力 ​

虚功原理:dWS=Fi dgi+dWmdW_S=F_i\,dg_i+dW_m。

恒磁链(Ψ\Psi 不变,dWS=0dW_S=0):Fi=−∂Wm∂gi∣ΨF_i=-\left.\dfrac{\partial W_m}{\partial g_i}\right|_\Psi。

恒电流(II 不变,dWS=2dWmdW_S=2dW_m):Fi=+∂Wm∂gi∣IF_i=+\left.\dfrac{\partial W_m}{\partial g_i}\right|_I。


3.5 镜像法 ​

依据:唯一性定理——方程相同、边界条件相同,则解唯一。

思想:引入镜像电荷(虚设),撤走导体/介质,使原区域变为无限大均匀介质,避开求解泊松/拉普拉斯方程。

特点:对外等效(求解区域解正确)、对内不等效(镜像电荷所在区域不正确)。

适用范围:仅静电场/恒定电场/恒定磁场;几何结构简单;镜像电荷只能位于非求解区域。

步骤:① 猜镜像电荷个数/电量/位置;② 验证撤走导体/介质后原边界条件仍满足;③ 叠加原电荷+镜像电荷得求解区域场。

镜像法例 1 相交半无限大接地导体平面 ​

点电荷 +q+q 位于两相交(90°90°)接地导体平面角内。需 3 个镜像电荷:−q-q(关于平面 1 对称),−q-q(关于平面 2 对称),+q+q(关于角平分线对称)。

镜像法例 2 点电荷对无限大接地导体平面的镜像 ​

点电荷 +q+q 距地面高度 hh。镜像电荷 −q-q 位于对称位置(地面下 hh)。

地面感应电荷面密度:ρS=−ε0En∣z=0=−qh2π(x2+h2)3/2\rho_S=-\varepsilon_0 E_n|_{z=0}=-\dfrac{qh}{2\pi(x^2+h^2)^{3/2}}。

感应电荷总量:∫SρS dS=−q\displaystyle\int_S\rho_S\,dS=-q。

镜像法例 3 点电荷对接地导体球面的镜像 ​

点电荷 +q+q 距球心 dd,球半径 RR。镜像电荷 −q′=−qR/d-q'=-qR/d,位于距球心 b=R2/db=R^2/d 处。

镜像法例 4 点电荷对不接地导体球面的镜像 ​

在例 3 基础上,球面为等位面且通量为零,需在球心再加一镜像电荷 +q′=+qR/d+q'=+qR/d。

任意点 PP 电位:φ=q4πε0(1r1−R/dr2+R/dr)\varphi=\dfrac{q}{4\pi\varepsilon_0}\left(\dfrac{1}{r_1}-\dfrac{R/d}{r_2}+\dfrac{R/d}{r}\right),其中 r1r_1、r2r_2 为 PP 到 qq 和 −q′-q' 的距离,rr 为 PP 到球心距离。

球面电位:φ球面=q4πε0d\varphi_{\text{球面}}=\dfrac{q}{4\pi\varepsilon_0 d}。

镜像法例 5 点电荷 +q+q 对"接地金属球壳 + 接地无限大金属平板"组合 ​

需无穷系列镜像电荷:qq 关于平板的像 −q-q,−q-q 关于球壳的像 +qR/c+qR/c,…(无限迭代)。

镜像法例 6 点电荷对无限大介质分界面的镜像 ​

qq 在 ε1\varepsilon_1 中距界面 hh。ε1\varepsilon_1 中场由 qq 和 q′=ε1−ε2ε1+ε2qq'=\dfrac{\varepsilon_1-\varepsilon_2}{\varepsilon_1+\varepsilon_2}q(位于对称位置)共同产生;ε2\varepsilon_2 中场由 q′′=2ε2ε1+ε2qq''=\dfrac{2\varepsilon_2}{\varepsilon_1+\varepsilon_2}q(位于 qq 原位)产生。


第3章 易错点与常考题型 ​

易错点:

  1. 电位 φ\varphi 含任意常数 CC,必须指定参考点(通常无穷远或接地导体)才有确定值。
  2. 泊松方程 ∇2φ=−ρ/ε\nabla^2\varphi=-\rho/\varepsilon 的负号易丢。
  3. 电容计算 C=q/UC=q/U 中 UU 是两导体间的电位差(沿电场线积分),不要与单导体电位 φ\varphi 混淆。
  4. 电场能量 We=12∫ρφ dVW_e=\dfrac{1}{2}\displaystyle\int\rho\varphi\,dV 对连续分布包含自有能;点电荷系 We=12∑qkφkW_e=\dfrac{1}{2}\sum q_k\varphi_k 只含互有能。
  5. 虚功原理求静电力:恒电荷用 F=−∂We/∂g∣qF=-\partial W_e/\partial g|_q,恒电位用 F=+∂We/∂g∣φF=+\partial W_e/\partial g|_\varphi,符号相反且 WeW_e 表达式的自变量必须匹配。
  6. 磁矢位 A\mathbf{A} 是矢量,直角坐标可分解为三个标量泊松方程,但柱/球坐标下不能简单分解。
  7. 自感 L=Ψ/IL=\Psi/I 中 Ψ\Psi 是磁链(穿过回路的磁通量×匝数),粗导体回路分内/外自感。
  8. 纽曼公式 M=μ04π∮∮dl1⋅dl2RM=\dfrac{\mu_0}{4\pi}\displaystyle\oint\oint\dfrac{d\mathbf{l}_1\cdot d\mathbf{l}_2}{R} 仅适用于细导线回路。
  9. 磁场能量密度 wm=12B⋅Hw_m=\dfrac{1}{2}\mathbf{B}\cdot\mathbf{H} 与电场能量密度形式对称,但 B\mathbf{B}、H\mathbf{H} 不是独立变量。
  10. 镜像电荷必须位于非求解区域;镜像法只保证求解区域正确。

常考题型:

  1. 用高斯定理求 E\mathbf{E} 后积分求电位差、电容(平行板、圆柱、球形电容器)。
  2. 静电比拟法由电容求电导/绝缘电阻。
  3. 安培环路定理求 B\mathbf{B}、H\mathbf{H} 后求自感/互感/磁场能量。
  4. 虚功原理求静电力/磁场力(注意恒电荷/恒电位、恒磁链/恒电流的符号)。
  5. 镜像法(必考):接地平面、接地球面、介质分界面——确定镜像电荷位置/电量,写电位/电场。
  6. 已知 E\mathbf{E} 或 B\mathbf{B} 用能量密度积分求总能量。

第4章 时变电磁场 ​

4.1 波动方程 ​

无源区(ρ=0\rho=0,J=0\mathbf{J}=0)线性各向同性均匀介质(D=εE\mathbf{D}=\varepsilon\mathbf{E},B=μH\mathbf{B}=\mu\mathbf{H}):

∇×H=ε∂E∂t,∇×E=−μ∂H∂t,∇⋅E=0,∇⋅H=0\nabla\times\mathbf{H}=\varepsilon\frac{\partial\mathbf{E}}{\partial t},\quad \nabla\times\mathbf{E}=-\mu\frac{\partial\mathbf{H}}{\partial t},\quad \nabla\cdot\mathbf{E}=0,\quad \nabla\cdot\mathbf{H}=0

波动方程的推导(课件过程)

  1. 对 ∇×E=−μ∂H∂t\nabla\times\mathbf{E}=-\mu\dfrac{\partial\mathbf{H}}{\partial t} 两边取旋度:

∇×(∇×E)=−μ∂∂t(∇×H)\nabla\times(\nabla\times\mathbf{E})=-\mu\frac{\partial}{\partial t}(\nabla\times\mathbf{H})

  1. 代入 ∇×H=ε∂E∂t\nabla\times\mathbf{H}=\varepsilon\dfrac{\partial\mathbf{E}}{\partial t}:

∇×(∇×E)=−με∂2E∂t2\nabla\times(\nabla\times\mathbf{E})=-\mu\varepsilon\frac{\partial^2\mathbf{E}}{\partial t^2}

即

∇×(∇×E)+με∂2E∂t2=0\nabla\times(\nabla\times\mathbf{E})+\mu\varepsilon\frac{\partial^2\mathbf{E}}{\partial t^2}=0

  1. 用矢量恒等式 ∇×(∇×E)=∇(∇⋅E)−∇2E\nabla\times(\nabla\times\mathbf{E})=\nabla(\nabla\cdot\mathbf{E})-\nabla^2\mathbf{E},并代入无源条件 ∇⋅E=0\nabla\cdot\mathbf{E}=0:

∇2E−με∂2E∂t2=0\nabla^2\mathbf{E}-\mu\varepsilon\frac{\partial^2\mathbf{E}}{\partial t^2}=0

  1. 对 ∇×H=ε∂E∂t\nabla\times\mathbf{H}=\varepsilon\dfrac{\partial\mathbf{E}}{\partial t} 取旋度并代入 ∇×E=−μ∂H∂t\nabla\times\mathbf{E}=-\mu\dfrac{\partial\mathbf{H}}{\partial t},同理(并用 ∇⋅H=0\nabla\cdot\mathbf{H}=0)得 H\mathbf{H} 的方程。两式合写为

无源区域的波动方程(⭐重要):

∇2E−με∂2E∂t2=0,∇2H−με∂2H∂t2=0\nabla^2\mathbf{E}-\mu\varepsilon\frac{\partial^2\mathbf{E}}{\partial t^2}=0,\quad \nabla^2\mathbf{H}-\mu\varepsilon\frac{\partial^2\mathbf{H}}{\partial t^2}=0

直角坐标分解为三个标量波动方程,如 ∂2Ex∂x2+∂2Ex∂y2+∂2Ex∂z2−με∂2Ex∂t2=0\dfrac{\partial^2 E_x}{\partial x^2}+\dfrac{\partial^2 E_x}{\partial y^2}+\dfrac{\partial^2 E_x}{\partial z^2}-\mu\varepsilon\dfrac{\partial^2 E_x}{\partial t^2}=0。

4.2 电磁场的位函数 ​

矢量位 A\mathbf{A}:B=∇×A\mathbf{B}=\nabla\times\mathbf{A}。代入法拉第定律 ∇×(E+∂A/∂t)=0\nabla\times(\mathbf{E}+\partial\mathbf{A}/\partial t)=0,得 E=−∇φ−∂A/∂t\mathbf{E}=-\nabla\varphi-\partial\mathbf{A}/\partial t(φ\varphi 为标量位)。

洛伦兹规范:∇⋅A=−με∂φ∂t\nabla\cdot\mathbf{A}=-\mu\varepsilon\dfrac{\partial\varphi}{\partial t}(使 A\mathbf{A}、φ\varphi 唯一)。

达朗贝尔方程的推导(课件过程)

  1. 由 B=∇×A\mathbf{B}=\nabla\times\mathbf{A} 和 E=−∂A∂t−∇φ\mathbf{E}=-\dfrac{\partial\mathbf{A}}{\partial t}-\nabla\varphi,代入 ∇×H=J+∂D∂t\nabla\times\mathbf{H}=\mathbf{J}+\dfrac{\partial\mathbf{D}}{\partial t}(H=B/μ\mathbf{H}=\mathbf{B}/\mu,D=εE\mathbf{D}=\varepsilon\mathbf{E}):

∇×∇×A=μJ−με∂2A∂t2−με∇∂φ∂t\nabla\times\nabla\times\mathbf{A}=\mu\mathbf{J}-\mu\varepsilon\frac{\partial^2\mathbf{A}}{\partial t^2}-\mu\varepsilon\nabla\frac{\partial\varphi}{\partial t}

  1. 用 ∇×∇×A=∇(∇⋅A)−∇2A\nabla\times\nabla\times\mathbf{A}=\nabla(\nabla\cdot\mathbf{A})-\nabla^2\mathbf{A} 整理:

∇2A−με∂2A∂t2−∇(∇⋅A+με∂φ∂t)=−μJ\nabla^2\mathbf{A}-\mu\varepsilon\frac{\partial^2\mathbf{A}}{\partial t^2}-\nabla\left(\nabla\cdot\mathbf{A}+\mu\varepsilon\frac{\partial\varphi}{\partial t}\right)=-\mu\mathbf{J}

  1. 代入洛伦兹条件 ∇⋅A=−με∂φ∂t\nabla\cdot\mathbf{A}=-\mu\varepsilon\dfrac{\partial\varphi}{\partial t},梯度项为零,得矢量位的达朗贝尔方程:

∇2A−με∂2A∂t2=−μJ\nabla^2\mathbf{A}-\mu\varepsilon\frac{\partial^2\mathbf{A}}{\partial t^2}=-\mu\mathbf{J}

  1. 对 ∇⋅D=ρ\nabla\cdot\mathbf{D}=\rho 代入 D=εE\mathbf{D}=\varepsilon\mathbf{E} 和 E=−∂A∂t−∇φ\mathbf{E}=-\dfrac{\partial\mathbf{A}}{\partial t}-\nabla\varphi:

∇2φ+∂∂t(∇⋅A)=−ρε\nabla^2\varphi+\frac{\partial}{\partial t}(\nabla\cdot\mathbf{A})=-\frac{\rho}{\varepsilon}

  1. 再用洛伦兹条件消去 ∇⋅A\nabla\cdot\mathbf{A},得标量位的达朗贝尔方程:

∇2φ−με∂2φ∂t2=−ρε\nabla^2\varphi-\mu\varepsilon\frac{\partial^2\varphi}{\partial t^2}=-\frac{\rho}{\varepsilon}

两式合写为

达朗贝尔方程(⭐重要):

∇2A−με∂2A∂t2=−μJ,∇2φ−με∂2φ∂t2=−ρε\nabla^2\mathbf{A}-\mu\varepsilon\frac{\partial^2\mathbf{A}}{\partial t^2}=-\mu\mathbf{J},\quad \nabla^2\varphi-\mu\varepsilon\frac{\partial^2\varphi}{\partial t^2}=-\frac{\rho}{\varepsilon}

A\mathbf{A} 仅取决于 J\mathbf{J},φ\varphi 仅取决于 ρ\rho;形式对称,反映电磁场有限传播速度。

4.3 电磁能量守恒定律——坡印廷定理 ​

电场/磁场能量密度:we=12E⋅Dw_e=\dfrac{1}{2}\mathbf{E}\cdot\mathbf{D},wm=12H⋅Bw_m=\dfrac{1}{2}\mathbf{H}\cdot\mathbf{B}。总能量密度 w=we+wmw=w_e+w_m。

坡印廷矢量(能流密度):S=E×H\mathbf{S}=\mathbf{E}\times\mathbf{H},方向为能量传输方向,大小为单位时间垂直通过单位面积的能量。

坡印廷定理的推导(课件给出定理结论;以下推导为(补充))

  1. 取 E⋅(∇×H)−H⋅(∇×E)\mathbf{E}\cdot(\nabla\times\mathbf{H})-\mathbf{H}\cdot(\nabla\times\mathbf{E}),用矢量恒等式

∇⋅(E×H)=H⋅(∇×E)−E⋅(∇×H)\nabla\cdot(\mathbf{E}\times\mathbf{H})=\mathbf{H}\cdot(\nabla\times\mathbf{E})-\mathbf{E}\cdot(\nabla\times\mathbf{H})

得

E⋅(∇×H)−H⋅(∇×E)=−∇⋅(E×H)\mathbf{E}\cdot(\nabla\times\mathbf{H})-\mathbf{H}\cdot(\nabla\times\mathbf{E})=-\nabla\cdot(\mathbf{E}\times\mathbf{H})

  1. 代入麦克斯韦方程 ∇×H=J+∂D∂t\nabla\times\mathbf{H}=\mathbf{J}+\dfrac{\partial\mathbf{D}}{\partial t}、∇×E=−∂B∂t\nabla\times\mathbf{E}=-\dfrac{\partial\mathbf{B}}{\partial t}:

−∇⋅(E×H)=E⋅J+E⋅∂D∂t+H⋅∂B∂t-\nabla\cdot(\mathbf{E}\times\mathbf{H})=\mathbf{E}\cdot\mathbf{J}+\mathbf{E}\cdot\frac{\partial\mathbf{D}}{\partial t}+\mathbf{H}\cdot\frac{\partial\mathbf{B}}{\partial t}

  1. 对线性各向同性媒质,

E⋅∂D∂t=∂∂t(12E⋅D),H⋅∂B∂t=∂∂t(12H⋅B)\mathbf{E}\cdot\frac{\partial\mathbf{D}}{\partial t}=\frac{\partial}{\partial t}\left(\frac{1}{2}\mathbf{E}\cdot\mathbf{D}\right),\qquad \mathbf{H}\cdot\frac{\partial\mathbf{B}}{\partial t}=\frac{\partial}{\partial t}\left(\frac{1}{2}\mathbf{H}\cdot\mathbf{B}\right)

故得微分形式:

−∇⋅(E×H)=E⋅J+∂∂t(12E⋅D+12H⋅B)-\nabla\cdot(\mathbf{E}\times\mathbf{H})=\mathbf{E}\cdot\mathbf{J}+\frac{\partial}{\partial t}\left(\frac{1}{2}\mathbf{E}\cdot\mathbf{D}+\frac{1}{2}\mathbf{H}\cdot\mathbf{B}\right)

  1. 对体积 VV 积分并用散度定理,得积分形式:

积分形式:−∮S(E×H)⋅dS=∫VE⋅J dV+ddt∫V(12E⋅D+12H⋅B)dV-\displaystyle\oint_S(\mathbf{E}\times\mathbf{H})\cdot d\mathbf{S}=\displaystyle\int_V\mathbf{E}\cdot\mathbf{J}\,dV+\dfrac{d}{dt}\displaystyle\int_V\left(\dfrac{1}{2}\mathbf{E}\cdot\mathbf{D}+\dfrac{1}{2}\mathbf{H}\cdot\mathbf{B}\right)dV。

物理意义:进入体积 VV 的电磁能 = VV 中增加的电磁能 + VV 中损耗的焦耳热。

4.4 唯一性定理 ​

在闭合曲面 SS 围成的有界区域 VV 内,若给定 t=0t=0 时刻 E\mathbf{E}、H\mathbf{H} 的初始值,以及 t≥0t\ge 0 时 SS 上 E\mathbf{E} 的切向分量(或 H\mathbf{H} 的切向分量),则 t>0t>0 时 VV 内的电磁场由 Maxwell 方程组唯一确定。

证明(补充;课件只给结论):设 (E1,H1)(\mathbf{E}_1,\mathbf{H}_1)、(E2,H2)(\mathbf{E}_2,\mathbf{H}_2) 是满足同一方程、同一初始条件和同一边界条件的两组解。令差场 δE=E1−E2\delta\mathbf{E}=\mathbf{E}_1-\mathbf{E}_2、δH=H1−H2\delta\mathbf{H}=\mathbf{H}_1-\mathbf{H}_2,则差场满足无源 Maxwell 方程,且

t=0: δE=δH=0;S 上: en×δE=0t=0:\ \delta\mathbf{E}=\delta\mathbf{H}=0;\qquad S\ \text{上}:\ \mathbf{e}_n\times\delta\mathbf{E}=0

定义电磁能量

W(t)=12∫V(ε∣δE∣2+μ∣δH∣2)dVW(t)=\frac{1}{2}\int_V\left(\varepsilon|\delta\mathbf{E}|^2+\mu|\delta\mathbf{H}|^2\right)dV

由 ∇×δH=σδE+ε∂δE∂t\nabla\times\delta\mathbf{H}=\sigma\delta\mathbf{E}+\varepsilon\dfrac{\partial\delta\mathbf{E}}{\partial t}、∇×δE=−μ∂δH∂t\nabla\times\delta\mathbf{E}=-\mu\dfrac{\partial\delta\mathbf{H}}{\partial t},对时间求导:

dWdt=∫V(δE⋅∇×δH−δH⋅∇×δE)dV−∫Vσ∣δE∣2 dV\frac{dW}{dt}=\int_V\left(\delta\mathbf{E}\cdot\nabla\times\delta\mathbf{H}-\delta\mathbf{H}\cdot\nabla\times\delta\mathbf{E}\right)dV-\int_V\sigma|\delta\mathbf{E}|^2\,dV

用 ∇⋅(δE×δH)=δH⋅∇×δE−δE⋅∇×δH\nabla\cdot(\delta\mathbf{E}\times\delta\mathbf{H})=\delta\mathbf{H}\cdot\nabla\times\delta\mathbf{E}-\delta\mathbf{E}\cdot\nabla\times\delta\mathbf{H} 和散度定理:

dWdt=−∮S(δE×δH)⋅dS−∫Vσ∣δE∣2 dV\frac{dW}{dt}=-\oint_S(\delta\mathbf{E}\times\delta\mathbf{H})\cdot d\mathbf{S}-\int_V\sigma|\delta\mathbf{E}|^2\,dV

因 en×δE=0\mathbf{e}_n\times\delta\mathbf{E}=0,有 (δE×δH)⋅en=δH⋅(en×δE)=0(\delta\mathbf{E}\times\delta\mathbf{H})\cdot\mathbf{e}_n=\delta\mathbf{H}\cdot(\mathbf{e}_n\times\delta\mathbf{E})=0,面积分为零:

dWdt=−∫Vσ∣δE∣2 dV≤0\frac{dW}{dt}=-\int_V\sigma|\delta\mathbf{E}|^2\,dV\le0

又 W(0)=0W(0)=0 且 W(t)≥0W(t)\ge0,故 W(t)≡0W(t)\equiv0,从而 δE=δH=0\delta\mathbf{E}=\delta\mathbf{H}=0。唯一性得证。

4.5 时谐电磁场 ​

4.5.1 复数表示 ​

时谐标量 u(r,t)=um(r)cos⁡[ωt+ϕ(r)]=Re[u˙(r)ejωt]u(\mathbf{r},t)=u_m(\mathbf{r})\cos[\omega t+\phi(\mathbf{r})]=\text{Re}\left[\dot{u}(\mathbf{r})e^{j\omega t}\right],复振幅 u˙=umejϕ\dot{u}=u_m e^{j\phi}。

时谐矢量 F(r,t)=Re[F˙(r)ejωt]\mathbf{F}(\mathbf{r},t)=\text{Re}\left[\dot{\mathbf{F}}(\mathbf{r})e^{j\omega t}\right],F˙=exF˙x+eyF˙y+ezF˙z\dot{\mathbf{F}}=\mathbf{e}_x\dot{F}_x+\mathbf{e}_y\dot{F}_y+\mathbf{e}_z\dot{F}_z。

对时间导数:∂/∂t→jω\partial/\partial t\to j\omega。

4.5.2 复矢量的 Maxwell 方程 ​

∇×H˙=J˙+jωD˙,∇×E˙=−jωB˙,∇⋅B˙=0,∇⋅D˙=ρ˙\nabla\times\dot{\mathbf{H}}=\dot{\mathbf{J}}+j\omega\dot{\mathbf{D}},\quad \nabla\times\dot{\mathbf{E}}=-j\omega\dot{\mathbf{B}},\quad \nabla\cdot\dot{\mathbf{B}}=0,\quad \nabla\cdot\dot{\mathbf{D}}=\dot{\rho}

略去点和下标后写为 ∇×H=J+jωD\nabla\times\mathbf{H}=\mathbf{J}+j\omega\mathbf{D} 等。

4.5.3 复电容率和复磁导率 ​

导电媒质(σ\sigma 有限):∇×H=(σ+jωε)E=jωεcE\nabla\times\mathbf{H}=(\sigma+j\omega\varepsilon)\mathbf{E}=j\omega\varepsilon_c\mathbf{E},等效复介电常数 εc=ε−jσω\varepsilon_c=\varepsilon-j\dfrac{\sigma}{\omega}。

电介质极化损耗:εc=ε′−jε′′\varepsilon_c=\varepsilon'-j\varepsilon''(ε′′>0\varepsilon''>0)。同时有欧姆损耗和极化损耗:εc=(ε′−jε′′)−jσω\varepsilon_c=\left(\varepsilon'-j\varepsilon''\right)-j\dfrac{\sigma}{\omega}。

复磁导率:μc=μ′−jμ′′\mu_c=\mu'-j\mu''。

损耗角正切:tan⁡δe=ε′′+σ/ωε′\tan\delta_e=\dfrac{\varepsilon''+\sigma/\omega}{\varepsilon'}(电介质/导电媒质);tan⁡δm=μ′′μ′\tan\delta_m=\dfrac{\mu''}{\mu'}(磁介质)。

导电媒质分类:σ/(ωε)≪1\sigma/(\omega\varepsilon)\ll 1 弱导电媒质(良绝缘体);σ/(ωε)≫1\sigma/(\omega\varepsilon)\gg 1 良导体;σ/(ωε)≈1\sigma/(\omega\varepsilon)\approx 1 一般媒质。

4.5.4 亥姆霍兹方程 ​

无源区时谐场波动方程变为:

亥姆霍兹方程(⭐重要):

∇2E+k2E=0,∇2H+k2H=0\nabla^2\mathbf{E}+k^2\mathbf{E}=0,\quad \nabla^2\mathbf{H}+k^2\mathbf{H}=0

k=ωμεk=\omega\sqrt{\mu\varepsilon}(无耗时实数;有耗时用 εc\varepsilon_c 代替 ε\varepsilon,kk 为复数)。

4.5.5 时谐场的位函数 ​

B=∇×A\mathbf{B}=\nabla\times\mathbf{A},E=−∇φ−jωA\mathbf{E}=-\nabla\varphi-j\omega\mathbf{A}。洛伦兹条件 ∇⋅A=−jωμεφ\nabla\cdot\mathbf{A}=-j\omega\mu\varepsilon\varphi。

亥姆霍兹型达朗贝尔方程:∇2A+k2A=−μJ\nabla^2\mathbf{A}+k^2\mathbf{A}=-\mu\mathbf{J},∇2φ+k2φ=−ρ/ε\nabla^2\varphi+k^2\varphi=-\rho/\varepsilon。

4.5.6 平均能流密度矢量 ​

平均坡印廷矢量:

平均坡印廷矢量(⭐重要):

Sav=12Re[E×H∗]\mathbf{S}_{\text{av}}=\frac{1}{2}\text{Re}\left[\mathbf{E}\times\mathbf{H}^*\right]

平均能量密度:we,av=14ε′∣E∣2w_{e,\text{av}}=\dfrac{1}{4}\varepsilon'|\mathbf{E}|^2,wm,av=14μ′∣H∣2w_{m,\text{av}}=\dfrac{1}{4}\mu'|\mathbf{H}|^2(ε′\varepsilon'、μ′\mu' 为实部)。


第4章 易错点与常考题型 ​

易错点:

  1. 波动方程推导中 ∇×∇×E=∇(∇⋅E)−∇2E\nabla\times\nabla\times\mathbf{E}=\nabla(\nabla\cdot\mathbf{E})-\nabla^2\mathbf{E},无源区 ∇⋅E=0\nabla\cdot\mathbf{E}=0 才能化为 ∇2E\nabla^2\mathbf{E}。
  2. 达朗贝尔方程与泊松方程的区别:多 −με ∂2/∂t2-\mu\varepsilon\,\partial^2/\partial t^2 项(波动项)。
  3. 坡印廷矢量 S=E×H\mathbf{S}=\mathbf{E}\times\mathbf{H} 是瞬时值;平均坡印廷矢量 Sav=12Re[E×H∗]\mathbf{S}_{\text{av}}=\dfrac{1}{2}\text{Re}[\mathbf{E}\times\mathbf{H}^*]。
  4. 洛伦兹规范 ∇⋅A=−με ∂φ/∂t\nabla\cdot\mathbf{A}=-\mu\varepsilon\,\partial\varphi/\partial t(时变场)与库仑规范 ∇⋅A=0\nabla\cdot\mathbf{A}=0(恒定场)不同。
  5. 复介电常数 εc=ε−jσ/ω\varepsilon_c=\varepsilon-j\sigma/\omega 的虚部为负(因为 ejωte^{j\omega t} 约定);损耗角正切 tan⁡δ=σ/(ωε)\tan\delta=\sigma/(\omega\varepsilon) 为正。
  6. 亥姆霍兹方程 ∇2E+k2E=0\nabla^2\mathbf{E}+k^2\mathbf{E}=0 中 k2=ω2μεk^2=\omega^2\mu\varepsilon(无耗),有耗时 kk 为复数。

常考题型:

  1. 由 Maxwell 方程组推导波动方程/亥姆霍兹方程。
  2. 计算坡印廷矢量/平均坡印廷矢量(给定 E\mathbf{E}、H\mathbf{H} 的瞬时或复数形式)。
  3. 验证给定时谐场是否满足 Maxwell 方程。
  4. 由 E\mathbf{E} 求 H\mathbf{H}(用 ∇×E=−jωμH\nabla\times\mathbf{E}=-j\omega\mu\mathbf{H})。
  5. 导电媒质/电介质的等效复介电常数、损耗角正切计算。

第5章 均匀平面波在无界空间中的传播 ​

5.1 理想介质中的均匀平面波 ​

定义:等相位面为无限大平面,且等相位面上 E\mathbf{E}、H\mathbf{H} 的方向和振幅都保持不变。

场函数(沿 +z+z 传播,E=exEx\mathbf{E}=\mathbf{e}_x E_x):亥姆霍兹方程 d2Exdz2+k2Ex=0\dfrac{d^2 E_x}{dz^2}+k^2 E_x=0,通解 Ex(z)=Exm+e−jkz+Exm−ejkzE_x(z)=E_{xm}^+e^{-jkz}+E_{xm}^-e^{jkz}。

只取 +z+z 方向行波 Ex(z)=Exme−jkzE_x(z)=E_{xm}e^{-jkz}:

理想介质中均匀平面波的场量(⭐重要):

E=exExme−jkz,H=eyExmηe−jkz,η=με\mathbf{E}=\mathbf{e}_x E_{xm}e^{-jkz},\quad \mathbf{H}=\mathbf{e}_y\frac{E_{xm}}{\eta}e^{-jkz},\quad \eta=\sqrt{\frac{\mu}{\varepsilon}}

场量的推导(课件过程)

  1. 无源区、沿 +z+z 传播的均匀平面波,场量与 xx、yy 无关。由 ∇⋅E=0\nabla\cdot\mathbf{E}=0 得 ∂Ez∂z=0\dfrac{\partial E_z}{\partial z}=0,时变场中 Ez=0E_z=0;同理由 ∇⋅H=0\nabla\cdot\mathbf{H}=0 得 Hz=0H_z=0。故 E\mathbf{E}、H\mathbf{H} 都垂直于传播方向——TEM 波。
  2. 设 E=exEx(z)\mathbf{E}=\mathbf{e}_xE_x(z),由 ∇×E=−jωμH\nabla\times\mathbf{E}=-j\omega\mu\mathbf{H}: $$ \nabla\times\mathbf{E}=\mathbf{e}_y\frac{\partial E_x}{\partial z}=\mathbf{e}_y(-jkE_x) $$ 故 $$ \mathbf{H}=-\frac{1}{j\omega\mu}\nabla\times\mathbf{E}=\mathbf{e}_y\frac{k}{\omega\mu}E_x=\mathbf{e}_y\frac{E_x}{\eta},\qquad \eta=\frac{\omega\mu}{k}=\sqrt{\frac{\mu}{\varepsilon}} $$
  3. 代入 Ex=Exme−jkzE_x=E_{xm}e^{-jkz} 即得场量表达式(上框)。η\eta 为实数,故 E\mathbf{E}、H\mathbf{H} 同相。
  4. 能量密度:wm=12μH2=12μE2η2=12εE2=wew_m=\dfrac{1}{2}\mu H^2=\dfrac{1}{2}\mu\dfrac{E^2}{\eta^2}=\dfrac{1}{2}\varepsilon E^2=w_e。

η\eta 为波阻抗,真空中 η0=μ0/ε0=120π≈377 Ω\eta_0=\sqrt{\mu_0/\varepsilon_0}=120\pi\approx 377\ \Omega。

传播参数:

量符号公式单位
角频率ω\omegaω=2πf\omega=2\pi frad/s
周期TTT=1/f=2π/ωT=1/f=2\pi/\omegas
相位常数(波数)kkk=ωμε=2π/λk=\omega\sqrt{\mu\varepsilon}=2\pi/\lambdarad/m
波长λ\lambdaλ=2π/k=v/f\lambda=2\pi/k=v/fm
相速vvv=ω/k=1/μεv=\omega/k=1/\sqrt{\mu\varepsilon}m/s

真空中 v0=c=1/μ0ε0≈3×108 m/sv_0=c=1/\sqrt{\mu_0\varepsilon_0}\approx 3\times10^8\ \mathrm{m/s}。

能量:we=12εE2=wm=12μH2w_e=\dfrac{1}{2}\varepsilon E^2=w_m=\dfrac{1}{2}\mu H^2(电场能量密度=磁场能量密度)。

瞬时坡印廷矢量 S=ezExm2ηcos⁡2(ωt−kz)\mathbf{S}=\mathbf{e}_z\dfrac{E_{xm}^2}{\eta}\cos^2(\omega t-kz);平均坡印廷矢量 Sav=ezExm22η\mathbf{S}_{\text{av}}=\mathbf{e}_z\dfrac{E_{xm}^2}{2\eta}。

传播特点:TEM 波;振幅不变;η\eta 为实数,E\mathbf{E}、H\mathbf{H} 同相;无色散(vv 与频率无关);能量传输速度=相速。

例 5.1.1 f=100 MHzf=100\ \mathrm{MHz} 均匀电磁波在无耗媒质中沿 +z+z 传播 ​

εr=4\varepsilon_r=4,μr=1\mu_r=1,t=0t=0、z=1/8 mz=1/8\ \mathrm{m} 时电场幅值 10−4 V/m10^{-4}\ \mathrm{V/m}。

ω=2π×108 rad/s\omega=2\pi\times10^8\ \mathrm{rad/s},k=ωcεrμr=4π3 rad/mk=\dfrac{\omega}{c}\sqrt{\varepsilon_r\mu_r}=\dfrac{4\pi}{3}\ \mathrm{rad/m}。由 t=0t=0、z=1/8z=1/8 达振幅:ϕ=kz=π6\phi=kz=\dfrac{\pi}{6}。

E(z,t)=ex10−4cos⁡(2π×108t−4π3z+π6) V/m\mathbf{E}(z,t)=\mathbf{e}_x 10^{-4}\cos\left(2\pi\times10^8 t-\frac{4\pi}{3}z+\frac{\pi}{6}\right)\ \mathrm{V/m}

η=η0/εr=60π Ω\eta=\eta_0/\sqrt{\varepsilon_r}=60\pi\ \Omega,H(z,t)=ey10−460πcos⁡(2π×108t−4π3z+π6) A/m\mathbf{H}(z,t)=\mathbf{e}_y\dfrac{10^{-4}}{60\pi}\cos\left(2\pi\times10^8 t-\dfrac{4\pi}{3}z+\dfrac{\pi}{6}\right)\ \mathrm{A/m}。

例 5.1.2 f=9.4 GHzf=9.4\ \mathrm{GHz} 均匀平面波在聚乙烯(εr=2.26\varepsilon_r=2.26)中传播 ​

Hm=7 mA/mH_m=7\ \mathrm{mA/m}。v=v0εr=1.996×108 m/sv=\dfrac{v_0}{\sqrt{\varepsilon_r}}=1.996\times10^8\ \mathrm{m/s},λ=v/f=2.12 cm\lambda=v/f=2.12\ \mathrm{cm}(待核对:课件计算 λ=2.12 m\lambda=2.12\ \mathrm{m} 疑为笔误,应为 cm\mathrm{cm}),η=3772.26=251 Ω\eta=\dfrac{377}{\sqrt{2.26}}=251\ \Omega,Em=Hmη=1.757 V/mE_m=H_m\eta=1.757\ \mathrm{V/m}。

例 5.1.3 自由空间平面波 E=ex50cos⁡(ωt−kz) V/m\mathbf{E}=\mathbf{e}_x 50\cos(\omega t-kz)\ \mathrm{V/m} ​

求 z=z0z=z_0 处垂直穿过半径 R=2.5 mR=2.5\ \mathrm{m} 圆平面的平均功率。

E\mathbf{E} 的复振幅 E˙=ex50e−jkz\dot{\mathbf{E}}=\mathbf{e}_x 50e^{-jkz}。η0=120π Ω\eta_0=120\pi\ \Omega,H˙=ey50120πe−jkz=ey512πe−jkz\dot{\mathbf{H}}=\mathbf{e}_y\dfrac{50}{120\pi}e^{-jkz}=\mathbf{e}_y\dfrac{5}{12\pi}e^{-jkz}。

Sav=ez12×50×512π=ez12512π W/m2\mathbf{S}_{\text{av}}=\mathbf{e}_z\dfrac{1}{2}\times 50\times\dfrac{5}{12\pi}=\mathbf{e}_z\dfrac{125}{12\pi}\ \mathrm{W/m^2}。

Pav=Sav⋅πR2=12512π×π×2.52=65.1 WP_{\text{av}}=\mathbf{S}_{\text{av}}\cdot\pi R^2=\dfrac{125}{12\pi}\times\pi\times 2.5^2=65.1\ \mathrm{W}。

5.2 电磁波的极化 ​

极化:空间给定点处 E\mathbf{E} 矢量端点随时间变化的轨迹。

设 E(0,t)=exExmcos⁡(ωt+ϕx)+eyEymcos⁡(ωt+ϕy)\mathbf{E}(0,t)=\mathbf{e}_x E_{xm}\cos(\omega t+\phi_x)+\mathbf{e}_y E_{ym}\cos(\omega t+\phi_y)。

极化类型条件
线极化ϕy−ϕx=0\phi_y-\phi_x=0 或 ±π\pm\pi
圆极化Exm=EymE_{xm}=E_{ym} 且 ϕy−ϕx=±π/2\phi_y-\phi_x=\pm\pi/2
椭圆极化其他情况

旋向判定(波沿 +z+z 传播):ϕy−ϕx=−π/2\phi_y-\phi_x=-\pi/2 为右旋圆极化(E\mathbf{E} 旋转方向与 +z+z 成右手螺旋);ϕy−ϕx=+π/2\phi_y-\phi_x=+\pi/2 为左旋圆极化。

极化分解:任何极化波可分解为两个正交线极化波的叠加;线极化波=两个旋向相反、振幅相等的圆极化波叠加;椭圆极化波=两个旋向相反、振幅不等的圆极化波叠加。

5.3 均匀平面波在导电媒质中的传播 ​

导电媒质 σ≠0\sigma\neq 0,等效复介电常数 εc=ε−jσ/ω\varepsilon_c=\varepsilon-j\sigma/\omega,复波数 kc=ωμεck_c=\omega\sqrt{\mu\varepsilon_c}。

令传播常数 γ=jkc=α+jβ\gamma=jk_c=\alpha+j\beta(α\alpha 衰减常数 Np/m,β\beta 相位常数 rad/m):

E(z)=exExme−γz=exExme−αze−jβz\mathbf{E}(z)=\mathbf{e}_x E_{xm}e^{-\gamma z}=\mathbf{e}_x E_{xm}e^{-\alpha z}e^{-j\beta z}

瞬时值 E(z,t)=exExme−αzcos⁡(ωt−βz)\mathbf{E}(z,t)=\mathbf{e}_x E_{xm}e^{-\alpha z}\cos(\omega t-\beta z)。

磁场:H(z,t)=eyExm∣ηc∣e−αzcos⁡(ωt−βz−ϕ)\mathbf{H}(z,t)=\mathbf{e}_y\dfrac{E_{xm}}{|\eta_c|}e^{-\alpha z}\cos(\omega t-\beta z-\phi),其中 ηc=μεc=∣ηc∣ejϕ\eta_c=\sqrt{\dfrac{\mu}{\varepsilon_c}}=|\eta_c|e^{j\phi} 为复波阻抗,H\mathbf{H} 滞后 E\mathbf{E} 角度 ϕ\phi。

传播参数的推导(课件"解方程"过程)

由 γ=α+jβ\gamma=\alpha+j\beta、γ2=−ω2μεc=−ω2μ(ε−jσω)\gamma^2=-\omega^2\mu\varepsilon_c=-\omega^2\mu\left(\varepsilon-j\dfrac{\sigma}{\omega}\right),分离实部与虚部:

α2−β2=−ω2με,2αβ=ωμσ\alpha^2-\beta^2=-\omega^2\mu\varepsilon,\qquad 2\alpha\beta=\omega\mu\sigma

联立解得

α2=ω2με2[1+(σωε)2−1],β2=ω2με2[1+(σωε)2+1]\alpha^2=\frac{\omega^2\mu\varepsilon}{2}\left[\sqrt{1+\left(\frac{\sigma}{\omega\varepsilon}\right)^2}-1\right],\qquad \beta^2=\frac{\omega^2\mu\varepsilon}{2}\left[\sqrt{1+\left(\frac{\sigma}{\omega\varepsilon}\right)^2}+1\right]

开方即得

α=ωμε2[1+(σωε)2−1]1/2\alpha=\omega\sqrt{\frac{\mu\varepsilon}{2}}\left[\sqrt{1+\left(\frac{\sigma}{\omega\varepsilon}\right)^2}-1\right]^{1/2}

β=ωμε2[1+(σωε)2+1]1/2\beta=\omega\sqrt{\frac{\mu\varepsilon}{2}}\left[\sqrt{1+\left(\frac{\sigma}{\omega\varepsilon}\right)^2}+1\right]^{1/2}

v=ωβ,λ=2πβv=\frac{\omega}{\beta},\quad \lambda=\frac{2\pi}{\beta}

平均坡印廷矢量 Sav=ezExm22∣ηc∣e−2αzcos⁡ϕ\mathbf{S}_{\text{av}}=\mathbf{e}_z\dfrac{E_{xm}^2}{2|\eta_c|}e^{-2\alpha z}\cos\phi。

传播特点:TEM 波;振幅指数衰减;E\mathbf{E}、H\mathbf{H} 不同相;有色散(vv 与频率有关)。

弱导电媒质(σ/(ωε)≪1\sigma/(\omega\varepsilon)\ll 1) ​

α≈σ2με,β≈ωμε,ηc≈με(1+jσ2ωε)\alpha\approx\frac{\sigma}{2}\sqrt{\frac{\mu}{\varepsilon}},\quad \beta\approx\omega\sqrt{\mu\varepsilon},\quad \eta_c\approx\sqrt{\frac{\mu}{\varepsilon}}\left(1+j\frac{\sigma}{2\omega\varepsilon}\right)

(由 1+x2≈1+x22\sqrt{1+x^2}\approx1+\dfrac{x^2}{2}、x=σωε≪1x=\dfrac{\sigma}{\omega\varepsilon}\ll1 展开得到。)

衰减小;β\beta 近似等于无耗值;E\mathbf{E}、H\mathbf{H} 有小相位差。

良导体(σ/(ωε)≫1\sigma/(\omega\varepsilon)\gg 1) ​

良导体的衰减常数与相位常数(⭐重要):

α≈β≈ωμσ2=πfμσ\alpha\approx\beta\approx\sqrt{\frac{\omega\mu\sigma}{2}}=\sqrt{\pi f\mu\sigma}

(由 1+x2≈x\sqrt{1+x^2}\approx x、x=σωε≫1x=\dfrac{\sigma}{\omega\varepsilon}\gg1 展开得到。)

v=2ωμσ∝f,λ=2πβ=2πfμσ∝1fv=\sqrt{\frac{2\omega}{\mu\sigma}}\propto\sqrt{f},\quad \lambda=\frac{2\pi}{\beta}=2\sqrt{\frac{\pi}{f\mu\sigma}}\propto\frac{1}{\sqrt{f}}

ηc≈(1+j)πfμσ=ωμσ ejπ/4\eta_c\approx(1+j)\sqrt{\frac{\pi f\mu}{\sigma}}=\sqrt{\frac{\omega\mu}{\sigma}}\,e^{j\pi/4}

良导体中 H\mathbf{H} 滞后 E\mathbf{E} 45°。趋肤深度 δ=1/α=2/(ωμσ)\delta=1/\alpha=\sqrt{2/(\omega\mu\sigma)}(补充:课件未显式给出此名称但公式隐含)。

5.4 色散与群速 ​

色散:传播特性(β\beta)随频率变化。无色散媒质中 vpv_p 与频率无关。

群速(波包包络传播速度):vg=dωdβv_g=\dfrac{d\omega}{d\beta}。

无色散:vg=vpv_g=v_p;正常色散:vg<vpv_g<v_p;反常色散:vg>vpv_g>v_p。


第5章 易错点与常考题型 ​

易错点:

  1. 波阻抗 η=μ/ε\eta=\sqrt{\mu/\varepsilon}(理想介质实数)与 ηc=μ/εc\eta_c=\sqrt{\mu/\varepsilon_c}(导电媒质复数)不同。
  2. 圆极化旋向判定:ϕy−ϕx=−π/2\phi_y-\phi_x=-\pi/2 右旋,+π/2+\pi/2 左旋——与传播方向成右手/左手螺旋,不要记反。
  3. 导电媒质中 α\alpha、β\beta 公式中的 σ/(ωε)\sigma/(\omega\varepsilon) 是损耗角正切,不要与 tan⁡δe\tan\delta_e 的 ε′′\varepsilon'' 混淆。
  4. 良导体近似条件 σ/(ωε)≫1\sigma/(\omega\varepsilon)\gg 1 与弱导电 ≪1\ll 1 不要搞混。
  5. 相速 vp=ω/βv_p=\omega/\beta,群速 vg=dω/dβv_g=d\omega/d\beta——无色散时相等,有色散时不同。
  6. 平均坡印廷矢量 Sav=12Re[E×H∗]\mathbf{S}_{\text{av}}=\dfrac{1}{2}\text{Re}[\mathbf{E}\times\mathbf{H}^*] 中的 1/21/2 因子(峰值振幅约定下)不要丢。

常考题型:

  1. 已知 εr\varepsilon_r、μr\mu_r、ff 求 vv、λ\lambda、η\eta、kk。
  2. 已知 E\mathbf{E} 表达式求 H\mathbf{H}、Sav\mathbf{S}_{\text{av}}。
  3. 极化类型判定(给定两个正交分量)。
  4. 导电媒质中 α\alpha、β\beta、ηc\eta_c 的计算(区分良导体/弱导电/一般)。
  5. 趋肤深度计算(良导体 δ=2/(ωμσ)\delta=\sqrt{2/(\omega\mu\sigma)})。

第6章 均匀平面波的反射和透射 ​

6.1 垂直入射 ​

6.1.1 导电媒质→导电媒质 ​

媒质 1(z<0z<0,ε1,μ1,σ1\varepsilon_1,\mu_1,\sigma_1)→ 媒质 2(z>0z>0,ε2,μ2,σ2\varepsilon_2,\mu_2,\sigma_2)。

入射波 Ei=exEime−γ1z\mathbf{E}_i=\mathbf{e}_x E_{im}e^{-\gamma_1 z},反射波 Er=exErme+γ1z\mathbf{E}_r=\mathbf{e}_x E_{rm}e^{+\gamma_1 z},透射波 Et=exEtme−γ2z\mathbf{E}_t=\mathbf{e}_x E_{tm}e^{-\gamma_2 z}。

边界条件 z=0z=0:Eim+Erm=EtmE_{im}+E_{rm}=E_{tm},Eim−Ermη1=Etmη2\dfrac{E_{im}-E_{rm}}{\eta_1}=\dfrac{E_{tm}}{\eta_2}。

解出 Γ\Gamma、τ\tau:由第一式 τ=1+Γ\tau=1+\Gamma;代入第二式

1−Γη1=1+Γη2  ⟹  η2−η2Γ=η1+η1Γ\frac{1-\Gamma}{\eta_1}=\frac{1+\Gamma}{\eta_2} \;\Longrightarrow\; \eta_2-\eta_2\Gamma=\eta_1+\eta_1\Gamma

故

Γ=η2−η1η2+η1,τ=1+Γ=2η2η2+η1\Gamma=\frac{\eta_2-\eta_1}{\eta_2+\eta_1},\qquad \tau=1+\Gamma=\frac{2\eta_2}{\eta_2+\eta_1}

垂直入射的反射系数与透射系数(⭐重要):

Γ=ErmEim=η2−η1η2+η1,τ=EtmEim=2η2η2+η1\Gamma=\frac{E_{rm}}{E_{im}}=\frac{\eta_2-\eta_1}{\eta_2+\eta_1},\quad \tau=\frac{E_{tm}}{E_{im}}=\frac{2\eta_2}{\eta_2+\eta_1}

Γ\Gamma、τ\tau 为复数,τ=1+Γ\tau=1+\Gamma。

6.1.2 理想介质→理想导体 ​

η2=0⇒Γ=−1\eta_2=0\Rightarrow\Gamma=-1,τ=0\tau=0。

媒质 1 中合成波:E1=ex2jEimsin⁡(k1z)\mathbf{E}_1=\mathbf{e}_x 2jE_{im}\sin(k_1 z)(复振幅),瞬时值 E1(z,t)=−ex2Eimsin⁡(k1z)sin⁡(ωt)\mathbf{E}_1(z,t)=-\mathbf{e}_x 2E_{im}\sin(k_1 z)\sin(\omega t)。

驻波特点:空间项与时间项分离;电场振幅 2Eim∣sin⁡(k1z)∣2E_{im}|\sin(k_1 z)|,磁场振幅 2Eimη1∣cos⁡(k1z)∣\dfrac{2E_{im}}{\eta_1}|\cos(k_1 z)|。

  • 电场波节(振幅=0):k1z=−nπk_1 z=-n\pi,即 z=−nλ1/2z=-n\lambda_1/2。
  • 电场波腹(振幅最大):k1z=−(2n+1)π/2k_1 z=-(2n+1)\pi/2,即 z=−(n+1/2)λ1/2z=-(n+1/2)\lambda_1/2。
  • E\mathbf{E}、H\mathbf{H} 空间错开 λ1/4\lambda_1/4,时间相位差 π/2\pi/2。
  • 平均坡印廷矢量 Sav=0\mathbf{S}_{\text{av}}=0(驻波不传输能量)。

6.1.3 理想介质→理想介质 ​

η1\eta_1、η2\eta_2 均为实数。Γ=η2−η1η2+η1\Gamma=\dfrac{\eta_2-\eta_1}{\eta_2+\eta_1}(实数)。

合成波为行驻波(混合波):E1=exEim(e−jk1z+Γejk1z)\mathbf{E}_1=\mathbf{e}_x E_{im}(e^{-jk_1 z}+\Gamma e^{jk_1 z})。

振幅 ∣E1∣=Eim1+Γ2+2Γcos⁡(2k1z)|E_1|=E_{im}\sqrt{1+\Gamma^2+2\Gamma\cos(2k_1 z)}。

驻波比 S=Emax⁡Emin⁡=1+∣Γ∣1−∣Γ∣S=\dfrac{E_{\max}}{E_{\min}}=\dfrac{1+|\Gamma|}{1-|\Gamma|}。Γ=0⇒S=1\Gamma=0\Rightarrow S=1(行波);∣Γ∣=1⇒S=∞|\Gamma|=1\Rightarrow S=\infty(纯驻波);0<∣Γ∣<1⇒1<S<∞0<|\Gamma|<1\Rightarrow 1<S<\infty(混合波)。

6.3 斜入射(理想介质分界面) ​

6.3.1 反射定律和折射定律 ​

入射面为 xzxz 平面。相位匹配条件:k1sin⁡θi=k1sin⁡θr=k2sin⁡θtk_1\sin\theta_i=k_1\sin\theta_r=k_2\sin\theta_t。

斯涅尔反射定律(⭐重要):

θr=θi(斯涅尔反射定律)\theta_r=\theta_i\quad\text{(斯涅尔反射定律)}

斯涅尔折射定律(⭐重要):

sin⁡θisin⁡θt=k2k1=n2n1=ε2ε1(斯涅尔折射定律,非磁性媒质)\frac{\sin\theta_i}{\sin\theta_t}=\frac{k_2}{k_1}=\frac{n_2}{n_1}=\sqrt{\frac{\varepsilon_2}{\varepsilon_1}}\quad\text{(斯涅尔折射定律,非磁性媒质)}

6.3.2 菲涅尔公式 ​

垂直极化(E\mathbf{E} 垂直于入射面):

垂直极化波的菲涅尔公式(⭐重要):

Γ⊥=η2cos⁡θi−η1cos⁡θtη2cos⁡θi+η1cos⁡θt,τ⊥=2η2cos⁡θiη2cos⁡θi+η1cos⁡θt\Gamma_\perp=\frac{\eta_2\cos\theta_i-\eta_1\cos\theta_t}{\eta_2\cos\theta_i+\eta_1\cos\theta_t},\quad \tau_\perp=\frac{2\eta_2\cos\theta_i}{\eta_2\cos\theta_i+\eta_1\cos\theta_t}

非磁性媒质(μ1=μ2=μ0\mu_1=\mu_2=\mu_0):Γ⊥=cos⁡θi−ε2/ε1−sin⁡2θicos⁡θi+ε2/ε1−sin⁡2θi\Gamma_\perp=\dfrac{\cos\theta_i-\sqrt{\varepsilon_2/\varepsilon_1-\sin^2\theta_i}}{\cos\theta_i+\sqrt{\varepsilon_2/\varepsilon_1-\sin^2\theta_i}},τ⊥=2cos⁡θicos⁡θi+ε2/ε1−sin⁡2θi\tau_\perp=\dfrac{2\cos\theta_i}{\cos\theta_i+\sqrt{\varepsilon_2/\varepsilon_1-\sin^2\theta_i}}。

平行极化(E\mathbf{E} 平行于入射面):

平行极化波的菲涅尔公式(⭐重要):

Γ∥=η1cos⁡θi−η2cos⁡θtη1cos⁡θi+η2cos⁡θt,τ∥=2η2cos⁡θiη1cos⁡θi+η2cos⁡θt\Gamma_\parallel=\frac{\eta_1\cos\theta_i-\eta_2\cos\theta_t}{\eta_1\cos\theta_i+\eta_2\cos\theta_t},\quad \tau_\parallel=\frac{2\eta_2\cos\theta_i}{\eta_1\cos\theta_i+\eta_2\cos\theta_t}

非磁性媒质:Γ∥=(ε2/ε1)cos⁡θi−ε2/ε1−sin⁡2θi(ε2/ε1)cos⁡θi+ε2/ε1−sin⁡2θi\Gamma_\parallel=\dfrac{(\varepsilon_2/\varepsilon_1)\cos\theta_i-\sqrt{\varepsilon_2/\varepsilon_1-\sin^2\theta_i}}{(\varepsilon_2/\varepsilon_1)\cos\theta_i+\sqrt{\varepsilon_2/\varepsilon_1-\sin^2\theta_i}}。

(待核对) 课件幻灯片上平行极化非磁性公式的下标误标为 Γ⊥\Gamma_\perp、τ⊥\tau_\perp,应为 Γ∥\Gamma_\parallel、τ∥\tau_\parallel。

6.3.3 全反射与全透射 ​

全反射(ε1>ε2\varepsilon_1>\varepsilon_2,光密→光疏):当 sin⁡θi≥ε2/ε1\sin\theta_i\ge\sqrt{\varepsilon_2/\varepsilon_1} 时发生全反射,∣Γ⊥∣=∣Γ∥∣=1|\Gamma_\perp|=|\Gamma_\parallel|=1。

全反射临界角(⭐重要):

θc=arcsin⁡ε2ε1=arcsin⁡n2n1(临界角)\theta_c=\arcsin\sqrt{\frac{\varepsilon_2}{\varepsilon_1}}=\arcsin\frac{n_2}{n_1}\quad\text{(临界角)}

θi>θc\theta_i>\theta_c 时透射波为表面波(沿分界面传播,垂直方向指数衰减)。

全透射 / 布儒斯特角(仅平行极化,非磁性媒质):

布儒斯特角(⭐重要):

θb=arctan⁡ε2ε1(Γ∥=0)\theta_b=\arctan\sqrt{\frac{\varepsilon_2}{\varepsilon_1}}\quad\text{(}\Gamma_\parallel=0\text{)}

此时 θb+θt=π/2\theta_b+\theta_t=\pi/2;垂直极化不发生全透射;任意极化波以 θb\theta_b 入射时反射波只有垂直极化分量(极化滤波)。

6.4 均匀平面波对理想导体平面的斜入射 ​

无论入射角如何均发生全反射(η2=0\eta_2=0)。

垂直极化:合成波沿 xx(平行界面)为行波,沿 zz(垂直界面)为驻波。E\mathbf{E} 沿 yy 方向,传播方向(xx)无电场分量但有磁场分量——TE 波(横电波)。

平行极化:H\mathbf{H} 沿 yy 方向,传播方向无磁场分量但有电场分量——TM 波(横磁波)。


第6章 易错点与常考题型 ​

易错点:

  1. 反射系数 Γ\Gamma 定义在分界面 z=0z=0 上;Γ\Gamma、τ\tau 一般为复数。
  2. τ=1+Γ\tau=1+\Gamma(电场振幅关系),不是 τ+Γ=1\tau+\Gamma=1。
  3. 驻波比 S=(1+∣Γ∣)/(1−∣Γ∣)S=(1+|\Gamma|)/(1-|\Gamma|),不是 (1+Γ)/(1−Γ)(1+\Gamma)/(1-\Gamma)(Γ\Gamma 为复数时取模)。
  4. 菲涅尔公式中垂直/平行极化的定义:以入射面为参照,不是以分界面。
  5. 全反射条件:光密→光疏(ε1>ε2\varepsilon_1>\varepsilon_2)且 θi≥θc\theta_i\ge\theta_c。
  6. 布儒斯特角仅对平行极化存在(非磁性媒质);θb+θt=π/2\theta_b+\theta_t=\pi/2。
  7. 理想导体表面斜入射时合成波是 TE 波(垂直极化)或 TM 波(平行极化),不是 TEM 波。

常考题型:

  1. 垂直入射时求 Γ\Gamma、τ\tau、驻波比 SS、波节/波腹位置。
  2. 斜入射时由斯涅尔定律求折射角。
  3. 菲涅尔公式计算反射/透射系数。
  4. 临界角/布儒斯特角计算。
  5. 理想导体表面反射的驻波分析。

第7章 导行电磁波 ​

7.1 导行电磁波概论 ​

假设:无限长规则直波导(横截面沿 zz 不变);理想导体壁(σ=∞\sigma=\infty);填充均匀无耗介质(ε\varepsilon、μ\mu 实数);无内源;时谐场沿 +z+z 传播。

场矢量分解为横向分量(Et\mathbf{E}_t、Ht\mathbf{H}_t)和纵向分量(EzE_z、HzH_z)。

横向-纵向关系的来历(课件过程)

设场量沿 zz 按 e−jkzze^{-jk_zz} 变化,即 ∂/∂z→−jkz\partial/\partial z\to-jk_z。把 ∇×E=−jωμH\nabla\times\mathbf{E}=-j\omega\mu\mathbf{H}、∇×H=jωεE\nabla\times\mathbf{H}=j\omega\varepsilon\mathbf{E} 写成分量式:

∂Ez∂y+jkzEy=−jωμHx,−jkzEx−∂Ez∂x=−jωμHy\frac{\partial E_z}{\partial y}+jk_zE_y=-j\omega\mu H_x,\qquad -jk_zE_x-\frac{\partial E_z}{\partial x}=-j\omega\mu H_y

∂Hz∂y+jkzHy=jωεEx,−jkzHx−∂Hz∂x=jωεEy\frac{\partial H_z}{\partial y}+jk_zH_y=j\omega\varepsilon E_x,\qquad -jk_zH_x-\frac{\partial H_z}{\partial x}=j\omega\varepsilon E_y

联立消去 Ex,EyE_x,E_y(或 Hx,HyH_x,H_y),并利用 kc2=k2−kz2k_c^2=k^2-k_z^2,即得横向分量由纵向分量确定:

Et=−1kc2(∇t∂Ez∂z+jωμ ez×∇tHz),Ht=−1kc2(∇t∂Hz∂z−jωε ez×∇tEz)\mathbf{E}_t=\frac{-1}{k_c^2}\left(\nabla_t\frac{\partial E_z}{\partial z}+j\omega\mu\,\mathbf{e}_z\times\nabla_t H_z\right),\quad \mathbf{H}_t=\frac{-1}{k_c^2}\left(\nabla_t\frac{\partial H_z}{\partial z}-j\omega\varepsilon\,\mathbf{e}_z\times\nabla_t E_z\right)

其中 kc2=k2−kz2k_c^2=k^2-k_z^2 为截止波数,k=ωμεk=\omega\sqrt{\mu\varepsilon},kzk_z 为纵向传播常数。

分类:

  • TEM 波:Ez=0E_z=0,Hz=0H_z=0
  • TM 波:Ez≠0E_z\neq 0,Hz=0H_z=0
  • TE 波:Ez=0E_z=0,Hz≠0H_z\neq 0

7.2 矩形波导 ​

结构:宽边 aa、窄边 bb;填充理想介质;理想导体壁。不能传输 TEM 波。

TM 波场分布 ​

Hz=0H_z=0,由 EzE_z 确定。亥姆霍兹方程 ∇t2Ez+kc2Ez=0\nabla_t^2 E_z+k_c^2 E_z=0,边界条件 Ez∣x=0,a=0E_z|_{x=0,a}=0,Ez∣y=0,b=0E_z|_{y=0,b}=0。

分离变量求解(课件过程)

设 Ez=f(x)g(y)e−jkzzE_z=f(x)g(y)e^{-jk_zz},代入

∂2Ez∂x2+∂2Ez∂y2+kc2Ez=0\frac{\partial^2E_z}{\partial x^2}+\frac{\partial^2E_z}{\partial y^2}+k_c^2E_z=0

两边除以 f(x)g(y)f(x)g(y):

f′′f+g′′g+kc2=0\frac{f''}{f}+\frac{g''}{g}+k_c^2=0

第一项只含 xx、第二项只含 yy,故只能分别为常数。令 f′′f=−kx2\dfrac{f''}{f}=-k_x^2、g′′g=−ky2\dfrac{g''}{g}=-k_y^2,则

kx2+ky2=kc2,f=Asin⁡kxx+Bcos⁡kxx,g=Csin⁡kyy+Dcos⁡kyyk_x^2+k_y^2=k_c^2,\qquad f=A\sin k_xx+B\cos k_xx,\quad g=C\sin k_yy+D\cos k_yy

由边界 Ez∣x=0=Ez∣x=a=0E_z|_{x=0}=E_z|_{x=a}=0 得 B=0B=0、kx=mπak_x=\dfrac{m\pi}{a};由 Ez∣y=0=Ez∣y=b=0E_z|_{y=0}=E_z|_{y=b}=0 得 D=0D=0、ky=nπbk_y=\dfrac{n\pi}{b}。故

Ez=Emsin⁡mπxasin⁡nπyb e−jkzz,m,n=1,2,3,…E_z=E_m\sin\frac{m\pi x}{a}\sin\frac{n\pi y}{b}\,e^{-jk_z z},\quad m,n=1,2,3,\ldots

矩形波导的截止波数(⭐重要):

kc,mn=(mπa)2+(nπb)2k_{c,mn}=\sqrt{\left(\frac{m\pi}{a}\right)^2+\left(\frac{n\pi}{b}\right)^2}

所有场分量由 EzE_z 和横向-纵向关系式给出。

TE 波场分布 ​

Ez=0E_z=0,由 HzH_z 确定。边界条件 ∂Hz∂n∣壁=0\dfrac{\partial H_z}{\partial n}\bigg|_{\text{壁}}=0。

同理设 Hz=f(x)g(y)e−jkzzH_z=f(x)g(y)e^{-jk_zz},边界条件给出 f′(0)=f′(a)=0f'(0)=f'(a)=0、g′(0)=g′(b)=0g'(0)=g'(b)=0,故取余弦:

Hz=Hmcos⁡mπxacos⁡nπyb e−jkzz,m,n=0,1,2,…(不同时为 0)H_z=H_m\cos\frac{m\pi x}{a}\cos\frac{n\pi y}{b}\,e^{-jk_z z},\quad m,n=0,1,2,\ldots\text{(不同时为 0)}

kc,mnk_{c,mn} 同 TM 波公式。

模式简并:相同 (m,n)(m,n) 的 TM${mn}$ 和 TE$$ 截止波数相同。TE${mn}$ 的 mm 或 nn 可为 0 但不能同时为 0;TM$$ 的 mm、nn 均不可为 0。

传播特性 ​

传播常数 γmn=kc,mn2−k2\gamma_{mn}=\sqrt{k_{c,mn}^2-k^2}。

条件传播情况
kc,mn>kk_{c,mn}>kγmn\gamma_{mn} 实数,截止(衰减),不能传播
kc,mn=kk_{c,mn}=k临界
kc,mn<kk_{c,mn}<kγmn=jβmn\gamma_{mn}=j\beta_{mn} 纯虚数,传播

截止频率 / 截止波长:

fc,mn=kc,mn2πμε=v2(ma)2+(nb)2,λc,mn=2πkc,mn=2(m/a)2+(n/b)2f_{c,mn}=\frac{k_{c,mn}}{2\pi\sqrt{\mu\varepsilon}}=\frac{v}{2}\sqrt{\left(\frac{m}{a}\right)^2+\left(\frac{n}{b}\right)^2},\quad \lambda_{c,mn}=\frac{2\pi}{k_{c,mn}}=\frac{2}{\sqrt{(m/a)^2+(n/b)^2}}

主模 TE$_{10}$:a>ba>b 时截止频率最低 fc,10=v2af_{c,10}=\dfrac{v}{2a},截止波长最长 λc,10=2a\lambda_{c,10}=2a。

传播参数(kc,mn<kk_{c,mn}<k 时):

βmn=k2−kc,mn2,vp=ωβmn=v1−(fc/f)2>v\beta_{mn}=\sqrt{k^2-k_{c,mn}^2},\quad v_p=\frac{\omega}{\beta_{mn}}=\frac{v}{\sqrt{1-(f_c/f)^2}}>v

λg=2πβmn=λ1−(fc/f)2,ZTM=η1−(fc/f)2,ZTE=η1−(fc/f)2\lambda_g=\frac{2\pi}{\beta_{mn}}=\frac{\lambda}{\sqrt{1-(f_c/f)^2}},\quad Z_{\text{TM}}=\eta\sqrt{1-(f_c/f)^2},\quad Z_{\text{TE}}=\frac{\eta}{\sqrt{1-(f_c/f)^2}}

7.5 谐振腔 ​

矩形谐振腔:a×b×la\times b\times l,理想导体壁,填充理想介质。

场分布:TE${mnp}$ 或 TM$$ 模。谐振条件:波导波长 λg=2l/p\lambda_g=2l/p(p=1,2,…p=1,2,\ldots),即 kz=pπ/lk_z=p\pi/l。

谐振频率的推导:两端短路使场沿 zz 形成驻波,腔长须为半波长的整数倍:

l=pλg2  ⟹  βmn=2πλg=pπl(p=1,2,…)l=p\frac{\lambda_g}{2}\;\Longrightarrow\;\beta_{mn}=\frac{2\pi}{\lambda_g}=\frac{p\pi}{l}\qquad(p=1,2,\ldots)

而 βmn2=k2−kc,mn2\beta_{mn}^2=k^2-k_{c,mn}^2,故

k2=βmn2+kc,mn2=(pπl)2+(mπa)2+(nπb)2k^2=\beta_{mn}^2+k_{c,mn}^2=\left(\frac{p\pi}{l}\right)^2+\left(\frac{m\pi}{a}\right)^2+\left(\frac{n\pi}{b}\right)^2

由 k=ωμε=2πf/vk=\omega\sqrt{\mu\varepsilon}=2\pi f/v 解出谐振频率:

矩形谐振腔的谐振频率(⭐重要):

fmnp=v2(ma)2+(nb)2+(pl)2f_{mnp}=\frac{v}{2}\sqrt{\left(\frac{m}{a}\right)^2+\left(\frac{n}{b}\right)^2+\left(\frac{p}{l}\right)^2}

品质因数 Q=2π×储存的能量一个周期内损耗的能量=ω×WPlossQ=2\pi\times\dfrac{\text{储存的能量}}{\text{一个周期内损耗的能量}}=\omega\times\dfrac{W}{P_{\text{loss}}}(PlossP_{\text{loss}} 为腔壁欧姆损耗功率)。


第7章 易错点与常考题型 ​

易错点:

  1. 矩形波导不能传输 TEM 波(单导体结构无法维持 TEM 场)。
  2. TE${mn}$ 的 mm、nn 可为零但不能同时为零;TM$$ 的 mm、nn 均不能为零。
  3. 主模 TE${10}$ 要求 a>ba>b;若 b>ab>a 则主模为 TE$$。
  4. 截止频率 fcf_c 以下波不能传播(γ\gamma 为实数,指数衰减);以上才能传播。
  5. 波导波长 λg>λ\lambda_g>\lambda(自由空间波长),相速 vp>vv_p>v——不违反相对论(信息以群速 vg<vv_g<v 传播)。
  6. 波阻抗 ZTE>η>ZTMZ_{\text{TE}}>\eta>Z_{\text{TM}}(传播模式下)。
  7. 谐振腔的 mnpmnp 三个指标均可变化,TE/TM 命名不唯一(无唯一纵向)。

常考题型:

  1. 矩形波导 TE$_{10}$ 模的场分量写出。
  2. 给定 aa、bb、ff 判断哪些模式能传播。
  3. 截止频率/截止波长计算。
  4. 谐振腔谐振频率计算。
  5. 品质因数 QQ 的概念和定义式。

物理量与公式大总结 ​

单位列中"(补充)"表示课件未明确给出该单位。

物理量名称符号单位对应公式适用条件所在章节
单位矢量eA\mathbf{e}_A1eA=A/∣A∣\mathbf{e}_A=\mathbf{A}/|\mathbf{A}|任意非零矢量1.1
梯度∇u\nabla uuu/m三系表达式一阶偏导存在1.3
散度∇⋅F\nabla\cdot\mathbf{F}F\mathbf{F}/m三系表达式一阶偏导连续1.4
旋度∇×F\nabla\times\mathbf{F}F\mathbf{F}/m行列式一阶偏导连续1.5
拉普拉斯算子∇2\nabla^21/m²三系表达式二阶偏导连续1.7
真空介电常数ε0\varepsilon_0F/m≈136π×10−9\approx\frac{1}{36\pi}\times10^{-9}真空2.2
真空磁导率μ0\mu_0H/m4π×10−74\pi\times10^{-7}真空2.3
电场强度E\mathbf{E}V/mF/q0\mathbf{F}/q_0;E=−∇φ\mathbf{E}=-\nabla\varphi—2.2, 3.1
电位移矢量D\mathbf{D}C/m²D=ε0E+P=εE\mathbf{D}=\varepsilon_0\mathbf{E}+\mathbf{P}=\varepsilon\mathbf{E}线性各向同性介质2.4
磁感应强度B\mathbf{B}TB=∇×A\mathbf{B}=\nabla\times\mathbf{A};B=μH\mathbf{B}=\mu\mathbf{H}—2.3
磁场强度H\mathbf{H}A/mH=B/μ0−M=B/μ\mathbf{H}=\mathbf{B}/\mu_0-\mathbf{M}=\mathbf{B}/\mu线性各向同性介质2.4
极化强度P\mathbf{P}C/m²P=ε0χeE\mathbf{P}=\varepsilon_0\chi_e\mathbf{E}线性各向同性电介质2.4
磁化强度M\mathbf{M}A/mM=χmH\mathbf{M}=\chi_m\mathbf{H}线性各向同性磁介质2.4
极化电荷体密度ρP\rho_PC/m³ρP=−∇⋅P\rho_P=-\nabla\cdot\mathbf{P}—2.4
极化电荷面密度ρSP\rho_{SP}C/m²ρSP=en⋅(P1−P2)\rho_{SP}=\mathbf{e}_n\cdot(\mathbf{P}_1-\mathbf{P}_2)介质分界面2.4
磁化电流体密度JM\mathbf{J}_MA/m²JM=∇×M\mathbf{J}_M=\nabla\times\mathbf{M}—2.4
磁化电流面密度JSM\mathbf{J}_{SM}A/mJSM=(M1−M2)×en\mathbf{J}_{SM}=(\mathbf{M}_1-\mathbf{M}_2)\times\mathbf{e}_n介质分界面2.4
电导率σ\sigmaS/mJ=σE\mathbf{J}=\sigma\mathbf{E}线性各向同性导体2.4
相对介电常数εr\varepsilon_r1εr=1+χe\varepsilon_r=1+\chi_e线性各向同性电介质2.4
相对磁导率μr\mu_r1μr=1+χm\mu_r=1+\chi_m线性各向同性磁介质2.4
电位φ\varphiVE=−∇φ\mathbf{E}=-\nabla\varphi;∇2φ=−ρ/ε\nabla^2\varphi=-\rho/\varepsilon静电场3.1
电容CCFC=q/UC=q/U两导体系统3.1
静电场能量WeW_eJ12∫ρφ dV=12∫εE2dV\frac{1}{2}\int\rho\varphi\,dV=\frac{1}{2}\int\varepsilon E^2 dV线性介质3.1
静电场能量密度wew_eJ/m³we=12E⋅D=12εE2w_e=\frac{1}{2}\mathbf{E}\cdot\mathbf{D}=\frac{1}{2}\varepsilon E^2线性介质3.1
矢量磁位A\mathbf{A}T·mB=∇×A\mathbf{B}=\nabla\times\mathbf{A};∇2A=−μJ\nabla^2\mathbf{A}=-\mu\mathbf{J}库仑规范3.3
标量磁位φm\varphi_mAH=−∇φm\mathbf{H}=-\nabla\varphi_m;∇2φm=0\nabla^2\varphi_m=0J=0\mathbf{J}=0 区域3.3
自感LLHL=Ψ/IL=\Psi/I线性介质3.3
互感MMHM=μ04π∮∮dl1⋅dl2RM=\frac{\mu_0}{4\pi}\oint\oint\frac{d\mathbf{l}_1\cdot d\mathbf{l}_2}{R}细导线回路3.3
磁场能量WmW_mJ12∑IkΨk=12∫μH2dV\frac{1}{2}\sum I_k\Psi_k=\frac{1}{2}\int\mu H^2 dV线性介质3.3
磁场能量密度wmw_mJ/m³wm=12B⋅H=12μH2w_m=\frac{1}{2}\mathbf{B}\cdot\mathbf{H}=\frac{1}{2}\mu H^2线性介质3.3
位移电流密度Jd\mathbf{J}_dA/m²Jd=∂D/∂t\mathbf{J}_d=\partial\mathbf{D}/\partial t时变场2.5
坡印廷矢量S\mathbf{S}W/m²S=E×H\mathbf{S}=\mathbf{E}\times\mathbf{H}时变场4.3
复介电常数εc\varepsilon_cF/mεc=ε−jσ/ω\varepsilon_c=\varepsilon-j\sigma/\omega时谐场,导电媒质4.5
损耗角正切tan⁡δ\tan\delta1tan⁡δ=σ/(ωε)\tan\delta=\sigma/(\omega\varepsilon)时谐场4.5
波阻抗(理想介质)η\etaΩη=μ/ε\eta=\sqrt{\mu/\varepsilon}均匀平面波5.1
相位常数kk(或 β\beta)rad/mk=ωμεk=\omega\sqrt{\mu\varepsilon}理想介质5.1
相速vvm/sv=1/μεv=1/\sqrt{\mu\varepsilon}理想介质5.1
衰减常数α\alphaNp/mα=ωμε2[1+(σωε)2−1]1/2\alpha=\omega\sqrt{\frac{\mu\varepsilon}{2}}\left[\sqrt{1+(\frac{\sigma}{\omega\varepsilon})^2}-1\right]^{1/2}导电媒质5.3
复波阻抗ηc\eta_cΩηc=μ/εc\eta_c=\sqrt{\mu/\varepsilon_c}导电媒质5.3
趋肤深度δ\deltamδ=1/α≈2/(ωμσ)\delta=1/\alpha\approx\sqrt{2/(\omega\mu\sigma)}良导体(补充)5.3
群速vgv_gm/svg=dω/dβv_g=d\omega/d\beta色散媒质5.4
反射系数Γ\Gamma1Γ=(η2−η1)/(η2+η1)\Gamma=(\eta_2-\eta_1)/(\eta_2+\eta_1)(垂直入射)平面波6.1
透射系数τ\tau1τ=2η2/(η2+η1)\tau=2\eta_2/(\eta_2+\eta_1)平面波6.1
驻波比SS1$S=(1+\Gamma)/(1-
临界角θc\theta_cradθc=arcsin⁡ε2/ε1\theta_c=\arcsin\sqrt{\varepsilon_2/\varepsilon_1}ε1>ε2\varepsilon_1>\varepsilon_26.3
布儒斯特角θb\theta_bradθb=arctan⁡ε2/ε1\theta_b=\arctan\sqrt{\varepsilon_2/\varepsilon_1}平行极化,非磁性6.3
截止波数kck_crad/mkc,mn=(mπ/a)2+(nπ/b)2k_{c,mn}=\sqrt{(m\pi/a)^2+(n\pi/b)^2}矩形波导7.2
截止频率fcf_cHzfc,mn=v2(m/a)2+(n/b)2f_{c,mn}=\frac{v}{2}\sqrt{(m/a)^2+(n/b)^2}矩形波导7.2
波导波长λg\lambda_gmλg=λ/1−(fc/f)2\lambda_g=\lambda/\sqrt{1-(f_c/f)^2}矩形波导传播模式7.2
谐振频率fmnpf_{mnp}Hzfmnp=v2(m/a)2+(n/b)2+(p/l)2f_{mnp}=\frac{v}{2}\sqrt{(m/a)^2+(n/b)^2+(p/l)^2}矩形谐振腔7.5

附:待核对与补充清单 ​

待核对(课件图片不清晰或存在疑似笔误,建议对照教材或老师板书确认):

  1. 亥姆霍兹定理中 A(r)\mathbf{A}(\mathbf{r}) 的面积分项符号:课件图示读取为 −14π∮Sen×FRdS′-\dfrac{1}{4\pi}\oint_S\dfrac{\mathbf{e}_n\times\mathbf{F}}{R}dS'(减号),多数教材写为加号,以教材为准。
  2. 课件《1.3–1.7》第 29–30 页为课本例题/习题题目列表(无解答过程),本资料仅收录其中被正文引用的结论。
  3. (新增) 例 5.1.2 中课件计算 λ=2.12 m\lambda=2.12\ \mathrm{m},但 v/f=1.996×108/9.4×109≈0.0212 m=2.12 cmv/f=1.996\times10^8/9.4\times10^9\approx 0.0212\ \mathrm{m}=2.12\ \mathrm{cm},疑为课件笔误。
  4. (新增) 课件《6 均匀平面波的反射和透射》平行极化非磁性媒质的菲涅尔公式幻灯片上,下标误标为 Γ⊥\Gamma_\perp、τ⊥\tau_\perp,应为 Γ∥\Gamma_\parallel、τ∥\tau_\parallel。
  5. (新增) 课件《5 均匀平面波在无界空间中的传播》弱导电媒质条件幻灯片上,σ/(ωε)\sigma/(\omega\varepsilon) 后的符号显示为"=1=1",应为"≪1\ll 1"。
  6. (新增) 例 3.1.7(部分填充电介质平行板电容器受力)课件仅给出题目,未给出解答过程;本资料给出的解答为补充。

补充(课件之外的少量补充,均已在上文对应位置标注):

  1. 标量三重积的行列式形式;"BAC−CAB"口诀。
  2. 圆柱系单位矢量对 ρ\rho、zz 的偏导为零;∇f(R)=−∇′f(R)\nabla f(R)=-\nabla' f(R)。
  3. ε0\varepsilon_0 的数值与单位、电偶极矩单位 C⋅m\mathrm{C\cdot m}、δ\delta 函数单位 m−3\mathrm{m^{-3}}。
  4. "先取散度再取梯度"无简化恒等式的说明。
  5. (新增) 趋肤深度 δ=2/(ωμσ)\delta=\sqrt{2/(\omega\mu\sigma)}(良导体),课件给出 α≈ωμσ/2\alpha\approx\sqrt{\omega\mu\sigma/2} 但未显式命名 δ\delta。
  6. (新增) 例 3.1.7 的虚功原理求解过程和结果。
  7. (新增) 部分电容的概念(课件提及但未展开公式)。

(完)本资料完全基于所给课件整理:绪论 + §1.1–§1.8、§2.1–§2.7、§3.1–§3.3、§3.5、§4.1–§4.5、§5、§6、§7。§3.4、§3.6 课件未涉及。